【技术实现步骤摘要】
一种纳米天线装置的制造方法
本专利技术有关于天线装置,尤其涉及一种纳米天线装置的制造方法。
技术介绍
感应充电为一种近距离的无线充电技术,应用电磁感应在两对象之间传送能量,来自电源端的能量通过电感耦合(inductivecoupling)的方式传送到靠近于该电源端的一电子装置,即是在电源端应用其感应天线线圈的通电产生电磁波,并由该电子装置上的感应天线线圈感应该电磁波而产生电流,即可应用该电流对电子装置内的电池充电。因此在充电时不需要使用导线连接电源端及电子装置,使得用户无需另行准备适用于电源端及电子装置之间的导线。但是传统的感应充电应用低频感应以及旧式电子驱动组件,其充电效率相当低,并且在充电时会产生大量热能,因此应用在移动电子装置的充电时,其充电速度缓慢,因此需要花费大量时间充电,且在充电其间产生的高温也会降低电子组件的寿命。再者由于需要配置相关的电子驱动组件以及天线线圈,因此也提高了整体的设计复杂度以及制造成本。虽然目前已经有发展出极细的天线线圈,并应用高频感应以及优化的电子驱动组件,使得充电效率最高可达到86%,且制造成本也较低,而可应用于手机充电。但是此种天线线圈的充电效率仍然相当有限,且仍需耗费一定的制造成本。因此本专利技术的专利技术人希望提出一种崭新的天线线圈结构,使其可达成更高的充电效率以及更低的制造成本,以解决上述现有技术上的缺陷。
技术实现思路
所以本专利技术的目的为解决上述现有技术上的问题,本专利技术中提出一种纳米天线装置的制造方法,应用本专利技术的制造 ...
【技术保护点】
1.一种纳米天线装置的制造方法,应用纳米技术所制成,其特征在于,该纳米天线装置的制造方法包括下列步骤:/n步骤A:取一基板置于真空环境中,该基板为绝缘材料所制成;/n在该基板上执行下列步骤:/n步骤B:应用溅镀的方式沉积形成一导体层;/n步骤C:在该导体层上方涂覆一光阻层;/n步骤D:应用一光罩对该光阻层进行光显影,其中该光罩具有一螺旋形的回路,其中该回路之间形成空隙,经过光显影之后,下方的光阻层与该光罩的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉,而形成相同于该光罩的一回路;/n步骤E:应用电浆或化学蚀刻方式对该导体层进行蚀刻,使得该导体层与上方光阻层所形成的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉,而使得该导体层形成同于该光阻层的回路;然后移除该光阻层;如此该导体层即形成一天线回路;当该导体层通过电流时即能够辐射电磁波;/n步骤F:在该导体层周围沉积形成一绝缘层,而包覆住该导体层;其中应用溅镀或电浆化学气相沉积的方式形成该绝缘层;因此该导体层及该绝缘层形成第一层的天线组件;该绝缘层的作用即在于保护该导体层,避免短路;该绝缘层的材料不吸收电磁波而让电磁波能够通过;/n步骤G:然后在该第一层的天线组件上方重 ...
【技术特征摘要】
1.一种纳米天线装置的制造方法,应用纳米技术所制成,其特征在于,该纳米天线装置的制造方法包括下列步骤:
步骤A:取一基板置于真空环境中,该基板为绝缘材料所制成;
在该基板上执行下列步骤:
步骤B:应用溅镀的方式沉积形成一导体层;
步骤C:在该导体层上方涂覆一光阻层;
步骤D:应用一光罩对该光阻层进行光显影,其中该光罩具有一螺旋形的回路,其中该回路之间形成空隙,经过光显影之后,下方的光阻层与该光罩的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉,而形成相同于该光罩的一回路;
步骤E:应用电浆或化学蚀刻方式对该导体层进行蚀刻,使得该导体层与上方光阻层所形成的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉,而使得该导体层形成同于该光阻层的回路;然后移除该光阻层;如此该导体层即形成一天线回路;当该导体层通过电流时即能够辐射电磁波;
步骤F:在该导体层周围沉积形成一绝缘层,而包覆住该导体层;其中应用溅镀或电浆化学气相沉积的方式形成该绝缘层;因此该导体层及该绝缘层形成第一层的天线组件;该绝缘层的作用即在于保护该导体层,避免短路;该绝缘层的材料不吸收电磁波而让电磁波能够通过;
步骤G:然后在该第一层的天线组件上方重复步骤B至步骤F,因此形成第二层的天线组件;
步骤H:重复上述的步骤G,能够形成多层的天线组件,其中最上层的导体层上方能够不覆盖绝缘层;应用多层的天线组件能够增加辐射的电磁波,以便达到更高的导电效率。
2.如权利要求1所述的纳米天线装置的制造方法,其特征在于,各层的天线组件中的天线回路互相错开,以便提高辐射效果。
3.如权利要求1所述的纳米天线装置的制造方法,其特征在于,各层天线组件的厚度为数个纳米至数百纳米。
4.如权利要求1所述的纳米天线装置的制造方法,其特征在于,在使用时,将电池或电源的一电极安装至所有天线回路的外侧,而所有天线回路的内侧则应用该电池或电源的另一电极,使其贯穿整个天线装置以使得该另一电极能够接触到所有天线回路的内侧。
5.一种纳米天线装置的制造方法,应用薄膜技术所制成,其特征在于,该纳米天线装置的制造方法包括下列步骤:
步骤A:取一基板置于真空环境中,该基板为软性塑料绝缘材料制成;
步骤B:制备一金属罩网板,该金属罩网板具有空隙,且该空隙形成一螺旋形的回路;
步骤C:在该基板上方放置该金属罩网板;
步骤D:应用溅镀或沉积的方式在该金属罩网板的空隙中形成一导体层,因此该导体层形成相同于该金属罩网板的空隙的回路,如此该导体层即形成一天线回路;
步骤E:在真空环境中,移除该金属罩网板;
步骤F:在真空环境中,应用溅镀或沉积的方式在该导体层周围形成一介电质层,而包覆住该导体层,因此该导体层及该介电质层形成第一层的天线组件;
步骤G:然后在该第一层的天线组件上方再次覆盖该金属罩网板并偏移一段设定的距离,使得所形成的第二层的天线组件的导体层的天线回路之间的空隙不对齐于下方第一层的天线组件的导体层的天线回路之间的空隙;然后,在大气中对该天线组件涂覆或喷洒导电胶于该金属罩网板的空隙,然后移除该金属罩网板,使得该导电胶凝固后形成第二层的导体层,其即为第二层的天线回路;然后在真空环境中,应用溅镀或沉积的方式在第二层的该导体层周围形成第二层的介电质层,而包覆住该导体层,因此第二层的该导体层及该介电质层形成第二层的天线组件;
步骤H:重复上述的步骤G,以形成多层的天线组件,其中最上层的导体层上方能够不覆盖绝缘层;应用多层的天线组件能够增加辐射的电磁波,以便达到更高的导电效率。
6.如权利要求5所述的纳米天线装置的制造方法,其特征在于,各层的天线组件中的天线回路互相错开,以便提高辐射效果。
7.如权利要求5所述的纳米天线装置的制造方法,其特征在于,各层天线组件的厚度为数个纳米至数百纳米。
8.如权利要求5所述的纳米天线装置的制造方法,其特征在于,在使用时,将电池或电源的一电极安装至所有天线回路的外侧,而所有天线回路的内侧则应用该电池或电源的另一电极,使其贯穿整个天线装置以使得该另一电极能够接触到所有天线回路的内侧。
9.一种纳米天线装置的制造方法,应用厚膜技术所制成,其特征在于,该纳米天线装置的制造方法包括下列步骤:
步骤A:取一基板;
步骤B:制备一金属罩网板,该金属罩网板具有空隙,且该空隙形成一螺旋形的回路;
步骤C:在大气中,在该基板上方放置该金属罩网板;
步骤D:在大气中,应用喷洒或涂覆的方式在该金属罩网板的空隙中形成一导体层,因此该导体层形成相同于该金属罩网板的空隙的回路,如此该导体层即形成一天线回路;
步骤E:在大气中,移除该金属罩网板;
步骤F:在大气中,应用喷洒或涂覆的方式在该导体层周围形成一介电质层,而包覆住该导体层,因此该导体层及该介电质层形成第一层的天线组件;
步骤G:然后在该第一层的天线组件上方再次覆盖该金属罩网板...
【专利技术属性】
技术研发人员:张崇健,费龙庆,
申请(专利权)人:艾沛迪股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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