一种高容硅量磷酸基蚀刻液及其配制方法技术

本发明专利技术涉及一种高容硅量磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种高容硅量磷酸基蚀刻液，其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑1.5%的有机硅化合物、0.005‑2%的有机硅稳定剂、0.005‑2%的表面活性剂、0.005‑3%的Si增容剂，余量为水。本发明专利技术通过使用新型的添加剂与稳定剂的成分及类型。明显降低了蚀刻液对SiO

A high silicon content phosphoric acid etching solution and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种高容硅量磷酸基蚀刻液及其配制方法
本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种高容硅量磷酸基蚀刻液及其配制方法。
技术介绍
随着全球的数据量的剧增，平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，各大存储器厂商都向着更高存储容量的3DNAND发展，3DNAND技术相较于平面结构的NAND储存容量成倍增加。平面结构的NAND制造工艺中，Si3N4层覆盖在SiO2层之上，蚀刻时磷酸先接触Si3N4，Si3N4层被完全蚀刻后SiO2层才会与磷酸接触，且磷酸对SiO2的蚀刻速率很慢。所以只要控制好蚀刻时间，磷酸对SiO2层的影响可以忽略。但在3DNAND工艺中Si3N4层与SiO2层是交替层叠结构，磷酸从侧面蚀刻Si3N4，Si3N4层与SiO2层同时接触磷酸，普通磷酸在蚀刻Si3N4层的同时也会对SiO2层有所蚀刻。所以需要蚀刻液对Si3N4层具有高选择性，蚀刻Si3N4层的同时几乎不蚀刻SiO2层；为了追求更高的单位储存容量，3DNAND需要垂直堆叠更多层数据存储单元，从目前的96层向192层进行技术拓展，随着3DNAND层数的增加，在蚀刻过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高容硅量磷酸基蚀刻液，其特征在于，蚀刻液为电子级产品，并且高容硅量磷酸基蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量50-88%的磷酸、0.005-1.5%的有机硅化合物、0.005-2%的有机硅稳定剂、0.005-2%的表面活性剂、0.005-3%的Si增容剂，余量为水。/n

【技术特征摘要】
1.一种高容硅量磷酸基蚀刻液，其特征在于，蚀刻液为电子级产品，并且高容硅量磷酸基蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量50-88%的磷酸、0.005-1.5%的有机硅化合物、0.005-2%的有机硅稳定剂、0.005-2%的表面活性剂、0.005-3%的Si增容剂，余量为水。


2.根据权利要求1所述的高容硅量磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述磷酸为电子级磷酸，浓度≥85%、金属离子含量≤20ppb。


3.根据权利要求2所述的高容硅量磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述有机硅化合物包括甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、正硅酸四乙酯、四甲基硅烷、十甲基环五硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷分子量小于1000的小分子有机硅中的一种或几种的混合物。


4.根据权利要求3所述的高容硅量磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述有机硅稳定剂包括甲醇、乙醇、异丙醇、丁二醇有机醇类化合物，优选乙醇。


5.根据权利要求4所述的高容硅量磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂包括硬脂酸、三乙醇胺、亚乙基亚胺、十六烷基溴化吡啶、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、正辛胺、溴化二甲基苄基十二烷基铵、卵磷脂、脂肪酸山梨坦、聚山梨酯中的一种或几种的混合物。

【专利技术属性】
技术研发人员：李少平，郝晓斌，冯凯，贺兆波，张庭，王书萍，尹印，万杨阳，张演哲，蔡步林，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42