三相供电异常检测保护电路制造技术

技术编号:23424936 阅读:30 留言:0更新日期:2020-02-23 00:59
本实用新型专利技术提供三相供电异常检测保护电路,包括输入整流电路以及检测电路,所述输入整流电路包括端子TP,所述端子TP第一支路通过电阻R1以及保险丝F1与三相电源的A相连接,所述端子TP第二支路通过电阻R2以及保险丝F2与三相电源的B相连接,所述端子TP第三支路通过电阻R3以及保险丝F3与三相电源的C相连接,所述三相电源的A相通过导线接二极管D1的阳极,所述三相电源的B相通过导线接二极管D3的阳极,所述三相电源的C相通过导线接二极管D5的阳极,所述二极管D2的阴极接二极管D1的阳极,所述二极管D4的阴极接二极管D3的阳极,所述二极管D6的阴极接二极管D5的阳极,该设计实现了输入过压、欠压以及缺相异常报警的功能。

Three phase power supply abnormal detection and protection circuit

【技术实现步骤摘要】
三相供电异常检测保护电路
本技术是三相供电异常检测保护电路,属于三相电源检测

技术介绍
大功率开关电源的输入需要采用三相交流供电,市电异常会导致电源输入端功率器件因过压或过流而损坏,使用人员在接线时偶尔也会出现接线不良,导致三相电缺相,造成整流桥因过流而热损坏,现有的三相供电异常检测保护电路结构复杂,造价较高,且功能较为单一,不能全方位的对三相供电电路进行保护。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术目的是提供三相供电异常检测保护电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题,本技术简单可靠,实现了输入过压、欠压以及缺相异常报警的功能,可以有效保护开关电源的初级侧不受市电波动异常影响而损坏。为了实现上述目的,本技术是通过如下的技术方案来实现:三相供电异常检测保护电路,包括输入整流电路以及检测电路,所述输入整流电路包括端子TP,所述端子TP第一支路通过电阻R1以及保险丝F1与三相电源的A相连接,所述端子TP第二支路通过电阻R2以及保险丝F2与三相电源的B相连接,所述端子TP第三支路通过电阻R3以及保险丝F3与三相电源的C相连接,所述三相电源的A相通过导线接二极管D1的阳极,所述三相电源的B相通过导线接二极管D3的阳极,所述三相电源的C相通过导线接二极管D5的阳极,所述二极管D2的阴极接二极管D1的阳极,所述二极管D4的阴极接二极管D3的阳极,所述二极管D6的阴极接二极管D5的阳极,所述二极管D1、二极管D3以及二极管D5的阴极之间通过导线相连接并引出端子电源+DC,所述二极管D2、二极管D4以及二极管D6的阳极之间通过导线相连接并接地,所述电解电容C1的正极接电源端子+DC,所述电解电容C2与电解电容C1之间串联连接,所述电解电容C2的负极接地,所述电解电容C2的正极通过电阻R5接稳压管D7的阴极并引出电源端子+VCC,所述稳压管D7的阳极接地,所述电解电容C2的正极通过电阻R6接稳压管D8的阴极并引出端子+Vref,所述稳压管D8的阳极接地,所述电阻R4与电解电容C1之间并联连接,所述检测电路包括比较器芯片U1,所述比较器芯片U1的同相输入端第一支路通过电容C1接地,第二支路通过电阻R1接端子Vmax,所述比较器芯片U1的反相输入端第一支路通过电容C2接地,第二支路通过电阻R2接端子Vref,所述比较器芯片U1的输出端第一支路通过电阻R3接比较器芯片U1的同相输入端,第二支路通过电阻R4接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的发射极接地,所述三极管Q1的集电极通过电阻R5接电源端子+VCC,所述比较器芯片U2的同相输入端第一支路通过电容C4接地,第二支路通过电阻R6接端子Vref,所述比较器芯片U2的反相输入端第一支路通过电容C5接地,第二支路通过电阻R7接端子Vmin,所述比较器芯片U2的输出端第一支路通过电阻R8接比较器芯片U2的同相输入端,第二支路通过电阻R9接三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极接地,所述比较器芯片U4的同相输入端第一支路通过电容C11接地,第二支路通过电阻R16接电源端子+VCC,第三支路通过导线接三极管Q4的集电极,所述三极管Q4的发射极第一支路通过电阻R17接地,第二支路通过电阻R18接端子TP,所述三极管Q4的发射极接地,所述比较器芯片U4的反相输入端通过电阻R15接端子Vref,所述比较器芯片U4的输出端通过二极管D1以及电阻R13接比较器芯片U3的反相输入端,所述电阻R14与二极管D1之间并联连接,所述比较器芯片U3的同相输入端第一支路通过电容C7接地,第二支路通过电阻R10接端子Vref,所述比较器芯片U3的输出端第一支路通过电阻R11接比较器芯片U3的同相输入端,第二支路通过电阻R12接三极管Q3的基极,所述三极管Q3的发射极接地,所述三极管Q1、三极管Q2以及三极管Q3的发射极之间通过导线相连接并引出端子ERR,所述电源端子+DC通过电阻R19、电阻R20以及电阻R21接地,所述端子Vmax由电阻R19与电阻R20之间的连接节点引出,所述端子Vmin由电阻R20与电阻R21之间的连接节点引出。进一步地,所述比较器芯片U1、比较器芯片U2、比较器芯片U3以及比较器芯片U4的芯片型号均为LM239。本技术的有益效果:本技术的三相供电异常检测保护电路,本技术通过添加比较器芯片U1、比较器芯片U2、比较器芯片U3、比较器芯片U4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、稳压管D7、稳压管D8、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电解电容C1、点解电容C2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电阻R14,该设计实现了输入过压、欠压以及缺相异常报警的功能,解决了现有的三相供电异常检测保护电路结构复杂,造价较高,且功能较为单一,不能全方位的对三相供电电路进行保护的问题。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1为本技术三相供电异常检测保护电路中输入整流电路的电路原理图;图2为本技术三相供电异常检测保护电路中检测电路的电路原理图;具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本技术。请参阅图1和图2,本技术提供一种技术方案:三相供电异常检测保护电路,包括输入整流电路以及检测电路,输入整流电路包括端子TP,端子TP第一支路通过电阻R1以及保险丝F1与三相电源的A相连接,端子TP第二支路通过电阻R2以及保险丝F2与三相电源的B相连接,端子TP第三支路通过电阻R3以及保险丝F3与三相电源的C相连接,三相电源的A相通过导线接二极管D1的阳极,三相电源的B相通过导线接二极管D3的阳极,三相电源的C相通过导线接二极管D5的阳极,二极管D2的阴极接二极管D1的阳极,二极管D4的阴极接二极管D3的阳极,二极管D6的阴极接二极管D5的阳极,二极管D1、二极管D3以及二极管D5的阴极之间通过导线相连接并引出端子电源+DC,二极管D2、二极管D4以及二极管D6的阳极之间通过导线相连接并接地,电解电容C1的正极接电源端子+DC,电解电容C2与电解电容C1之间串联连接,电解电容C2的负极接地,电解电容C2的正极通过电阻R5接稳压管D7的阴极并引出电源端子+VCC,稳压管D7的阳极接地,电解电容C2的正极通过电阻R6接稳压管D8的阴极并引出端子+Vref,稳压管D8的阳极接地,电阻R4与电解电容C1之间并联连接。检测电路包括比较器芯片U1,比较器芯片U1的同相输入端第一支路通过电容C1接地,第二支路通过电阻R1接端子Vmax,比较器芯片U1的反相输入端第一支路通过电容C2接地,第二支路通过电阻R2接端子Vref,比较器芯片U1的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.三相供电异常检测保护电路,包括输入整流电路以及检测电路,其特征在于:所述输入整流电路包括端子TP,所述端子TP第一支路通过电阻R1以及保险丝F1与三相电源的A相连接,所述端子TP第二支路通过电阻R2以及保险丝F2与三相电源的B相连接,所述端子TP第三支路通过电阻R3以及保险丝F3与三相电源的C相连接,所述三相电源的A相通过导线接二极管D1的阳极,所述三相电源的B相通过导线接二极管D3的阳极,所述三相电源的C相通过导线接二极管D5的阳极,所述二极管D2的阴极接二极管D1的阳极,所述二极管D4的阴极接二极管D3的阳极,所述二极管D6的阴极接二极管D5的阳极,所述二极管D1、二极管D3以及二极管D5的阴极之间通过导线相连接并引出端子电源+DC,所述二极管D2、二极管D4以及二极管D6的阳极之间通过导线相连接并接地,电解电容C1的正极接电源端子+DC,所述电解电容C2与电解电容C1之间串联连接,所述电解电容C2的负极接地,所述电解电容C2的正极通过电阻R5接稳压管D7的阴极并引出电源端子+VCC,所述稳压管D7的阳极接地,所述电解电容C2的正极通过电阻R6接稳压管D8的阴极并引出端子+Vref,所述稳压管D8的阳极接地,所述电阻R4与电解电容C1之间并联连接;/n所述检测电路包括比较器芯片U1,所述比较器芯片U1的同相输入端第一支路通过电容C1接地,第二支路通过电阻R1接端子Vmax,所述比较器芯片U1的反相输入端第一支路通过电容C2接地,第二支路通过电阻R2接端子Vref,所述比较器芯片U1的输出端第一支路通过电阻R3接比较器芯片U1的同相输入端,第二支路通过电阻R4接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的发射极接地,所述三极管Q1的集电极通过电阻R5接电源端子+VCC,所述比较器芯片U2的同相输入端第一支路通过电容C4接地,第二支路通过电阻R6接端子Vref,所述比较器芯片U2的反相输入端第一支路通过电容C5接地,第二支路通过电阻R7接端子Vmin,所述比较器芯片U2的输出端第一支路通过电阻R8接比较器芯片U2的同相输入端,第二支路通过电阻R9接三极管Q2 的基极,所述三极管Q2的发射极接地,所述比较器芯片U4的同相输入端第一支路通过电容C11接地,第二支路通过电阻R16接电源端子+VCC,第三支路通过导线接三极管Q4的集电极,所述三极管Q4的发射极第一支路通过电阻R17接地,第二支路通过电阻R18接端子TP,所述三极管Q4的发射极接地,所述比较器芯片U4的反相输入端通过电阻R15接端子Vref,所述比较器芯片U4的输出端通过二极管D1以及电阻R13接比较器芯片U3的反相输入端,所述电阻R14与二极管D1之间并联连接,所述比较器芯片U3的同相输入端第一支路通过电容C7接地,第二支路通过电阻R10接端子Vref,所述比较器芯片U3的输出端第一支路通过电阻R11接比较器芯片U3的同相输入端,第二支路通过电阻R12接三极管Q3的基极,所述三极管Q3的发射极接地,所述三极管Q1、三极管Q2以及三极管Q3的发射极之间通过导线相连接并引出端子ERR,所述电源端子+DC通过电阻R19、电阻R20以及电阻R21接地,所述端子Vmax由电阻R19与电阻R20之间的连接节点引出,所述端子Vmin由电阻R20与电阻R21之间的连接节点引出。/n...

【技术特征摘要】
1.三相供电异常检测保护电路,包括输入整流电路以及检测电路,其特征在于:所述输入整流电路包括端子TP,所述端子TP第一支路通过电阻R1以及保险丝F1与三相电源的A相连接,所述端子TP第二支路通过电阻R2以及保险丝F2与三相电源的B相连接,所述端子TP第三支路通过电阻R3以及保险丝F3与三相电源的C相连接,所述三相电源的A相通过导线接二极管D1的阳极,所述三相电源的B相通过导线接二极管D3的阳极,所述三相电源的C相通过导线接二极管D5的阳极,所述二极管D2的阴极接二极管D1的阳极,所述二极管D4的阴极接二极管D3的阳极,所述二极管D6的阴极接二极管D5的阳极,所述二极管D1、二极管D3以及二极管D5的阴极之间通过导线相连接并引出端子电源+DC,所述二极管D2、二极管D4以及二极管D6的阳极之间通过导线相连接并接地,电解电容C1的正极接电源端子+DC,所述电解电容C2与电解电容C1之间串联连接,所述电解电容C2的负极接地,所述电解电容C2的正极通过电阻R5接稳压管D7的阴极并引出电源端子+VCC,所述稳压管D7的阳极接地,所述电解电容C2的正极通过电阻R6接稳压管D8的阴极并引出端子+Vref,所述稳压管D8的阳极接地,所述电阻R4与电解电容C1之间并联连接;
所述检测电路包括比较器芯片U1,所述比较器芯片U1的同相输入端第一支路通过电容C1接地,第二支路通过电阻R1接端子Vmax,所述比较器芯片U1的反相输入端第一支路通过电容C2接地,第二支路通过电阻R2接端子Vref,所述比较器芯片U1的输出端第一支路通过电阻R3接比较器芯片U1的同相输入端,第二支路通过电阻R4接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的发射极接地,所述三极管Q1的集电极通过电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员:李玺杨岐龙
申请(专利权)人:青岛贝斯克电子有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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