一种多晶硅料清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅料清洗装置，涉及硅锭加工技术领域。本实用新型专利技术包括：盛装酸液的清洗池(1)、放置多晶硅料的清洗容器(2)、用于酸液沥干的沥液台(3)和控制清洗容器(2)移动的电机(407)及气缸(6)；沥液台(3)与清洗池(1)相接于接面(103)，在接面(103)上方开有沥液口(302)，沥液口(302)连通着沥液区(301)与清洗池(1)；清洗容器(2)上设有多个十字型开口(201)。本实用新型专利技术有益技术效果：在清洗容器上设计十字型开口，十字型开口不易堵塞，便于酸液的流动及冲洗除杂；清洗容器可以进行上下及左右方向的晃动，使多晶硅料分离，能够加速酸液对杂质的冲洗，提高清洗效果。

A cleaning device for polysilicon

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅料清洗装置
本技术涉及硅锭加工
，特别涉及一种多晶硅料清洗装置。
技术介绍
硅片是电子产品制造中重要的原材料,由硅锭加工制成，硅锭由多晶硅料铸造而成；所以可以说，多晶硅料的纯度直接决定了硅片的质量。通常在铸锭前需要对多晶硅料进行清洗以提高其纯度。清洗多晶硅料时，先进行酸液浸泡，流动的酸液带着杂质从容器壁上留有的开口中流出，从而实现对多晶硅料的除杂清洗。一方面，有些多晶硅料体积较小，为了减少清洗中多晶硅料的流失，容器壁上的开口设计是密密麻麻的小孔，容易堵塞，阻碍酸液的流动，进而不利于酸液冲洗除杂的进行；同时，小的多晶硅料附着于体积较大的多晶硅料上，彼此之间不易分离，酸液难以接触到硅料间的杂质，降低清洗效果。
技术实现思路
本技术提供一种多晶硅料清洗装置，在清洗容器上设计十字型开口，清洗容器可以进行上下及左右方向的晃动，解决上述技术问题。具体技术方案是，一种多晶硅料清洗装置，包括：盛装酸液的清洗池、放置多晶硅料的清洗容器、用于酸液沥干的沥液台和控制清洗容器移动的电机及气缸；多晶硅料置于清洗容器中，再将清洗容器放入盛装酸液的清洗池进行浸泡，电机及气缸分别带动清洗容器左右及上下晃动，使多晶硅料分离，并加速酸液对杂质的冲洗；洗完后，将多晶硅料连同清洗容器一起提至沥液台上，进行沥液。进液口设在清洗池的上方，出液口设在清洗池的下方，沥液台紧挨着清洗池，沥液台与清洗池相接于接面，在接面上方开有沥液口，沥液口连通着沥液区与清洗池；沥液区的液体直接从沥液口流入到清洗池中；>清洗容器上方敞口，四周侧壁和底面上设有多个十字型开口，十字型开口在保证小的多晶硅料不流出的同时不易堵塞，便于酸液的流动；提手设在清洗容器的上方；支撑架立于清洗池和沥液台的四周；支撑架的中间板和丝杠位于清洗池和沥液台的上方，中间板和丝杠分别穿过滑块的中间孔和丝孔，气缸固定安装在滑块的下方，挂钩通过连接件安装在伸缩杆的下方；电机通过减速机与丝杠连接。进一步，支撑架上在中间板的两侧各设一个丝杠，两个丝杠之间通过链轮和链条连接，之间可传动；在滑块的中间孔两侧各设一个丝孔。对称设置丝杠，滑块可以均衡移动，即清洗容器移动更平稳。进一步，清洗容器的底部安装有四个轮子。清洗容器置于清洗池中时，部分杂质沉降至清洗池底部，清洗容器的底部不会碰到清洗池，沉降后的杂质不会返回至清洗容器中，更易清洗干净；另一方面，轮子滚动阻力小，便于清洗容器左右移动。进一步，在丝杠与支撑架的连接处安装有轴承。在丝杠转动时，支撑架保持不动。进一步，沥液区上方是间隔分布的轴；轴对清洗容器形成支撑，间隔区域便于液体流过。将待清洗的多晶硅料置于清洗容器中，再将清洗容器放入盛装酸液的清洗池进行浸泡，一段时间后，由电机带动滑块及清洗容器左右晃动，由气缸带动清洗容器上下晃动，使多晶硅料分离，加速酸液对杂质的冲洗；洗完后，通过气缸和电机作用将多晶硅料连同清洗容器一起提至沥液台上，多晶硅料上的液体直接流经沥液区和沥液口至清洗池中，沥干后清洗容器便于滚动将清洗好的多晶硅料进行移动。本技术有益技术效果：在清洗容器上设计十字型开口，十字型开口不易堵塞，便于酸液的流动及冲洗除杂；清洗容器可以进行上下及左右方向的晃动，使多晶硅料分离，能够加速酸液对杂质的冲洗，提高清洗效果。附图说明图1为本技术的一种具体实施方式的示意图；图2为本技术的一种具体实施方式的清洗容器示意图；图3为本技术的一种具体实施方式的清洗池与沥液台示意图；图4为本技术的一种具体实施方式的滑块示意图。附图标记说明：1、清洗池，2、清洗容器，3、沥液台，4、支撑架，5、滑块，6、气缸；101、进液口，102、出液口，103、接面；201、开口，202、提手，203、轮子；301、沥液区，302、沥液口；401、中间板，402、丝杠，404、链条，405、轴承，406、减速机，407、电机；501、中间孔，502、丝孔；601、伸缩杆，602、连接件，603、挂钩。具体实施方式下面结合附图及实施例描述本技术具体实施方式：需要说明的是，本说明书所附图中示意的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应落在本技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例：图1，一种多晶硅料清洗装置，包括：盛装酸液的清洗池1、放置多晶硅料的清洗容器2、用于酸液沥干的沥液台3和控制清洗容器2移动的电机407及气缸6；多晶硅料置于清洗容器2中，再将清洗容器2放入盛装酸液的清洗池1进行浸泡，电机407及气缸6分别带动清洗容器2左右及上下晃动，使多晶硅料分离，并加速酸液对杂质的冲洗；洗完后，将多晶硅料连同清洗容器2一起提至沥液台3上，进行沥液。支撑架4立于清洗池1和沥液台3的四周；支撑架4的中间板401和丝杠402位于清洗池1和沥液台3的上方，中间板401和丝杠402分别穿过滑块5的中间孔501和丝孔502，气缸6固定安装在滑块5的下方，挂钩603通过连接件602安装在伸缩杆601的下方；电机407通过减速机406与丝杠402连接。使用时，挂钩603钩住清洗容器2上的提手202。图2，清洗容器2上方敞口，四周侧壁和底面上设有多个十字型开口201，十字型开口201在保证小的多晶硅料不流出的同时不易堵塞，便于酸液的流动；提手202设在清洗容器2的上方；清洗容器2的底部安装有四个轮子203。清洗容器2置于清洗池1中时，部分杂质沉降至清洗池1底部，清洗容器2的底部不会碰到清洗池1，沉降后的杂质不会返回至清洗容器2中，更易清洗干净；另一方面，轮子203滚动阻力小，便于清洗容器2左右移动。图3，进液口101设在清洗池1的上方，出液口102设在清洗池1的下方，沥液台3紧挨着清洗池1，沥液台3与清洗池1相接于接面103，在接面103上方开有沥液口302，沥液口302连通着沥液区301与清洗池1；沥液区301的液体直接从沥液口302流入到清洗池1中；沥液区301上方是间隔分布的轴；轴对清洗容器2形成支撑，间隔区域便于液体流过。图4，在滑块5的中间孔501两侧各设一个丝孔502。图1，支撑架4上在中间板401的两侧各设一个丝杠402，两个丝杠402之间通过链轮和链条404连接；在丝杠402与支撑架4的连接处安装有轴承405。在丝杠402转动时，支撑架4保持不动。将待清洗的多晶硅料置于清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅料清洗装置，其特征在于，/n包括：盛装酸液的清洗池(1)、放置多晶硅料的清洗容器(2)、用于酸液沥干的沥液台(3)和控制清洗容器(2)移动的电机(407)及气缸(6)；/n进液口(101)设在清洗池(1)的上方，出液口(102)设在清洗池(1)的下方，沥液台(3)与清洗池(1)相接于接面(103)，在接面(103)上方开有沥液口(302)，沥液口(302)连通着沥液区(301)与清洗池(1)；/n清洗容器(2)上方敞口，四周侧壁和底面上设有多个十字型开口(201)，提手(202)设在清洗容器(2)的上方；/n支撑架(4)的中间板(401)和丝杠(402)位于清洗池(1)和沥液台(3)的上方，中间板(401)和丝杠(402)分别穿过滑块(5)的中间孔(501)和丝孔(502)，气缸(6)固定安装在滑块(5)的下方，挂钩(603)通过连接件(602)安装在伸缩杆(601)的下方；电机(407)通过减速机(406)与丝杠(402)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅料清洗装置，其特征在于，
包括：盛装酸液的清洗池(1)、放置多晶硅料的清洗容器(2)、用于酸液沥干的沥液台(3)和控制清洗容器(2)移动的电机(407)及气缸(6)；
进液口(101)设在清洗池(1)的上方，出液口(102)设在清洗池(1)的下方，沥液台(3)与清洗池(1)相接于接面(103)，在接面(103)上方开有沥液口(302)，沥液口(302)连通着沥液区(301)与清洗池(1)；
清洗容器(2)上方敞口，四周侧壁和底面上设有多个十字型开口(201)，提手(202)设在清洗容器(2)的上方；
支撑架(4)的中间板(401)和丝杠(402)位于清洗池(1)和沥液台(3)的上方，中间板(401)和丝杠(402)分别穿过滑块(5)的中间孔(501)和丝孔(502)，气缸(6)固定安装在滑块(5)的下方，挂...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾磊，张玉玉，纪杨，张乃文，
申请(专利权)人：山东大海新能源发展有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37