一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，包括：表面量子点湿度传感层，表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次设置的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、以及InGaAs表面量子点层；且在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，以及在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，设置有钝化层；在钝化层上设置有腐蚀出的两个引线孔，并在两个引线孔中分别设置有传感上电极和传感下电极；在InGaAs表面量子点层露出的上表面一端，设置有OLED光源层。

A surface quantum dot humidity sensor integrated with OLED light source

【技术实现步骤摘要】
一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器
本技术属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器。
技术介绍
在信息时代，首先要解决的问题就是要获取准确可靠的信息，而传感器是获取自然和生产领域中信息的主要途径和手段。目前传感器在资源探测、海洋、环境监测、安全保卫、医疗诊断、家用电器、农业现代化等领域都有广泛利用。当前技术水平下的传感器系统正向着微小型化、智能化、多功能化和网络化的方向发展。未来的传感器系统必将变得更加微型化、综合化、多功能化、智能化和系统化。因此，寻找一种能与硅半导体集成工艺兼容的敏感材料就成为当务之急，尤其是在气敏领域，寻找能够实现气敏探测的同时与硅半导体集成工艺兼容的材料尤为重要。在这个方面，基于InGaAs、InP的表面量子点与现有的半导体工艺具有天然的兼容性。InAs、InP、InGaAs等表面量子点材料是去掉了量子点表面覆盖层，而将量子点直接裸露在空气中而形成的。表面量子点的表面存在大量的悬挂键，形成表面态。水分子很容易被表面态吸附，抑制了表面态的非辐射复合，进而可增强表面量子点的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，包括：/n表面量子点湿度传感层，所述表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次设置的n型GaAs缓冲层(02)、N层InGaAs掩埋量子点层(03)、以及InGaAs表面量子点层(04)；N为大于或者等于1的正整数；/n且在所述n型GaAs缓冲层(02)上形成由所述InGaAs掩埋量子点层(03)组成的第一台阶，以及在所述第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层(04)组成的第二台阶；/n在所述第一台阶的两侧及露出的上表面和所述第二台阶的上表面及两侧，设置有钝化层(05)；/n在所述钝化层(05)上设置有腐蚀出的两...

【技术特征摘要】
1.一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，包括：
表面量子点湿度传感层，所述表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次设置的n型GaAs缓冲层(02)、N层InGaAs掩埋量子点层(03)、以及InGaAs表面量子点层(04)；N为大于或者等于1的正整数；
且在所述n型GaAs缓冲层(02)上形成由所述InGaAs掩埋量子点层(03)组成的第一台阶，以及在所述第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层(04)组成的第二台阶；
在所述第一台阶的两侧及露出的上表面和所述第二台阶的上表面及两侧，设置有钝化层(05)；
在所述钝化层(05)上设置有腐蚀出的两个引线孔，并在两个所述引线孔中分别设置有传感上电极(06)和传感下电极(07)；
在所述InGaAs表面量子点层(04)露出的上表面一端，设置有OLED光源层。


2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国东，曹国华，朱红伟，王康佳，杨莹丽，
申请(专利权)人：河南理工大学，
类型：新型
国别省市：河南;41