【技术实现步骤摘要】
两步非对称交替单调切换的逐次逼近型模数转换器
本专利技术属于模拟集成电路设计领域,具体涉及一种两步非对称交替单调切换的逐次逼近型模数转换器。
技术介绍
逐次逼近型模数转换器(SARADC)由于其固有的低功耗特性,在无线传感器设备和高速通信标准领域中具有极大的影响力。通常与比较器和数字控制电路相比,SARADC的电容式数模转换器(CDAC)占总功耗的主要部分。研究人员已经为解决这个问题做出了相当大的努力,并且已经发布了几种节能开关方案。以基于Vcm-based的开关方案为参考,higher-side-reset-and-set和tri-level,VMS和hybrid将开关能量降低了37.6%,75.1%,81.3%和90.7%。在先前的工作中,DAC的每个转换步骤中消耗的能量由参考电压提供,因此,计算出的能量消耗为正。相反,国外学者Sanyal声称,通过将DAC返回的功率(即“负能量”的定义)用于开关计算中,可以在一个宽频带上进一步实现SARADC的高能效。但是,使用负能量的可能性存在争议,一些研究者如XinyuanTong ...
【技术保护点】
1.两步非对称交替单调切换的逐次逼近型模数转换器,其特征在于,包括主电容阵列、比较器和逻辑控制单元,主电容阵列包括采样电容阵列MSBs array、桥接电容C
【技术特征摘要】
1.两步非对称交替单调切换的逐次逼近型模数转换器,其特征在于,包括主电容阵列、比较器和逻辑控制单元,主电容阵列包括采样电容阵列MSBsarray、桥接电容Cb和电容阵列LSBsarray,比较器的正向输入端和反向输入端均连接采样电容阵列MSBsarray,比较器的输出端连接逻辑控制单元,逻辑控制单元连接电容阵列LSBsarray;
电容阵列LSBsarray包括电容阵列NLSBArray和电容阵列PLSBArray,桥接电容Cb的下极板与采样电容阵列MSBsarray的上极板相连接,桥接电容Cb的上极板与电容阵列LSBsarray的上极板相连接,电容阵列NLSBArray和电容阵列PLSBArray的上极板均连接控制开关Sp3和控制开关Sn3,控制开关Sp3和控制开关Sn3并联设置,控制开关Sp3和控制开关Sn3均连接采样电容阵列MSBsarray;
电容阵列NLSBArray包括N型分裂电容和N型未分裂电容阵列,N型未分裂电容2C的上极板连接桥接电容Cb的上极板,N型未分裂电容2C的下极板连接并联的N型分裂电容C和N型未分裂电容C,其他N型分裂电容和N型未分裂电容并联设置,并且上极板连接桥接电容Cb的上极板以及控制开关Sp3和控制开关Sn3,下极板连接参考电压Vref、参考电压Vcm或者地GND,N型分裂电容C的下极板连接参考电压Vref、参考电压Vcm或者地GND,N型未分裂电容C连接参考电压Vcm;
电容阵列PLSBarray包括P型分裂电容阵列、P型未分裂电容阵列和冗余电容Crdt,P型分裂电容、P型未分裂电容和和冗余电容Crdt并联设置,P型分裂电容、P型未分裂电容和冗余电容Crdt的上极板连接桥接电容Cb的下极板以及控制开关Sp3和控制开关Sn3,P型分裂电容和P型未分裂电容的下极板连接参考电压Vref、参考电压Vcm或者地GND,冗余电容Crdt的下极板连接参考电压Vcm。
2.根据权利要求1所述的两步非对称交替单调切换的逐次逼近型模数转换器,其特征在于,采样电容阵列MSB...
【专利技术属性】
技术研发人员:张国和,常科,刘沛,董雷,屈展,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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