一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件制造技术

本发明专利技术涉及一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。本发明专利技术提供的技术方案采用新型的IGBT半桥器件封装方式，与传统的IGBT半桥模块相比减少了缓冲电路额外造成的寄生电感，有效减少换流回路电压过冲。

A compression type IGBT half bridge device with integrated absorption capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件
本专利技术属于功率半导体领域，具体涉及一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件。
技术介绍
20世纪80年代以来，随着电力电子技术的飞速发展，各种电力电子装置在工业中的应用越来越广泛。随着需求的增加，电力电子装置趋于大容量、高功率密度，开关器件的电压、电流等级也随之增大。以现在广泛使用的开关器件绝缘门极双极性晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)为例，1700～6500V，2000～3600A的大功率IGBT模块已得到广泛的使用，压接型封装的IGBT器件凭借其容量大、结构紧凑、双面散热、失效短路模式等优点，已成为一种适用于电力系统高压大功率电力电子器件。IGBT开关速度较快，开通及关断时间达到微秒级别。然而由于线路杂散电感的存在，IGBT在开关过程中将产生很高的电流上升速率，过高的电流上升速率将会导致在开关过程中产生很高的电压尖峰，该电压尖峰有可能损坏开关器件，同时增加开关损耗和电磁干扰噪声。为了抑制开关管的电压尖峰，需要尽可能的减小线路杂散电感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；/n所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；/n所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；
所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；
所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。


2.如权利要求1所述的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述第一IGBT单元为单个IGBT模块或多个IGBT模块并联组成的IGBT模块组；
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈中圆，张西子，孙帅，李翠，陈艳芳，李金元，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11