用于提供温度相关公共电极电压的电路制造技术

本申请公开了一种用于提供温度相关公共电极电压的电路。所述电路包括：感测子电路，其在电源端与接地端之间耦接并且构造为产生第一电压以控制开关子电路将所述电源端连接至第一节点。所述电路还包括：补偿子电路，其在第一节点与接地端之间耦接，并且当第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能，从而将与温度成比例的温度相关第二电压输出至第二节点。此外，所述电路包括：输出子电路，其与第二节点以及第一输入电压端耦接并且还与第二输入电压端耦接，以基于温度相关第二电压、第一输入电压和第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。

Circuit for providing temperature dependent common electrode voltage

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提供温度相关公共电极电压的电路
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及一种用于提供温度相关公共电极电压的电路和具有该电路的显示设备。
技术介绍
由于高温条件下操作的TFT液晶显示(TFTLCD)面板中的薄膜晶体管(TFT)特性(比如电荷迁移率)的温度相关(temperature-dependent)漂移，随着温度升高在液晶层中累积更多的离子杂质。这些离子杂质在TFTLCD显示面板的公共背板节点处引起有效电压。该有效电压干扰了像素驱动信号。此外，离子杂质电压的DC分量直接导致离子杂质随着温度升高而定向漂移，导致高温下TFTLCD的所谓图像粘连效应(imagestickingeffect)。期望利用改进电路和方法来最小化图像粘连效应的方案。
技术实现思路
在一方面，本公开提供了一种用于提供温度相关公共电极电压的电路。所述电路包括在电源端和接地端之间耦接的感测子电路，其构造为产生第一电压。此外，所述电路包括开关子电路，其构造为在第一电压的控制下将电源端连接至第一节点。此外，所述电路包括在第一节点和接地端之间耦接的补偿子电路，其当第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能，从而将第二电压输出至第二节点，第二电压与温度成比例。此外，所述电路包括输出子电路，其与接收第二电压的第二节点以及供应第一输入电压的第一输入电压端耦接并且还与供应第二输入电压的第二输入电压端耦接，以基于第二电压、第一输入电压和第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。可选地，感测子电路至少包括电源端和接地端之间的经由连接节点串联连接的热敏电阻器和第二电阻器。可选地，热敏电阻器的特征在于随着温度增加而电阻增加的正温度系数。在连接节点处利用来自电源端的电源电压的一部分提供第一电压。该一部分随着温度增加直到最大操作温度而减小。可选地，开关子电路包括p沟道MOS晶体管，其具有与连接节点耦接的栅极、与电源端耦接以接收正电压的漏极、以及与第一节点耦接的源极。可选地，当第一电压与电源电压之间的差等于或小于p沟道MOS晶体管的阈值电压时，p沟道MOS晶体管切换至导通状态。可选地，补偿子电路包括以线性状态构造的第一运算放大器，其具有分别与第三节点和第四节点耦接的一对输入电压端口和与第一节点耦接的输出端口，其中第三节点和第四节点处于虚短路状态。补偿子电路还包括第一MOS晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第一偏置端耦接的栅极、以及与第三节点耦接的源极。此外，补偿子电路包括第二MOS晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接的栅极、以及与第四节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第四节点耦接的第三电阻器。此外，补偿子电路包括第三MOS晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接以接收第二偏置电压的栅极、以及与第二节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第二节点和接地端耦接的第四电阻器。补偿子电路还包括第一双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三节点的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极，其中，第一双极型晶体管的特征在于第一饱和电流。此外，补偿子电路包括第二双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三电阻器的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极。第二双极型晶体管的特征在于第二饱和电流，所述第二饱和电流等于第一饱和电流的1/n。这里，n为常数。可选地，补偿子电路构造为产生流过第三电阻器和第二MOS晶体管的第一电流。第一电流等于第四节点与第二双极型晶体管的集电极之间的电压降除以第三电阻器的电阻，并且所述电压降等于第一双极型晶体管的第一基极-发射极电压与第二双极型晶体管的第二基极-发射极电压由于第三节点和第四节点的虚短路状态而导致的电压差。至少在从阈值温度到最大操作温度的范围内，所述电压降与所述温度成比例。可选地，补偿子电路构造为产生流过第三MOS晶体管和第四电阻器的第二电流。由于第二MOS晶体管和第三MOS晶体管共享共同栅漏电压，第二电流等于第一电流。可选地，补偿子电路构造为在第二节点处输出第二电压。第二电压等于所述电压降乘以第四电阻器的电阻与第三电阻器的电阻之比的乘积。可选地，输出子电路包括构造为加法放大器的第二运算放大器，其具有经由第五电阻器与第一输入电压端耦接并经由第六电阻器与第二节点耦接的第一输入端口、经由第七电阻器与第二输入电压端耦接并且经由第八电阻器与接地端耦接的第二输入端口、以及经由第九电阻器回路至(loopedbackto)第一输入端口的输出端口。在所述输出端口处输出温度相关输出电压。可选地，温度相关输出电压等于具有第一加权因子的第一输入电压加上具有第二加权因子的第二电压减去具有第三加权因子的第二输入电压。第一加权因子等于第九电阻器的电阻与第五电阻器的电阻的第一比。第二加权因子等于第九电阻器的电阻与第六电阻器的电阻的第二比。第三加权因子等于1、第一比和第二比之和与第三比的乘积，所述第三比为第八电阻器的电阻与第八电阻器的电阻和第七电阻器的电阻之和的比。在另一方面，本公开提供了一种显示面板的驱动电路。所述驱动电路包括分别与子像素阵列的一行相关联的一行薄膜晶体管以及接收栅极驱动电压以控制该行薄膜晶体管的公共栅极。每个薄膜晶体管接收对应的源极电压信号。所述驱动电路还包括分别与所述一行薄膜晶体管的漏极耦接的一行有效电容器组。每个有效电容器组与每个子像素的液晶层相关联。此外，所述驱动电路包括用于向有效电容器组的公共电极提供公共电极电压的公共电压电路。所述公共电压电路是本文所述的。可选地，感测子电路至少包括在供应电源电压的电源端和接地端之间的经由连接节点串联连接的具有正温度系数的热敏电阻器和第二电阻器，以在连接节点处利用电源电压的一部分提供第一电压。该一部分随着温度增加直到最大操作温度而减小。可选地，开关子电路包括p沟道MOS晶体管，其具有与连接节点耦接的栅极、与电源端耦接以接收正电压的漏极、以及与第一节点耦接的源极。当第一电压与电源电压之间的差等于或小于所述p沟道MOS晶体管的阈值电压时，所述p沟道MOS晶体管切换至导通状态。可选地，补偿子电路包括以线性状态构造的第一运算放大器，其具有分别与第三节点和第四节点耦接的一对输入电压端口和与第一节点耦接的输出端口，其中第三节点和第四节点处于虚短路状态。补偿子电路还包括第一MOS晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第一偏置端耦接的栅极、以及与第三节点耦接的源极。此外，补偿子电路包括第二MOS晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接的栅极、以及与第四节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第四节点耦接的第三电阻器。此外，补偿子电路包括第三MOS晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接以接收第二偏置电压的栅极、以及与第二节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第二节点和接地端耦接的第四电阻器。补偿子电路还包括第一双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三节点的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极，其中，第一双极型晶体管的特征在于第一饱和电流。此外，补偿子电路包括第二双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三电阻器的集电极和基极以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提供温度相关公共电极电压的电路，所述电路包括：/n感测子电路，其在电源端和接地端之间耦接，并且构造为产生第一电压；/n开关子电路，其构造为在所述第一电压的控制下将所述电源端连接至第一节点；/n补偿子电路，其在所述第一节点和所述接地端之间耦接，并且当所述第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能，从而将第二电压输出至第二节点，所述第二电压与温度成比例；和/n输出子电路，其与接收所述第二电压的第二节点以及供应第一输入电压的第一输入电压端耦接并且还与供应第二输入电压的第二输入电压端耦接，以基于所述第二电压、所述第一输入电压和所述第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于提供温度相关公共电极电压的电路，所述电路包括：
感测子电路，其在电源端和接地端之间耦接，并且构造为产生第一电压；
开关子电路，其构造为在所述第一电压的控制下将所述电源端连接至第一节点；
补偿子电路，其在所述第一节点和所述接地端之间耦接，并且当所述第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能，从而将第二电压输出至第二节点，所述第二电压与温度成比例；和
输出子电路，其与接收所述第二电压的第二节点以及供应第一输入电压的第一输入电压端耦接并且还与供应第二输入电压的第二输入电压端耦接，以基于所述第二电压、所述第一输入电压和所述第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。


2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述感测子电路至少包括在所述电源端和所述接地端之间的经由连接节点串联连接的热敏电阻器和第二电阻器。


3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述热敏电阻器的特征在于随着温度增加而电阻增加的正温度系数，其中在所述连接节点处利用来自所述电源端的电源电压的一部分提供所述第一电压，其中所述一部分随着温度增加直到最大操作温度而减小。


4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述开关子电路包括p沟道MOS晶体管，其具有与所述连接节点耦接的栅极、与所述电源端耦接以接收正电压的漏极、以及与所述第一节点耦接的源极。


5.根据权利要求4所述的电路，其中，当所述第一电压与所述电源电压之间的差等于或小于所述p沟道MOS晶体管的阈值电压时，所述p沟道MOS晶体管切换至导通状态。


6.根据权利要求1至3中任一项所述的电路，其中，所述补偿子电路包括：
以线性状态构造的第一运算放大器，其具有分别与第三节点和第四节点耦接的一对输入电压端口和与所述第一节点耦接的输出端口，其中所述第三节点和所述第四节点处于虚短路状态；
第一MOS晶体管，其具有与所述第一节点耦接的漏极、与第一偏置端耦接的栅极、以及与所述第三节点耦接的源极；
第二MOS晶体管，其具有与所述第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接的栅极、以及与所述第四节点耦接的源极；
与所述第四节点耦接的第三电阻器；
第三MOS晶体管，其具有与所述第一节点耦接的漏极、与所述第二偏置端耦接以接收第二偏置电压的栅极、以及与所述第二节点耦接的源极；
第四电阻器，其与所述第二节点和所述接地端耦接；
第一双极型晶体管，其具有共同地耦接至所述第三节点的集电极和基极以及耦接至所述接地端的发射极，其中，所述第一双极型晶体管的特征在于第一饱和电流；和
第二双极型晶体管，其具有共同地耦接至所述第三电阻器的集电极和基极以及耦接至所述接地端的发射极，其中，所述第二双极型晶体管的特征在于第二饱和电流，所述第二饱和电流等于所述第一饱和电流的1/n，n为常数。


7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述补偿子电路构造为产生流过所述第三电阻器和所述第二MOS晶体管的第一电流，其中所述第一电流等于所述第四节点与所述第二双极型晶体管的集电极之间的电压降除以所述第三电阻器的电阻，并且所述电压降等于所述第一双极型晶体管的第一基极-发射极电压与所述第二双极型晶体管的第二基极-发射极电压由于所述第三节点和所述第四节点的虚短路状态而导致的电压差，其中至少在从所述阈值温度到所述最大操作温度的范围内，所述电压降与温度成比例。


8.根据权利要求7所述的电路，其中，所述补偿子电路构造为产生流过所述第三MOS晶体管和所述第四电阻器的第二电流，其中由于所述第二MOS晶体管和所述第三MOS晶体管共享共同栅漏电压，所述第二电流等于所述第一电流。


9.根据权利要求8所述的电路，其中，所述补偿子电路构造为在所述第二节点处输出所述第二电压，其中所述第二电压等于所述电压降乘以所述第四电阻器的电阻与所述第三电阻器的电阻之比的乘积。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的电路，其中，所述输出子电路包括构造为加法放大器的第二运算放大器，所述第二运算放大器具有：第一输入端口，其经由第五电阻器与第一输入电压端耦接并经由第六电阻器与所述第二节点耦接；第二输入端口，其经由第七电阻器与第二输入电压端耦接并且经由第八电阻器与所述接地端耦接；以及输出端口，其经由第九电阻器回路至所述第一输入端口，其中所述温度相关输出电压在所述输出端口处输出。


11.根据权利要求10所述的电路，其中，所述温度相关输出电压等于具有第一加权因子的所述第一输入电压加上具有第二加权因子的所述第二电压减去具有第三加权因子的所述第二输入电压，其中所述第一加权因子等于所述第九电阻器的电阻与所述第五电阻器的电阻的第一比，所述第二加权因子等于所述第九电阻器的电阻与所述第六电阻器的电阻的第二比，并且所述第三加权因子等于1、所述第一比和所述第二比之和与第三比的乘积，所述第三比为所述第八电阻器的电阻与所述第八电阻器的电阻和所述第七电阻器的电阻之和的比。


12.一种显示面板的驱动电路，包括：
一行薄膜晶体管，其分别与子像素阵列的一行相关联；
公共栅极，其接收栅极驱动电压以控制所述一行薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管接收相应的源极电压信号；
一行有效电容器组，其分别耦接至所述一行薄膜晶体管的漏极，每个有效电容器组与每个子像素的液...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷嗣军，陆旭，侯帅，伏思庆，龙永，张英，陈善彬，曾凡建，许志财，谭森，刘兴洪，陈祥超，李云松，陈鑫，耿玉旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11