磁盘装置以及写入处理方法制造方法及图纸

实施方式提供能够提高数据的记录容量的磁盘装置以及写入处理方法。实施方式所涉及的磁盘装置具备：盘；头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。

Disk device and write processing method

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置以及写入处理方法本申请享受以日本专利申请2018-173567号(申请日：2018年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁盘装置以及写入(write)处理方法。
技术介绍
磁盘装置在向预定磁道(track)写入数据时，利用在超过了向盘半径方向(径向)的离轨(offtrack，偏离磁道)的容许值(DOL：Drift-OffLevel)的情况下禁止进行写入处理的功能等来控制头(head)的半径方向的位置，并控制该预定磁道在半径方向相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的磁道宽度。向预定磁道的半径方向的离轨的容许值例如根据在写入后立刻进行读取的情况下的相邻磁道的各扇区(sector)的误码率(BitErrorRate)中的最大的误码率来设定。因此，有可能难以使磁盘装置的磁道密度(TPI：TrackPerInch)提高。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够提高数据的记录容量的磁盘装置以及写入处理方法。实施方式所涉及的磁盘装置具备：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘装置，具备：/n盘；/n头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及/n控制器，其基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。/n

【技术特征摘要】
20180918 JP 2018-1735671.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其向所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其基于第1错误率来控制所述头从而对第1磁道进行写入，所述第1错误率是对在所述盘的半径方向上与所述第1磁道相邻的第2磁道进行写入后立刻进行读取所得到的错误率。


2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器基于第1差量值来控制所述头从而对所述第1磁道进行写入，所述第1差量值是所述第1错误率与能够对已写入所述盘的数据进行读取的最大错误率的差量值。


3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器基于所述第1差量值来变更能够在所述第1磁道的半径方向的所述第2磁道侧进行写入的第1上限值。


4.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1磁道上的所述第1差量值中的与第1扇区对应的第2差量值比所述第1磁道上的所述第1差量值中的与不同于第1扇区的第2扇区对应的第3差量值大的情况下，使与所述第1扇区对应的所述第1上限值中的第2上限值比与所述第2扇区对应的所述第1上限值中的第3上限值大。


5.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器基于所述第1差量值来变更对所述第1磁道进行写入时的所述半径方向的第1目标位置。


6.根据权利要求5所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1磁道上的所述第1差量值中的与第1扇区对应的第2差量值比所述第1磁道上的所述第1差量值中的与不同于第1扇区的第2扇区对应的第3差量值大的情况下，将与所述第1扇区对应的所述第1目标位置中的第2目标位置配置在比与所述第2扇区对应的所述第1目标位置中的第3目标位置靠所述第1磁道侧。

【专利技术属性】
技术研发人员：河边享之，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP