【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钨化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法
本专利技术涉及新的钨化合物，含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。
技术介绍
含钨薄膜用于制造LSI时使用的MOSFET栅极、与源极/漏极的接触，存储器的字线等。作为上述的薄膜的制造方法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热解法、溶胶-凝胶法等MOD法、化学气相沉积法等。由于具有组成控制性、梯度覆盖性优异、适合量产化、可混合集成等众多优点，包括原子层沉积(ALD(AtomicLayerDeposition))法在内的化学气相沉积(以下，有时简记为“CVD”)法是最佳的制造方法。作为用于化学气相沉积法的钨原子供给源，大量报道了各种原料。例如，在专利文献1中，作为可用作根据CVD法的薄膜形成用原料的钨原子供给源，公开了WCl2、WCl4、WCl5和WCl6及其混合物这样的氯化钨。另外，在专利文献2中，作为可用于CVD法和ALD法的钨原子供给源，公开了包含二氮杂丁二烯钨化合物的由式W(R1-N＝CR3-CR4＝N-R2)3(式中，R1、R2、R3和...
【技术保护点】
1.下述通式(1)表示的钨化合物：/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170821 JP 2017-1585651.下述通式(1)表示的钨化合物：
式中，X表示卤原子，R1～R5各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R6表示叔丁基或叔戊基，R7表示碳数1～5的烷基，
但是，当R1～R5全部为氢原子且R6为叔丁基时、以及当R1～R5全部...
【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤昭夫，白鸟翼，青木雄太郎，
申请(专利权)人：株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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