结构光投影仪和包括结构光投影仪的电子装置制造方法及图纸

技术编号:23399005 阅读:64 留言:0更新日期:2020-02-22 11:24
公开了一种结构光投影仪,包括:光源,被配置为发射光;结构光图案掩模,被配置为接收光源发射的光,结构光图案掩模包括第一区域和第二区域,第一区域被配置为产生具有第一偏振的第一结构光,第二区域被配置为产生具有与第一偏振不同的第二偏振的第二结构光;以及偏振复用偏转器,被配置为使结构光图案掩模产生的所述第一结构光和所述第二结构光分别偏转到不同方向。

Structured light projectors and electronic devices including structured light projectors

【技术实现步骤摘要】
结构光投影仪和包括结构光投影仪的电子装置相关申请的交叉引用本申请要求2018年8月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0092041的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开的示例实施例涉及一种结构光投影仪和包括该结构光投影仪的电子装置。
技术介绍
近来,在识别诸如人或物之类的对象时,越来越需要通过精确的三维(3D)形状识别来准确地识别对象的形状、位置或运动。为此,已经引入了使用结构光的3D感测技术,从而使得更加精确的运动识别成为可能。最近要求结构光系统具有较小尺寸和较高分辨率,以便与各种电子设备组合。诸如衍射光学元件(DOE)之类的光学组件通常用于形成结构光,并且光学组件的体积影响设计精度和制造要求。
技术实现思路
一个或多个实施例提供了用于生成和发射结构光的结构光投影仪。一个或多个实施例还提供了包括结构光投影仪的电子装置。附加方面部分地将在接下来的描述中阐述,且部分地将通过该描述而变得清楚明白,或者可以通过对示例实施例的实践来获知。根据示例实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构光投影仪,包括:/n光源,被配置为发射光;/n结构光图案掩模,被配置为接收所述光源发射的光,所述结构光图案掩模包括第一区域和第二区域,所述第一区域被配置为产生具有第一偏振的第一结构光,所述第二区域被配置为产生具有与所述第一偏振不同的第二偏振的第二结构光;以及/n偏振复用偏转器,被配置为使所述结构光图案掩模产生的所述第一结构光和所述第二结构光分别偏转到不同方向。/n

【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-00920411.一种结构光投影仪,包括:
光源,被配置为发射光;
结构光图案掩模,被配置为接收所述光源发射的光,所述结构光图案掩模包括第一区域和第二区域,所述第一区域被配置为产生具有第一偏振的第一结构光,所述第二区域被配置为产生具有与所述第一偏振不同的第二偏振的第二结构光;以及
偏振复用偏转器,被配置为使所述结构光图案掩模产生的所述第一结构光和所述第二结构光分别偏转到不同方向。


2.根据权利要求1所述的结构光投影仪,其中,所述第一区域设置在所述结构光图案掩模中除了设置所述第二区域的区域之外的区域中。


3.根据权利要求1所述的结构光投影仪,其中,所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域包括多个纳米结构。


4.根据权利要求1所述的结构光投影仪,其中,所述第一区域是透明区域,并且
所述第二区域包括多个纳米结构,所述纳米结构具有被配置为将所述光源发射的光的偏振改变为所述第二偏振的形状分布。


5.根据权利要求4所述的结构光投影仪,其中,所述形状分布分别包括所述多个纳米结构中的每个纳米结构的形状、尺寸和间距中的至少一个。


6.根据权利要求4所述的结构光投影仪,其中,所述多个纳米结构中的每个纳米结构具有椭圆柱形形状。


7.根据权利要求6所述的结构光投影仪,其中,在每个椭圆柱形形状中,长轴的长度和短轴的长度被确定为使得入射光的彼此垂直的两个电场分量的相移之间的差值是π。


8.根据权利要求4所述的结构光投影仪,其中,所述多个纳米结构中的每个纳米结构具有非对称的多边棱柱截面形状。


9.根据权利要求1所述的结构光投影仪,其中,所述第一区域包括多个第一纳米结构,所述多个第一纳米结构中的每个第一纳米结构具有小于所述光源发射的光的波长的亚波长尺寸,并且
所述第二区域包括多个第二纳米结构,所述多个第二纳米结构中的每个第二纳米结构具有所述亚波长尺寸。


10.根据权利要求9所述的结构光投影仪,其中,所述第一区域的所述多个第一纳米结构具有被配置为将所述光源发射的光的偏振改变为所述第一偏振的形状分布,并且
所述第二区域的所述多个第二纳米结构具有被配置为将所述光源发射的光的偏振改变为所述第二偏振的形状分布。


11.根据权利要求10所述的结构光投影仪,其中,所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构分别具有椭圆柱形截面形状,所述椭圆柱形截面形状具有长轴和短轴,并且
所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构在长轴方向和纵横比中的至少一个方面彼此不同,所述纵横比是长轴的长度与短轴的长度之间的比率。


12.根据权利要求11所述的结构光投影仪,其中,所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构具有相同的纵横比,
其中,所述多个第二纳米结构中的每个第二纳米结构的长轴相对于所述多个第一纳米结构中的每个第一纳米结构的长轴以预定角度倾斜。


13.根据权利要求10所述的结构光投影仪,其中,所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构分别具有非对称的多边棱柱截面形状,所述多边棱柱截面形状具有长轴和短轴,并且
所述多个第一纳米结...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩承勋罗炳勋柳长雨
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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