存储单元读取电路制造技术

本发明专利技术提供一种存储单元读取电路，包括：存储单元、NMOS晶体管及PMOS晶体管，其中，所述存储单元一端与位线连接，所述位线连接至一电流源，所述电流源用于产生读电流，所述存储单元另一端与字线控制电路连接；所述NMOS晶体管的栅极与所述位线连接，所述NMOS晶体管的源极接地，所述NMOS晶体管的漏极与所述PMOS晶体管的漏极连接，作为数据输出端；所述PMOS晶体管的栅极输入预充电控制信号，所述PMOS晶体管的源极输入预充电电压信号。本发明专利技术能够提高存储单元的数据读取速度。

Memory unit reading circuit

【技术实现步骤摘要】
存储单元读取电路
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种存储单元读取电路。
技术介绍
传统磁存储器(MagneticRandomAccessMemory，简称MRAM)的存储单元的核心部分是磁隧道结MTJ，MTJ是一个由多层膜组成的两端口结构器件，其核心部分主要由三层薄膜组成，两个铁磁层被一个隧穿势垒层分隔开，其中一个铁磁层的磁化方向是固定不变的，被称为固定层或者参考层，另一个铁磁层的磁化方向可以改变，被称为自由层，自由层的磁化方向可以与参考层的磁化方向平行(Parallel，简称P)或者与参考层的磁化方向反平行(Anti-Parallel，简称AP)。当两个铁磁层的磁化方向平行时，MTJ呈现低阻态，记为Rp，反之，当两个铁磁层的磁化方向反平行时，MTJ呈现高阻态，记为Rap。这两种截然不同的电阻状态在信息存储的时候可以分别用来表征二进制数据“0”和“1”。现有的MRAM存储单元的读取电路，如图1所示，虚线框表示一个MRAM存储单元，通常对要读取的存储单元和参考单元(参考单元的阻值取1/2*(Rp+Rap))施加相同的读电压Vr，二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元读取电路，其特征在于，包括：存储单元、NMOS晶体管及PMOS晶体管，其中，/n所述存储单元一端与位线连接，所述位线连接至一电流源，所述电流源用于产生读电流，所述存储单元另一端与字线控制电路连接；/n所述NMOS晶体管的栅极与所述位线连接，所述NMOS晶体管的源极接地，所述NMOS晶体管的漏极与所述PMOS晶体管的漏极连接，作为数据输出端；/n所述PMOS晶体管的栅极输入预充电控制信号，所述PMOS晶体管的源极输入预充电电压信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元读取电路，其特征在于，包括：存储单元、NMOS晶体管及PMOS晶体管，其中，
所述存储单元一端与位线连接，所述位线连接至一电流源，所述电流源用于产生读电流，所述存储单元另一端与字线控制电路连接；
所述NMOS晶体管的栅极与所述位线连接，所述NMOS晶体管的源极接地，所述NMOS晶体管的漏极与所述PMOS晶体管的漏极连接，作为数据输出端；
所述PMOS晶体管的栅极输入预充电控制信号，所述PMOS晶体管的源极输入预充电电压信号。


2.根据权利要求1所述的存储单元读取电路，其特征在于，所述NMOS晶体管的体电压可调节，具有可变的导通阈值电压。


3.根据权利要求2所述的存储单元读取电路，其特征在于，还包括温度补...

【专利技术属性】
技术研发人员：简红，蒋信，熊保玉，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33