一种基板小片的切割方法及切割装置，能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。从由第一PET层(L2)、PI层(L1)、第二PET层(L3)、第一粘接层(L4)、第二粘接层(L5)构成的多层基板(P1)，切出沿X方向及Y方向延伸并在Y方向上的一端将第一PET层(L2)剥离的基板小片(SP1)的方法包括：在多层基板(P1)上隔开相当于基板小片(SP1)在X方向上的宽度的间隔而形成沿Y方向延伸的多条第一切断线(SL1)的步骤、以及之后形成沿X方向延伸，并用于从基板小片(SP1)的Y方向上的一端剥离第一PET层(L2)的第四切断线(SL4)的剥离切断线形成步骤。
Cutting method and cutting device of substrate chip
【技术实现步骤摘要】
基板小片的切割方法及切割装置
本专利技术涉及从由第一PET层、PI层、第二PET层构成的多层基板切出基板小片的方法、以及从上述多层基板切出基板小片的切割装置。
技术介绍
以往，已知有从形成有OLED基板这样的多个基板小片的多层基板切出一个基板小片的方法。在从多层基板切出基板片时，沿着各切出小片的边形成切断线。作为上述在多层基板上形成切断线的方法，已知有从多层基板的一个面照射激光而沿着所希望的线形成切断线的方法(例如参照专利文献1)。在如OLED基板这样的形成有电路的基板小片中，为了保护OLED等相对于氧化等较弱的电路而设置有保护层。因此，切出基板小片的多层基板具有表面形成有电路的聚酰亚胺(PI)的基板层(称为PI层)、和经由粘接层粘接于该PI层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的保护层(称为PET层)。另外，在PI层的形成有电路的表面，形成有用于连接该电路与外部的电路的连接端子。在具有形成有电路和连接端子的PI层和对其进行保护的PET层的基板小片中，需要利用PET层保护PI层的电路的形成部位，另一方面，需要使连接端子的形成部位露出于外部。因此，在从多层基板切出基板小片之后，从基板小片的形成有连接端子的部位剥离PET层。专利文献1：日本特开2018-15784号公报
技术实现思路
如上所述，在多层基板中，PET层通过粘接层(粘接剂)粘接于PI层。该情况下，如果通过激光照射在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线，则能够考虑到粘接层的状态会因为激光照射而变化。推测由于该粘接层的状态的变化，难以从基板小片上剥离PET层。本专利技术的目的在于，在从多层基板切出基板片时，维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。以下，作为用于解决问题的技术方案，对多个方式进行说明。这些方式可以根据需要任意组合。本专利技术的一个观点涉及的基板小片的切割方法是从多层基板切出基板小片的方法。多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层、将第一PET层粘接于PI层的第一粘接层、以及将第二PET层粘接于PI层的第二粘接层构成。基板小片是沿第一方向及第二方向延伸的基板。在基板小片中，在第一方向上的一端将第一PET层剥离。基板小片的切割方法包括以下的步骤。·第一切断线形成步骤，在多层基板上隔开相当于基板小片在第二方向上的宽度的间隔而形成沿第一方向延伸的多条第一切断线。·剥离切断线形成步骤，在第一切断线形成步骤之后，形成沿第二方向延伸并用于从基板小片的第一方向上的一端剥离第一PET层的剥离切断线。在上述切割方法中，在形成沿第一方向延伸的第一切断线之后形成用于从基板小片的一端剥离第一PET层且沿第二方向延伸的剥离切断线。通过如上所述设定切断线的形成顺序，能够使剥离切断线上产生的损伤为最小限度，因而能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。基板小片的切割方法也可以还包括以下的步骤。·第二切断线形成步骤，在第一切断线形成步骤之后，在多层基板的相当于基板小片与第一PET层被剥离一侧相反一侧的边的部位处，形成沿第二方向延伸的第二切断线。·第三切断线形成步骤，在第二切断线形成步骤之后，在多层基板的相当于基板小片第一PET层被剥离一侧的边的部位处，形成沿第二方向延伸的第三切断线的。由此，能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。第一切断线、第二切断线以及第三切断线也可以具有形成于第一PET层及第一粘接层的槽、和形成于PI层的PI切断线。该情况下，上述切割方法也可以还包括以下的步骤。·通过照射第一激光，在第二PET层及第二粘接层与形成第一切断线的位置对应的位置形成第四槽的步骤。·通过照射第一激光，在第二PET层及第二粘接层与形成第二切断线及第三切断线的位置对应的位置形成第五槽的步骤。由此，能够可靠地切出基板小片。第一切断线形成步骤也可以具有以下的步骤。·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层的形成第一切断线的位置处形成第一槽的步骤。·使轮切断单元从第一槽通过并且在PI层形成第一PI切断线的步骤。由此，能够通过最佳的切断线的形成方法，高效地在PET层及PI层形成切断线。第二切断线形成步骤也可以具有以下的步骤。·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层的形成第二切断线的位置处形成第二槽的步骤。·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层形成用于从基板小片剥离第一PET层的第四切断线的步骤。·使轮切断单元从第二槽通过并且在PI层形成第二PI切断线的步骤。由此，能够通过最佳的切断线的形成方法，高效地在PET层及PI层形成切断线，并且能够同时形成剥离切断线。第三切断线形成步骤也可以具有以下的步骤。·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层的形成第三切断线的位置处形成第三槽的步骤。·通过穿过第三槽照射第二激光，在PI层形成第三PI切断线的步骤。能够通过在PI层的剥离PET层的部位形成切断线的最佳方法形成第三PI切断线。剥离切断线形成步骤也可以包括：通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层形成对应于剥离切断线的槽的步骤。由此，能够通过最佳的方法在第一PET层及第一粘接层上形成剥离切断线。本专利技术的另一观点涉及的基板小片的切割装置是从多层基板切出基板小片的装置。多层基板是由第一PET层、PI层、第二PET层、将第一PET层粘接于PI层的第一粘接层、以及将第二PET层粘接于PI层的第二粘接层构成的基板。基板小片是沿第一方向以及第二方向延伸并在第一方向上的一端将第一PET层剥离的基板。基板小片的切割装置具备第一切断线形成单元。第一切断线形成单元在多层基板上隔开相当于基板小片在第二方向上的宽度的间隔而形成沿第一方向延伸的多条第一切断线。然后，第一切断线形成单元形成沿第二方向延伸并用于从基板小片的第一方向上的一端剥离第一PET层的剥离切断线。在上述切割装置中，第一切断线形成单元在形成沿第一方向延伸的第一切断线之后形成用于从基板小片的一端剥离第一PET层且沿第二方向延伸的剥离切断线。通过如上所述设定切断线的形成顺序，能够使剥离切断线上产生的损伤为最小限度，因而能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。在从由第一PET层、PI层、第二PET层构成的多层基板切出在其一端将第一PET层剥离的基板小片时，通过在形成沿第一方向延伸的第一切断线之后形成沿第二方向延伸并用于从基板小片在第一方向上的一端剥离第一PET层的剥离切断线，从而能够维持易于从基板小片剥离第一PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。附图说明图1是表示多层基板的剖面结构的图。图2是表示多层基板的平面结本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板小片的切割方法，从多层基板切出基板小片，所述多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层、将所述第一PET层粘接于所述PI层的第一粘接层、以及将所述第二PET层粘接于所述PI层的第二粘接层构成，所述基板小片是沿第一方向及第二方向延伸并在所述第一方向上的一端将所述第一PET层剥离掉的小片，其特征在于，所述切割方法包括：/n第一切断线形成步骤，在所述多层基板上隔开相当于所述基板小片在所述第二方向上的宽度的间隔而形成沿所述第一方向延伸的多条第一切断线；以及/n剥离切断线形成步骤，在所述第一切断线形成步骤之后，形成沿所述第二方向延伸并用于从所述基板小片的所述第一方向上的一端剥离所述第一PET层的剥离切断线。/n
【技术特征摘要】
20180926 JP 2018-1801091.一种基板小片的切割方法，从多层基板切出基板小片，所述多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层、将所述第一PET层粘接于所述PI层的第一粘接层、以及将所述第二PET层粘接于所述PI层的第二粘接层构成，所述基板小片是沿第一方向及第二方向延伸并在所述第一方向上的一端将所述第一PET层剥离掉的小片，其特征在于，所述切割方法包括：
第一切断线形成步骤，在所述多层基板上隔开相当于所述基板小片在所述第二方向上的宽度的间隔而形成沿所述第一方向延伸的多条第一切断线；以及
剥离切断线形成步骤，在所述第一切断线形成步骤之后，形成沿所述第二方向延伸并用于从所述基板小片的所述第一方向上的一端剥离所述第一PET层的剥离切断线。
2.根据权利要求1所述的基板小片的切割方法，其特征在于，所述切割方法还包括：
第二切断线形成步骤，在所述第一切断线形成步骤之后，在所述多层基板的相当于所述基板小片与所述第一PET层被剥离一侧相反一侧的边的部位处，形成沿所述第二方向延伸的第二切断线；以及
第三切断线形成步骤，在所述第二切断线形成步骤之后，在所述多层基板的相当于所述基板小片的所述第一PET层被剥离一侧的边的部位处，形成沿所述第二方向延伸的第三切断线。
3.根据权利要求2所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述第一切断线、所述第二切断线以及所述第三切断线具有形成于所述第一PET层及所述第一粘接层的槽、和形成于所述PI层的PI切断线；
所述切割方法还包括：
通过照射第一激光，在所述第二PET层及所述第二粘接层与形成所述第一切断线的位置对应的位置形成第四槽的步骤；以及
通过照射所述第一激光，在所述第二PET层及所述第二粘接层与形成所述第二切断线及所述第三切断线的位置对应的位置形成第五槽的步骤。
4.根据权利要求3所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：上野勉，西尾仁孝，高松生芳，酒井敏行，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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