【技术实现步骤摘要】
一种有机薄膜缓冲层的制备方法
本专利技术属于有机薄膜制备设备
，具体是涉及一种有机薄膜缓冲层的制备方法。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFT)以取材广泛、透明度高、成本低、柔韧性好、可宏量制备等优点成为研究的热点，在能源、显示、存储及传感等领域具有远大的应用前景。但与无机薄膜晶体管相比，还存在迁移率偏低、阈值电压偏高等劣势。近年来，二维有机半导体薄膜的成功制备，为构建高性能、低工作电压的OTFT提供了一条新的路径。与传统OTFT相比，二维超薄有机薄膜即使在单层极限下，仍保持极高的晶体质量与载流子迁移率，并且其金属电极与电荷传输层直接接触，可以有效提高载流子的注入效率，降低接触电阻。然而，若试图充分发挥二维有机场效应晶体管的性能，还需在界面和薄膜结构等方面开展深入的探讨。其中，实现制备具有有序分子排列结构的有机单分子薄膜是一个重要的前置条件。本技术描述了一种电火花沉积结合真空退火处理在SiO2/Si(111)基底上制备碳氢化合物分子层的方法。
技术实现思路
本专利技术主要是解决上述现有技术所存在的技术...
【技术保护点】
1.一种有机薄膜缓冲层的制备方法，其特征在于所述制备方法为：/n步骤一、钽箔表面预涂普通汽油层/n1)选取纯度为99.95％厚度为0.01mm的钽箔，/n2)用无水乙醇、丙酮简单冲洗，而后用氮气吹干，/n3)在钽箔的其中一个清洁表面均匀涂上一层普通汽油，自然晾干，/n4)将表面附着汽油的钽箔裁剪成宽度为2mm，长度为12mm的尺寸；/n步骤二、SiO
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜缓冲层的制备方法，其特征在于所述制备方法为：
步骤一、钽箔表面预涂普通汽油层
1)选取纯度为99.95％厚度为0.01mm的钽箔，
2)用无水乙醇、丙酮简单冲洗，而后用氮气吹干，
3)在钽箔的其中一个清洁表面均匀涂上一层普通汽油，自然晾干，
4)将表面附着汽油的钽箔裁剪成宽度为2mm，长度为12mm的尺寸；
步骤二、SiO2/Si(111)基底上沉积碳氢化合物薄膜
1)将SiO2/Si(111)基底裁剪成10mm×10mm的尺寸，并以丙酮、无水乙醇和去离子水的顺序分别超声10min冲洗，而后用氮气吹干，
2)将钽箔涂有汽油的一面正对SiO2/Si(111)基底，并与脉冲电源负极相连，
3)将钽箔未涂汽油的一面正对脉冲电源正极，
4)使脉冲电源正极与钽箔相互靠近，瞬间的高电流使正电极与钽箔间产生局域电火花，温度高达上千度，致使附着在钽箔另一面的汽油开始分解，分解产物向正对的SiO2/Si(111)基底开始沉积，在SiO...
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