光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块制造技术

光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块。光器件形成在光IC芯片上。光IC芯片的形状是矩形或平行四边形。该光器件包括：光器件电路；第一光波导，所述第一光波导联接到所述光器件电路；焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；光栅耦合器；以及第二光波导，所述第二光波导联接到所述光栅耦合器。所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中。所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。

Optical device, optical IC chip, wafer and optical transceiver module

【技术实现步骤摘要】
光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块
本文所讨论的实施方式涉及光器件和光收发器模块。
技术介绍
图1示出了光器件的示例。该示例中的光器件包括光接收器10和光调制器20。光器件被提供有由光源(未示出)生成的连续波光LD_in。光接收器10包括可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振分束器(PBS)、偏振旋转器(PR)、90度光混合电路以及光电探测器(PDXI、PDXQ、PDYI、PDYQ)。光接收器10借助于使用连续波光LD_in的相干检测生成表示接收光信号Rx_in的电场信息信号RF_out。注意，VOA中的衰减量通过经由焊盘1提供的功率控制信号控制。表示由mPD监测的接收光功率的监测信号经由焊盘2输出。光调制器20包括调制器(modXI、modXQ、modYI、modYQ)、可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振旋转器(PR)和偏振合束器(PBC)。光调制器20用数据信号RF_in调制连续波光LD_in，并生成调制光信号Tx_out。注意，与各极化对应的调制光信号的相位通过经由焊盘3和焊盘4提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光器件，该光器件形成在具有矩形形状或平行四边形形状的光集成电路IC芯片上，该光器件包括：/n光器件电路；/n第一光波导，所述第一光波导联接到所述光器件电路；/n焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；/n光栅耦合器；以及/n第二光波导，所述第二光波导联接到所述光栅耦合器，/n其中，所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，/n所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中，并且/n所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。/n

【技术特征摘要】
20180823 JP 2018-1565571.一种光器件，该光器件形成在具有矩形形状或平行四边形形状的光集成电路IC芯片上，该光器件包括：
光器件电路；
第一光波导，所述第一光波导联接到所述光器件电路；
焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；
光栅耦合器；以及
第二光波导，所述第二光波导联接到所述光栅耦合器，
其中，所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，
所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中，并且
所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。


2.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述光栅耦合器形成在所述光IC芯片的靠近与所述第一边不同的第二边的区域中。


3.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述光栅耦合器形成在所述光IC芯片上的指定区域中，并且所述指定区域不靠近所述光IC芯片的任何边。


4.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述光器件电路包括光调制器，并且
所述焊盘包括被输入了对由所述光调制器生成的光信号的相位进行控制的信号的焊盘、被输入了对由所述光调制器生成的所述光信号的功率进行控制的信号的焊盘以及输出表示由所述光调制器生成的所述光信号的功率的信号的焊盘。


5.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述光器件电路包括光接收器和光调制器，并且
所述第一光波导包括用于将输入光信号引导至所述光接收器的光波导、用于将输入的连续波光引导至所述光调制器的光波导以及用于传送由所述光调制器生成的光信号的光波导。


6.一种光器件，该光器件形成在具有矩形形状或平行四边形形状的光IC芯片上，该光器件包括：
光接收器；
第一光波导，所述第一光波导联接到所述光接收器；
光调制器；
第二光波导，所述第二光波导联接到所述光调制器；
第三光波导，所述第三光波导联接到所述光调制器；
焊盘，所述焊盘电连接至所述光调制器；
第一光栅耦合器；
第二光栅耦合器；
第三光栅耦合器；
第四光波导，所述第四光波导联接到所述第一光栅耦合器；
第五光波导，所述第五光波导联接到所述第二光栅耦合器；以及
第六光波导，所述第六光波导联接到所述第三光栅耦合器，
其中，所述焊盘形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，
所述第一光栅耦合器至所述第三光栅耦合器形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中，并且
所述第一光波导至所述第六光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。


7.根据权利要求6所述的光器件，其中，
所述第一光栅耦合器至所述第三光栅耦合器在直线上以等间隔布置。


8.根据权利要求6所述的光器件，其中，
所述第一光栅耦合器至所述第三光栅耦合器的衍射辐射方向彼此相同。


9.一种光IC芯片，该光IC芯片具有包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域以及与所述第一区域相邻的第三区域的矩形形状或平行四边形形状，该光IC芯片包括：
光器件电路，所述光器件电路被形成在所述第一区域中；
焊盘，所述焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山昌树，
申请(专利权)人：富士通光器件株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP