一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及微纳结构技术领域，具体公开了一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，它包括以下步骤：a)利用丙酮和异丙醇清洗处理自支撑的氮化硅(或氧化硅)硅片，并用氮气吹干；b)利用镀膜技术，在自支撑硅片正面蒸镀100～200nm厚度的磁性金属膜；c)利用聚焦离子束刻蚀，在自支撑硅片进行图案化刻蚀，聚焦离子束刻蚀将把镀膜后的自支撑硅片刻穿，形成镂空掩模板；d)将镂空掩模板正面贴于所需制备纳米结构的衬底上，并在衬底背面负载上磁铁，利用磁铁吸引，实现镂空掩模板与衬底的紧密贴合，本发明专利技术通过引入磁场辅助吸附，实现了掩模板与衬底的紧密贴合，有效防止镀膜过程中镀膜材料在间隙处的扩散，从而实现高精度纳米结构。

A method of fabricating micro nano structure by magnetic field adsorption assisted mask evaporation

【技术实现步骤摘要】
一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法
本专利技术涉及微纳加工
，具体是一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法。
技术介绍
微纳加工技术是芯片制造的关键技术，在半导体产业，发光显示，传感，生物分析等微纳器件相关领域有着重要的应用，图案化技术是微纳加工技术的重要步骤之一，所谓图案化技术，主要是指如何将所设计的器件架构、材料结构在所需衬底上实现的过程，现有的图案化技术利用光刻胶/电子束曝光胶，需要先将抗刻蚀胶在衬底上图案化，再以蒸镀、刻蚀等手段将设计的图案结构传递至所需材料膜层中，最终将不必要的抗刻蚀胶洗去，现有的图案化技术严重依赖抗刻蚀胶，在涂敷抗刻蚀胶和洗去抗刻蚀胶时无法避免溶剂的使用，而溶剂的使用会对很多材料造成溶解、腐蚀、改性，这使得很多薄膜材料在微纳器件加工领域受到了阻碍，为了解决这些问题，现在出现了镂空掩模板技术，镂空掩模板技术是利用图案化镂空的掩模板，在镀膜过程中直接将镀膜材料填充在镂空空白中，在没有任何溶剂干扰的前提下实现镀膜材料的图案化，是高效的“干法”图案化技术。但是，目前现有的镂空掩模板蒸镀技术的分辨率不高，极限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：a）利用丙酮和异丙醇清洗处理自支撑的氮化硅（或氧化硅）硅片，并用氮气吹干；b）利用镀膜技术，在自支撑硅片正面蒸镀100~200 nm厚度的磁性金属膜；c）利用聚焦离子束刻蚀，在自支撑硅片进行图案化刻蚀，聚焦离子束刻蚀将把镀膜后的自支撑硅片刻穿，形成镂空掩模板；d）将镂空掩模板正面贴于所需制备纳米结构的衬底上，并在衬底背面负载上磁铁，利用磁铁吸引，实现镂空掩模板与衬底的紧密贴合；e）进行镀膜，镀膜结束后移开磁铁和镂空掩模板，实现衬底上的纳米结构制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：a）利用丙酮和异丙醇清洗处理自支撑的氮化硅（或氧化硅）硅片，并用氮气吹干；b）利用镀膜技术，在自支撑硅片正面蒸镀100~200nm厚度的磁性金属膜；c）利用聚焦离子束刻蚀，在自支撑硅片进行图案化刻蚀，聚焦离子束刻蚀将把镀膜后的自支撑硅片刻穿，形成镂空掩模板；d）将镂空掩模板正面贴于所需制备纳米结构的衬底上，并在衬底背面负载上磁铁，利用磁铁吸引，实现镂空掩模板与衬底的紧密贴合；e）进行镀膜，镀膜结束后移开磁铁和镂空掩模板，实现衬底上的纳米结构制备。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张雪峰，张鉴，
申请(专利权)人：苏州逸峰新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32