一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板，该薄膜晶体管阵列基板包括衬底、第一金属层、薄膜晶体管、屏蔽层、公共电极和像素电极，第一金属层形成薄膜晶体管的第一栅极和扫描线，公共电极为相互间隔设置的多个，且每个公共电极共用为一个触控电极，屏蔽层设于第一金属层与公共电极投影重叠的区域，且夹设于第一金属层与公共电极之间，屏蔽层用于接收输入给公共电极的公共信号。本实用新型专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板中，由于屏蔽层将第一金属层遮住，可屏蔽第一金属层产生的电场，触控显示面板在显示模式下，各公共电极与第一金属层就不会耦合了，避免了横向条纹的产生，提高了显示效果。
Thin film transistor array substrate and touch display panel
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板
本专利技术涉及触控显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板。
技术介绍
液晶显示面板具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在平板显示领域占主导地位。随着显示技术的不断进步，触控装置已经逐渐遍及人们的生活中。目前，一般采用氧化铟锡(IndiumTinOxides，ITO)透明导电膜作为触控装置的触控电极。由于近年来液晶显示面板技术的成熟发展，将触控技术结合于液晶显示面板逐渐成为一种趋势。例如一种内嵌式(in-cell)的触控显示面板，将液晶显示的公共电极复用为触控电极以实现触控功能，但由于多个触控电极为分隔独立的模块，在正常显示画面时，会导致各模块会受到其薄膜晶体管阵列基板的扫描线的影响，与之产生电容耦合，导致产生横向的条纹，影响触控显示面板的显示效果。前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示效果良好的薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板。本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底、第一金属层、薄膜晶体管、屏蔽层、公共电极和像素电极，该第一金属层形成该薄膜晶体管的第一栅极和扫描线，该薄膜晶体管设于该衬底上，该像素电极与该公共电极绝缘间隔设置，该公共电极为相互间隔设置的多个，且每个公共电极共用为一个触控电极，该屏蔽层设于该第一金属层与该公共电极投影重叠的区域，且夹设于该第一金属层与该公共电极之间，该屏蔽层用于接收输入给该公共电极的公共信号。在其中一实施例中，该屏蔽层夹设于该薄膜晶体管与该公共电极之间。在其中一实施例中，该屏蔽层包括多个电极块，该电极块对应该第一栅极而设；和/或，该屏蔽层包括连接线，该连接线沿该扫描线方向延伸。在其中一实施例中，该薄膜晶体管阵列基板还包括由该扫描线和数据线限定形成多个像素单元，当该屏蔽层包括该电极块和该连接线时，每个该像素单元设有一个该电极块；该连接线延伸到该薄膜晶体管阵列基板的两侧，且该连接线将位于同一行的该像素单元对应的电极块电性连接在一起。在其中一实施例中，该屏蔽层还包括信号线，该信号线电性连接于该各连接线；该薄膜晶体管阵列基板还包括电路板，该信号线电性连接于该电路板，该电路板用于将输入给公共电极的公共信号输入给该信号线。在其中一实施例中，当该屏蔽层包括该电极块和该连接线时，该连接线的宽度与该电极块的宽度相同。在其中一实施例中，该薄膜晶体管阵列基板还包括开关，该开关连接于该屏蔽层与该公共电极之间，用于断开或导通该屏蔽层与该公共电极。在其中一实施例中，该开关包括第二栅极、第二半导体层、第二漏极和第二源极，该薄膜晶体管阵列基板还包括控制线，该第二栅极连接于控制线，该第二漏极和该第二源极间隔设置且分别与该第二半导体层接触，每个该公共电极通过一个该开关与该屏蔽层连接。在其中一实施例中，该屏蔽层还包括开关连接部，该开关连接于该开关连接部。本专利技术还提供一种触控显示面板，包括上述薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板及设于该薄膜晶体管阵列基板与该彩膜基板之间的液晶层。本专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板中，由于屏蔽层将第一金属层遮住，可屏蔽第一金属层产生的电场，应用该薄膜晶体管阵列基板的触控显示面板在显示模式下，各公共电极与第一金属层就不会耦合了，避免了横向条纹的产生，提高了显示效果。附图说明图1为本专利技术薄膜晶体管阵列基板的第一实施例局部平面示意图。图2为图1所示薄膜晶体管阵列基板的A-A处剖面结构示意图。图3为图1所示薄膜晶体管阵列基板的部分电路原理示意图。图4为本专利技术薄膜晶体管阵列基板的第二实施例的部分电路原理示意图。图5为本专利技术触控显示面板的第三实施例的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。第一实施例请参图1至图3，本专利技术第一实施例中提供的薄膜晶体管阵列基板30包括衬底31、第一金属层、薄膜晶体管33、第一保护层35、屏蔽层37、第二保护层39、公共电极41、第三保护层43和像素电极45。第一金属层设于衬底31上，并形成薄膜晶体管33的第一栅极332和扫描线101。薄膜晶体管33设于衬底31上，第一保护层35覆盖于薄膜晶体管33上，屏蔽层37设于第一保护层35上，第二保护层39覆盖于屏蔽层37上，公共电极41设于第二保护层39上，第三保护层43设于公共电极41上，像素电极45设于第三保护层43上。公共电极41为相互间隔设置的多个，且每个公共电极41共用为一个触控电极。该薄膜晶体管阵列基板还包括由扫描线101和数据线102限定形成的多个像素单元P，每个像素单元P内设有一个薄膜晶体管33和一个像素电极45。屏蔽层37设于第一金属层与公共电极41投影重叠的区域，且夹设于第一金属层与公共电极41之间，屏蔽层37用于接收输入给公共电极41的公共信号(Vcom)。具体地，屏蔽层37夹设于该薄膜晶体管33与该公共电极41之间。具体在本实施例中，一个公共电极41对应多个像素单元P，当然，也可一个公共电极41对应一个像素单元P，公共电极41的大小根据触控精度设置，更具体地，公共电极41为块状，正是由于公共电极41为块状，尤其是一个公共电极41对应多个像素单元P时，公共电极41必然与扫描线101的投影有重叠的位置。可以理解，屏蔽层37可完全遮蔽第一金属层与公共电极41投影重叠的区域，也可仅遮蔽第一金属层与公共电极41投影重叠的区域的一部分。本薄膜晶体管阵列基板中，由于屏蔽层37将第一金属层的至少部分遮住，可屏蔽第一金属层产生的电场，在显示模式下，各公共电极41与第一金属层就不会耦合了，避免了横向条纹的产生，提高了显示效果。并且，当屏蔽层37设于薄膜晶体管33与公共电极41之间时，其作为单独的一层设置，因此屏蔽层37可在需要的位置设置面积较大的区域，起到更好的屏蔽效果。本实施例中，衬底31为透明的玻璃基板或塑料基板。本实施例中，每个薄膜晶体管33包括第一栅极332、第一半导体层334、第一源极336和第一漏极338，第一栅极332设于衬底31上，第一源极336和第一漏极338设于第一半导体层334上并与第一半导体层334接触，第一源极336和第一漏极338相互间隔设置，其中第一漏极338与像素电极45电性连接，第一栅极332与扫描线101电性连接，第一源极336与数据线102电性连接。薄膜晶体管的第一栅极332上设有钝化层339，第一半导体层334设于该钝化层339上。具体地，第一半导体层334可为非晶硅(a-Si)。具体在本实施例中，公共电极41可作为触控感应电极，与第一源极336和第一漏极338位于同一层的金属条340作为触控驱动电极。本实施例中，屏蔽层37包括多个电极块372，电极块372对应第一栅极332而设。具体地，每个像素单元P设有一个电极块37本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括衬底(31)、薄膜晶体管(33)、第一金属层、屏蔽层(37)、公共电极(41)和像素电极(45)，该第一金属层形成该薄膜晶体管(33)的第一栅极(332)和扫描线(101)，该薄膜晶体管(33)设于该衬底(31)上，该像素电极(45)与该公共电极(41)绝缘间隔设置，该公共电极(41)为相互间隔设置的多个，且每个公共电极(41)共用为一个触控电极，该屏蔽层(37)设于该第一金属层与该公共电极(41)投影重叠的区域，且夹设于该第一金属层与该公共电极(41)之间，该屏蔽层(37)用于接收输入给该公共电极(41)的公共信号。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括衬底(31)、薄膜晶体管(33)、第一金属层、屏蔽层(37)、公共电极(41)和像素电极(45)，该第一金属层形成该薄膜晶体管(33)的第一栅极(332)和扫描线(101)，该薄膜晶体管(33)设于该衬底(31)上，该像素电极(45)与该公共电极(41)绝缘间隔设置，该公共电极(41)为相互间隔设置的多个，且每个公共电极(41)共用为一个触控电极，该屏蔽层(37)设于该第一金属层与该公共电极(41)投影重叠的区域，且夹设于该第一金属层与该公共电极(41)之间，该屏蔽层(37)用于接收输入给该公共电极(41)的公共信号。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该屏蔽层(37)夹设于该薄膜晶体管(33)与该公共电极(41)之间。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该屏蔽层(37)包括多个电极块(372)，该电极块(372)对应该第一栅极(332)而设；和/或，该屏蔽层(37)包括连接线(374)，该连接线(374)沿该扫描线(101)方向延伸。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板还包括由该扫描线(101)和数据线(102)限定形成多个像素单元(P)，当该屏蔽层(37)包括该电极块(372)和该连接线(374)时，每个该像素单元(P)设有一个该电极块(372)；该连接线(374)延伸到该薄膜晶体管阵列基板的两侧，且该连接线(374)将位于同一行的该像素单元(P)对应的电极块(372)电性连接在一起。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该屏蔽层(3...
【专利技术属性】
技术研发人员：严婷婷，魏祥利，徐成成，赵中满，钟蔚，刘茜，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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