一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，控制电路包括：控制芯片、驱动器、倍压整流电路、电容C1、电容C3、耦合电感L2和电阻R1；该电路基于BUCK拓扑，在常规二极管续流的BUCK电路中，开关管驱动信号需要单独的驱动器进行驱动，且该驱动器供电为与控制芯片不共地的辅助源单独供电，本发明专利技术无需单独供电，省去了单独的辅助源电路，可使整个电路进一步简化。

An input surge suppression control circuit based on digital chip control

【技术实现步骤摘要】
一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路
本专利技术涉及电力设备
，具体地，涉及一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路。
技术介绍
目前的BUCK降压电路中，高端功率管驱动电路有两种模式，一种为自举电路进行自行供电，该供电方式受占空比限制，无法实现低压差的降压控制，作为浪涌抑制电路时，其无法实现功率管输入输出达到直通；另一种则为外部单独供电方式，该方式需对高端驱动电路单独提供与控制芯片完全隔离的辅助源供电，虽可实现高端功率管直通，但辅助源电路会占用较大PCB空间。
技术实现思路
本专利技术目的是提供了一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，本专利技术无需单独供电，省去了单独的辅助源电路，可使整个电路进一步简化。为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，所述控制电路包括：控制芯片、驱动器、倍压整流电路、电容C1、电容C3、耦合电感L2和电阻R1；控制芯片输出PWM1信号至驱动器的HI端，控制芯片输出PWM2信号至驱动器的LI端，电阻R1一端与VCC端连接，电阻R1另一端与驱动器的VDD端和电容C1的一端连接，驱动器的HO端与三级管Q1的基极连接，三级管Q1的集电极与输入端连接，三级管Q1的发射极与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与输出端连接，驱动器的HB端与倍压整流电路连接，驱动器的HS端与电感L1的一端连接，驱动器的LO端与耦合电感L2初级绕组的一端连接，耦合电感L2初级绕组的另一端与电容C3的一端连接，耦合电感L2次级绕组的一端与倍压整流电路连接，耦合电感L2次级绕组的一端与电感L1的一端连接，电容C1的另一端、驱动器的VSS端和电容C3的另一端均接地。其中，本专利技术中的控制电路基于BUCK拓扑，其包括MCU、驱动器、二极管、耦合电感组成。在常规二极管续流的BUCK电路中，开关管驱动信号需要单独的驱动器进行驱动，且该驱动器供电为与控制芯片不共地的辅助源单独供电，本专利技术无需单独供电，省去了单独的辅助源电路，可使整个电路进一步简化。优选的，倍压整流电路包括：二极管D1、二极管D2、电容C2和电容C4，二极管D1的负极和电容C4的一端均与驱动器的HB端连接，二极管D1的正极和电容C2的一端均与二极管D2的负极连接，电容C2的另一端与耦合电感L2次级绕组的一端连接，电容C4的另一端与二极管D2的正极、耦合电感L2次级绕组的另一端、驱动器的HS端和电感L1的一端均连接。优选的，所述控制电路还包括二级管D3，二级管D3的正极接地，二级管D3的负极与电容C4的另一端、二级管D2的正极、驱动器的HS端、耦合电感L2次级绕组的另一端和电感L1的一端均连接，二级管D3的负极的正极接地。优选的，所述控制电路还包括电容C5，电容C5的一端与电感L1的另一端连接，电容C5的另一端接地。优选的，控制芯片发出两组独立的PWM信号传输给驱动器，其中，PWM2始终为一固定占空比，PWM1占空比由0％逐步增加到100％；PWM2经驱动器实现电平转换并增加驱动能力后由驱动器LO输出，当驱动电压施加在耦合电感L2初级绕组两端后，耦合电感L2将驱动电压耦合到次级绕组两端输出，在耦合电感L2输出端经倍压整流电路倍压整流滤波后，实现高端驱动独立供电，驱动器HO端实现与PWM1相同占空比的驱动信号。优选的，控制芯片为数字电源芯片。本专利技术提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本专利技术无需单独供电，省去了单独的辅助源电路，可使整个电路进一步简化。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定；图1是本专利技术中基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路的组成示意图。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在相互不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述范围内的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。本领域技术人员应理解的是，在本专利技术的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本专利技术的限制。可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。请参考图1，本专利技术实施例提供了一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，所述控制电路包括：控制芯片、驱动器、倍压整流电路、电容C1、电容C3、耦合电感L2和电阻R1；控制芯片输出PWM1信号至驱动器的HI端，控制芯片输出PWM2信号至驱动器的LI端，电阻R1一端与VCC端连接，电阻R1另一端与驱动器的VDD端和电容C1的一端连接，驱动器的HO端与三级管Q1的基极连接，三级管Q1的集电极与输入端连接，三级管Q1的发射极与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与输出端连接，驱动器的HB端与倍压整流电路连接，驱动器的HS端与电感L1的一端连接，驱动器的LO端与耦合电感L2初级绕组的一端连接，耦合电感L2初级绕组的另一端与电容C3的一端连接，耦合电感L2次级绕组的一端与倍压整流电路连接，耦合电感L2次级绕组的一端与电感L1的一端连接，电容C1的另一端、驱动器的VSS端和电容C3的另一端均接地。其中，在本专利技术实施例中，倍压整流电路包括：二极管D1、二极管D2、电容C2和电容C4，二极管D1的负极和电容C4的一端均与驱动器的HB端连接，二极管D1的正极和电容C2的一端均与二极管D2的负极连接，电容C2的另一端与耦合电感L2次级绕组的一端连接，电容C4的另一端与二极管D2的正极、耦合电感L2次级绕组的另一端、驱动器的HS端和电感L1的一端均连接。其中，在本专利技术实施例中，所述控制电路还包括二级管D3，二级管D3的正极接地，二级管D3的负极与电容C4的另一端、二级管D2的正极、驱动器的HS端、耦合电感L2次级绕组的另一端和电感L1的一端均连接，二级管D3的负极的正极接地。其中，在本专利技术实施例中，所述控制电路还包括电容C5，电容C5的一端与电感L1的另一端连接，电容C5的另一端接地。其中，控制芯片的型号为UCD3138ARJAT或相同功能的系列芯片，驱动器的型号为UCC27211ADRM或相同功能的芯片。该电路基于BUCK拓扑，其包括MCU、驱动器、二极管、耦合电感组成。本专利技术包含一种基于数字芯片控制的输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：/n控制芯片、驱动器、倍压整流电路、电容C1、电容C3、耦合电感L2和电阻R1；/n控制芯片输出PWM1信号至驱动器的HI端，控制芯片输出PWM2信号至驱动器的LI端，电阻R1一端与VCC端连接，电阻R1另一端与驱动器的VDD端和电容C1的一端连接，驱动器的HO端与三级管Q1的基极连接，三级管Q1的集电极与输入端连接，三级管Q1的发射极与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与输出端连接，驱动器的HB端与倍压整流电路连接，驱动器的HS端与电感L1的一端连接，驱动器的LO端与耦合电感L2初级绕组的一端连接，耦合电感L2初级绕组的另一端与电容C3的一端连接，耦合电感L2次级绕组的一端与倍压整流电路连接，耦合电感L2次级绕组的一端与电感L1的一端连接，电容C1的另一端、驱动器的VSS端和电容C3的另一端均接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：
控制芯片、驱动器、倍压整流电路、电容C1、电容C3、耦合电感L2和电阻R1；
控制芯片输出PWM1信号至驱动器的HI端，控制芯片输出PWM2信号至驱动器的LI端，电阻R1一端与VCC端连接，电阻R1另一端与驱动器的VDD端和电容C1的一端连接，驱动器的HO端与三级管Q1的基极连接，三级管Q1的集电极与输入端连接，三级管Q1的发射极与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与输出端连接，驱动器的HB端与倍压整流电路连接，驱动器的HS端与电感L1的一端连接，驱动器的LO端与耦合电感L2初级绕组的一端连接，耦合电感L2初级绕组的另一端与电容C3的一端连接，耦合电感L2次级绕组的一端与倍压整流电路连接，耦合电感L2次级绕组的一端与电感L1的一端连接，电容C1的另一端、驱动器的VSS端和电容C3的另一端均接地。


2.根据权利要求1所述的基于数字芯片控制的输入浪涌抑制控制电路，其特征在于，倍压整流电路包括：二极管D1、二极管D2、电容C2和电容C4，二极管D1的负极和电容C4的一端均与驱动器的HB端连接，二极管D1的正极和电容C2的一端均与二极管D2的负极连接，电容C2的另一端与耦合电感L2次级绕组的一端连接，电容C4的另一端与二极管D2的正极、耦合电...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦宗超，
申请(专利权)人：四川富肯斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51