一种容量增加型电容器薄膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种容量增加型电容器薄膜，旨在提供一种电荷储存容量大，结构简单以及实用性强的电容器薄膜，其技术方案要点是电容器薄膜本体包括A面与B面，电容器薄膜本体上设有由A面向B面凸起的第一凸起以及由B面向A面凸起的第二凸起，所述第一凸起和第二凸起错位设置，且第一凸起和第二凸起均呈圆弧状，本实用新型专利技术适用于电容器薄膜技术领域。

A kind of capacitor film with increased capacity

【技术实现步骤摘要】
一种容量增加型电容器薄膜
本技术涉及一种电容器薄膜
,更具体地说，它涉及一种容量增加型电容器薄膜。
技术介绍
目前，市场上的电容器薄膜，它包括电容器薄膜本体。传统的电容器薄膜，在对其进行镀金属膜处理时，覆盖面积较小，容易影响到后续电容器的储电荷量，从而降低实用效果。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种电荷储存容量大，结构简单以及实用性强的电容器薄膜。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种容量增加型电容器薄膜，包括电容器薄膜本体，所述电容器薄膜本体包括A面与B面，电容器薄膜本体上设有由A面向B面凸起的第一凸起以及由B面向A面凸起的第二凸起，所述第一凸起和第二凸起错位设置，且第一凸起和第二凸起均呈圆弧状。通过采用上述技术方案，电容器薄膜本体包括A面与B面，为了提高电容器薄膜电荷储存量，通过在电容器薄膜本体上设有由A面向B面凸起的第一凸起以及由B面向A面凸起的第二凸起，以及将第一凸起和第二凸起错位设置，且第一凸起和第二凸起均呈圆弧状，圆弧状结构以及错位结构设置的第一、二凸起，增加了覆膜的面积，从而增加了电荷的储存量。本技术进一步设置为：所述第一凸起的圆弧弧度在0.8π-1π之间，第二凸起的圆弧弧度在0.8π-1π之间。通过采用上述技术方案，第一凸起的圆弧弧度在0.8π-1π之间，第二凸起的圆弧弧度在0.8π-1π之间，采用上述结构设置，增加了覆金属膜的面积，从而增加储存电荷的容量。本技术进一步设置为：所述电容器薄膜的A面两侧上设有沿A面侧长度方向设置的第一筋，电容器薄膜的B面两侧上设有沿B面侧长度方向设置的第二筋，第一筋的厚度和第二筋的厚度相同且均在0.2μm-0.3μm之间。通过采用上述技术方案，电容器薄膜的A面两侧上设有沿A面侧长度方向设置的第一筋，电容器薄膜的B面两侧上设有沿B面侧长度方向设置的第二筋，通过第一筋以及第二筋的结构设置，并且将第一筋的厚度和第二筋的厚度相同且均在0.2μm-0.3μm之间，则提高了电容器薄膜边缘部分的厚度，从而提高了良好的结构强度。本技术进一步设置为：所述第一筋和第二筋的截面均呈梯形状。通过采用上述技术方案，第一筋和第二筋的截面均呈梯形状，采用上述结构设置，提高了电容器薄膜边缘的抗拉结构强度，实用性强，结构简单。附图说明图1为本技术一种容量增加型电容器薄膜实施例的结构示意图。图中附图标记，1、A面；10、第一筋；2、B面；20、第二筋；3、第一凸起；4、第二凸起。具体实施方式参照图1对本技术一种容量增加型电容器薄膜实施例做进一步说明。为了易于说明，实施例中使用了诸如“上”、“下”、“左”、“右”等空间相对术语，用于说明图中示出的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。应该理解的是，除了图中示出的方位之外，空间术语意在于包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被倒置，被叙述为位于其他元件或特征“下”的元件将定位在其他元件或特征“上”。因此，示例性术语“下”可以包含上和下方位两者。装置可以以其他方式定位(旋转90度或位于其他方位)，这里所用的空间相对说明可相应地解释。而且，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个与另一个具有相同名称的部件区分开来，而不一定要求或者暗示这些部件之间存在任何这种实际的关系或者顺序。一种容量增加型电容器薄膜，包括电容器薄膜本体，电容器薄膜本体包括A面1与B面2，为了提高电容器薄膜电荷储存量，通过在电容器薄膜本体上设有由A面1向B面2凸起的第一凸起3以及由B面2向A面1凸起的第二凸起4，以及将第一凸起3和第二凸起4错位设置，且第一凸起3和第二凸起4均呈圆弧状，圆弧状结构以及错位结构设置的第一、二凸起，增加了覆膜的面积，从而增加了电荷的储存量。本技术进一步设置为，第一凸起3的圆弧弧度在0.8π-1π之间，第二凸起4的圆弧弧度在0.8π-1π之间，采用上述结构设置，增加了覆金属膜的面积，从而增加储存电荷的容量。本技术进一步设置为，电容器薄膜的A面1两侧上设有沿A面1侧长度方向设置的第一筋10，电容器薄膜的B面2两侧上设有沿B面2侧长度方向设置的第二筋20，通过第一筋10以及第二筋20的结构设置，并且将第一筋10的厚度和第二筋20的厚度相同且均在0.2μm-0.3μm之间，则提高了电容器薄膜边缘部分的厚度，从而提高了良好的结构强度。本技术进一步设置为，第一筋10和第二筋20的截面均呈梯形状，采用上述结构设置，提高了电容器薄膜边缘的抗拉结构强度，实用性强，结构简单。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，本领域的技术人员在本技术技术方案范围内进行通常的变化和替换都应包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容量增加型电容器薄膜，包括电容器薄膜本体，其特征在于，所述电容器薄膜本体包括A面(1)与B面(2)，电容器薄膜本体上设有由A面(1)向B面(2)凸起的第一凸起(3)以及由B面(2)向A面(1)凸起的第二凸起(4)，所述第一凸起(3)和第二凸起(4)错位设置，且第一凸起(3)和第二凸起(4)均呈圆弧状。/n

【技术特征摘要】
1.一种容量增加型电容器薄膜，包括电容器薄膜本体，其特征在于，所述电容器薄膜本体包括A面(1)与B面(2)，电容器薄膜本体上设有由A面(1)向B面(2)凸起的第一凸起(3)以及由B面(2)向A面(1)凸起的第二凸起(4)，所述第一凸起(3)和第二凸起(4)错位设置，且第一凸起(3)和第二凸起(4)均呈圆弧状。


2.根据权利要求1所述的一种容量增加型电容器薄膜，其特征在于，所述第一凸起(3)的圆弧弧度在0.8π-1π之间，第二凸起(4)的圆弧弧度在0....

【专利技术属性】
技术研发人员：胡波，王士新，潘路云，徐学敏，黎传春，
申请(专利权)人：浙江双凯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33