本发明专利技术提供一种随载可变PWM控制器，包括频率信号产生电路以及主控制电路，所述频率信号产生电路包括移位寄存器芯片U2，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚与2号引脚之间通过导线相连接，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚第一支路通过导线接反相器芯片U4A的输出端，第二支路通过导线接与非门芯片U1C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的9号引脚通过导线接反相器芯片U4C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的8号引脚通过导线接与非门芯片U1A的输出端，与现有技术相比，本发明专利技术具有如下的有益效果：该设计实现了占空比控制和移相控制的无缝切换的功能，提高了开关频率轻载情况下的满量程输出，降低了假负载应力。
【技术实现步骤摘要】
一种随载可变PWM控制器
本专利技术是一种随载可变PWM控制器，属于开关电源设备领域。
技术介绍
开关电源广泛应用于现代工业和国防等领域，随着现代科技的发展，对电源的功率等级、电压等级、效率以及体积与重量等要求不断提高，提高开关频率是减小功率变换器体积、重量，提高变换器功率密度的有效途径，大功率AC/DC变换器，一般采用相移控制的全桥拓扑技术，该方法可获得较高的dv/dt值，并且为功率级的所有初级侧半导体提供零电压开关，传统控制方式主要采用集成式移相控制芯片，比如UC38XX系列PWM控制IC，该方案的主要优点是简化设计步骤，节省调试时间，现有的控制方式移相角度并不能调节到接近零，在开关频率提高的情况下会导致电源空载小电压输出不受控，有定值输出，无法满足测试电源的输出要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供一种随载可变PWM控制器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种随载可变PWM控制器，包括频率信号产生电路以及主控制电路，所述频率信号产生电路包括移位寄存器芯片U2，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚与2号引脚之间通过导线相连接，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚第一支路通过导线接反相器芯片U4A的输出端，第二支路通过导线接与非门芯片U1C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的9号引脚通过导线接反相器芯片U4C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的8号引脚通过导线接与非门芯片U1A的输出端，所述与非门芯片U1A的一个输入端通过电阻R2接电源端子VCC，另一个输入端通过电阻R1接与非门芯片U1A的输出端，所述晶振Y1与电阻R1之间并联连接，所述晶振Y1的一端通过电容C1接地，另一端通过电容C2接地，所述与非门芯片U1B的一个输入端通过电阻R3接地，另一个输入端通过导线接反相器芯片U4C的输出端，所述与非门芯片U1B的输出端通过导线接与非门芯片U1C的一个输入端，所述与非门芯片U1C的输出端通过导线接D触发器U5的输入端，所述D触发器U5的输出端引出端子QDA，所述移位寄存器芯片U3的1号引脚通过导线接反相器芯片U4B的输出端，所述反相器芯片U4B的输入端第一支路通过导线接移位寄存器芯片U3的5号引脚，第二支路通过导线接D触发器U5的控制端，所述移位寄存器芯片U3的2号引脚通过导线接移位寄存器芯片U3的1号引脚，所述移位寄存器芯片U3的3号引脚通过导线接D触发器U6的控制端，所述移位寄存器芯片U3的4号引脚通过导线接反相器芯片U4D的输入端，所述反相器芯片U4D输出端通过导线接D触发器U7的输入端，所述移位寄存器芯片U3的8号引脚通过导线接D触发器芯片U6和U7的输入端，所述D触发器U6的输出端引出端子QDB，所述D触发器U7的输出端引出端子QDC，所述主控制电路包括EPLD芯片U8，所述EPLD芯片U8的5号引脚通过电阻R81接反相器芯片U16F的输入端，所述反相器芯片U16F的输入端通过电容C49接地，所述反相器芯片U16F的输出端通过电阻R72接反相器芯片U16E的输入端，所述反相器芯片U16E的输入端通过电容C41接地，所述反相器芯片U16E的输出端通过导线接EPLD芯片U8的11号引脚，所述EPLD芯片U8的7号引脚通过导线接D触发器芯片U13的输出端，所述比较器芯片U12D的同相端引出端子IH，所述比较器芯片U12D的反相端引出端子SAWTOOTH，所述比较器芯片U12D的输出端接D触发器芯片U13的输入端，所述EPLD芯片U8的12号引脚通过导线接比较器芯片U10D的输出端，所述比较器芯片U10D的同相输入端第一支路通过电阻R26接地，第二支路通过电阻R21接电源端子VCC，所述电容C15与电阻R26之间并联连接，所述比较器芯片U10D的反相输入端第一支路通过导线接电阻R17并由电阻R17的另一端引出端子VB，第二支路通过导线接二极管D5的阴极，所述二极管D5的阳极接地，所述二极管D5的阴极第一支路通过电阻R16以及二极管D2接端子VB，第二支路通过导线接电阻R14并由电阻R14的另一端引出端子I_GD，所述比较器芯片U10D的输出端通过电阻R30接比较器芯片U10D的反相输入端，所述电容C16与电阻R30之间并联连接。进一步地，所述EPLD芯片U8的20号引脚通过电阻R153接驱动电路，所述驱动电路包括三极管Q15，所述三极管Q15的集电极通过导线分别与驱动芯片U25的2号引脚以及4号引脚相连接，所述三极管Q15的发射极接地，所述三极管Q15的基极第一支路通过电阻R146接MOS管Q11的漏极，第二支路通过导线接三极管Q12的发射极，所述MOS管Q11的漏极通过电阻R145接电源端子VCC，所述MOS管Q11的源极接地，所述MOS管Q11的栅极引出端子DR_STOP，所述驱动芯片U25的5号引脚通过导线接二极管D45的阴极，所述驱动芯片U25的8号引脚通过导线接二极管D44的阳极，所述二极管D44的阴极接电源端子VC，所述二极管D45的阳极接地，所述二极管D44的阳极引出端子OUT4。进一步地，所述驱动电路设置有四个，四个所述驱动电路分别与EPLD芯片U8的20号引脚、21号引脚、22号引脚以及23号引脚相连接，从而实现了驱动EPLD控制信号的功能。进一步地，所述比较器芯片U10、比较器芯片U12的芯片型号为LM239，所述D触发器芯片U5、D触发器芯片U6、D触发器芯片U7、D触发器芯片U13的芯片型号均为74LS74，所述与非门芯片U1的芯片型号为74LS00，所述EPLD芯片型号为ATF22V10CQ。本专利技术的有益效果：本专利技术的一种随载可变PWM控制器，本专利技术通过添加频率信号产生电路以及主控制电路，实现了占空比控制和移相控制的无缝切换的功能，提高了开关频率轻载情况下的满量程输出，降低了假负载应力，解决了现有的控制方式移相角度并不能调节到接近零，在开关频率提高的情况下会导致电源空载小电压输出不受控，有定值输出，无法满足测试电源的输出要求的问题。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术一种随载可变PWM控制器的主控制电路的电路原理图；图2为本专利技术一种随载可变PWM控制器中频率信号产生电路的电路原理图；图3为本专利技术一种随载可变PWM控制器中的电路原理框图；具体实施方式为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。请参阅图1至图3，本专利技术提供一种技术方案：一种随载可变PWM控制器，包括频率信号产生电路以及主控制电路，频率信号产生电路包括移位寄存器芯片U2，移位寄存器芯片U2的1号引脚与2号引脚之间通过导线相连接，移位寄存器芯片U2的1号引脚第一支路通过导线接反相器芯片U4A的输出端，第二支路通过导线接与非门芯片U1C的输入端，移位寄存器芯片U2的9号引脚通过导线接反相器芯片U4C的输入端，移位寄存器芯片U2的8号引脚通过导线接与非门芯片U1A的输出端，与非门芯片U1A的一个输入端通过电阻R2接电源端子VCC，另一个输入端通过电阻R1接与非门芯片U1A的输出端，晶振Y1与电阻R1之间并联连接，晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种随载可变PWM控制器，包括频率信号产生电路以及主控制电路，其特征在于：所述频率信号产生电路包括移位寄存器芯片U2，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚与2号引脚之间通过导线相连接，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚第一支路通过导线接反相器芯片U4A的输出端，第二支路通过导线接与非门芯片U1C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的9号引脚通过导线接反相器芯片U4C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的8号引脚通过导线接与非门芯片U1A的输出端，所述与非门芯片U1A的一个输入端通过电阻R2接电源端子VCC，另一个输入端通过电阻R1接与非门芯片U1A的输出端，所述晶振Y1与电阻R1之间并联连接，所述晶振Y1的一端通过电容C1接地，另一端通过电容C2接地，所述与非门芯片U1B的一个输入端通过电阻R3接地，另一个输入端通过导线接反相器芯片U4C的输出端，所述与非门芯片U1B的输出端通过导线接与非门芯片U1C的一个输入端，所述与非门芯片U1C的输出端通过导线接D触发器U5的输入端，所述D触发器U5的输出端引出端子QDA，所述移位寄存器芯片U3的1号引脚通过导线接反相器芯片U4B的输出端，所述反相器芯片U4B的输入端第一支路通过导线接移位寄存器芯片U3的5号引脚，第二支路通过导线接D触发器U5的控制端，所述移位寄存器芯片U3的2号引脚通过导线接移位寄存器芯片U3的1号引脚，所述移位寄存器芯片U3的3号引脚通过导线接D触发器U6的控制端，所述移位寄存器芯片U3的4号引脚通过导线接反相器芯片U4D的输入端，所述反相器芯片U4D输出端通过导线接D触发器U7的输入端，所述移位寄存器芯片U3的8号引脚通过导线接D触发器芯片U6和U7的输入端，所述D触发器U6的输出端引出端子QDB，所述D触发器U7的输出端引出端子QDC；所述主控制电路包括EPLD芯片U8，所述EPLD芯片U8的5号引脚通过电阻R81接反相器芯片U16F的输入端，所述反相器芯片U16F的输入端通过电容C49接地，所述反相器芯片U16F的输出端通过电阻R72接反相器芯片U16E的输入端，所述反相器芯片U16E的输入端通过电容C41接地，所述反相器芯片U16E的输出端通过导线接EPLD芯片U8的11号引脚，所述EPLD芯片U8的7号引脚通过导线接D触发器芯片U13的输出端，所述比较器芯片U12D的同相端引出端子IH，所述比较器芯片U12D的反相端引出端子SAWTOOTH，所述比较器芯片U12D的输出端接D触发器芯片U13的输入端，所述EPLD芯片U8的12号引脚通过导线接比较器芯片U10D的输出端，所述比较器芯片U10D的同相输入端第一支路通过电阻R26接地，第二支路通过电阻R21接电源端子VCC，所述电容C15与电阻R26之间并联连接，所述比较器芯片U10D的反相输入端第一支路通过导线接电阻R17并由电阻R17的另一端引出端子VB，第二支路通过导线接二极管D5的阴极，所述二极管D5的阳极接地，所述二极管D5的阴极第一支路通过电阻R16以及二极管D2接端子VB，第二支路通过导线接电阻R14并由电阻R14的另一端引出端子I_GD，所述二极管D5的阴极第二支路通过电阻R15以及二极管D1接端子I_GD，所述比较器芯片U10D的输出端通过电阻R30接比较器芯片U10D的反相输入端，所述电容C16与电阻R30之间并联连接。...
【技术特征摘要】
1.一种随载可变PWM控制器，包括频率信号产生电路以及主控制电路，其特征在于：所述频率信号产生电路包括移位寄存器芯片U2，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚与2号引脚之间通过导线相连接，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚第一支路通过导线接反相器芯片U4A的输出端，第二支路通过导线接与非门芯片U1C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的9号引脚通过导线接反相器芯片U4C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的8号引脚通过导线接与非门芯片U1A的输出端，所述与非门芯片U1A的一个输入端通过电阻R2接电源端子VCC，另一个输入端通过电阻R1接与非门芯片U1A的输出端，所述晶振Y1与电阻R1之间并联连接，所述晶振Y1的一端通过电容C1接地，另一端通过电容C2接地，所述与非门芯片U1B的一个输入端通过电阻R3接地，另一个输入端通过导线接反相器芯片U4C的输出端，所述与非门芯片U1B的输出端通过导线接与非门芯片U1C的一个输入端，所述与非门芯片U1C的输出端通过导线接D触发器U5的输入端，所述D触发器U5的输出端引出端子QDA，所述移位寄存器芯片U3的1号引脚通过导线接反相器芯片U4B的输出端，所述反相器芯片U4B的输入端第一支路通过导线接移位寄存器芯片U3的5号引脚，第二支路通过导线接D触发器U5的控制端，所述移位寄存器芯片U3的2号引脚通过导线接移位寄存器芯片U3的1号引脚，所述移位寄存器芯片U3的3号引脚通过导线接D触发器U6的控制端，所述移位寄存器芯片U3的4号引脚通过导线接反相器芯片U4D的输入端，所述反相器芯片U4D输出端通过导线接D触发器U7的输入端，所述移位寄存器芯片U3的8号引脚通过导线接D触发器芯片U6和U7的输入端，所述D触发器U6的输出端引出端子QDB，所述D触发器U7的输出端引出端子QDC；所述主控制电路包括EPLD芯片U8，所述EPLD芯片U8的5号引脚通过电阻R81接反相器芯片U16F的输入端，所述反相器芯片U16F的输入端通过电容C49接地，所述反相器芯片U16F的输出端通过电阻R72接反相器芯片U16E的输入端，所述反相器芯片U16E的输入端通过电容C41接地，所述反相器芯片U16E的输出端通过导线接EPLD芯片U8的11号引脚，所述EPLD芯片U8的7号引脚通过导线接D触发器芯片U13的输出端，所述比较器芯片U12D的同相端引出端子IH，所述比较器芯片U12D的反相端引出端子SAWTOOTH，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玺，黄秉铭，单士忠，杨岐龙，
申请(专利权)人：青岛贝斯克电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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