有机化合物以及包含其的有机发光二极管和有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供下式的有机化合物以及包含该有机化合物的有机发光二极管和OLED器件。

Organic compounds and organic light-emitting diodes and organic light-emitting display devices containing them

【技术实现步骤摘要】
有机化合物以及包含其的有机发光二极管和有机发光显示装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月7日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2018-0091757的权益，在此将其通过援引整体上并入。
本专利技术涉及有机化合物，更具体而言，涉及具有高三重态能量并用于n型主体的有机化合物，以及包含所述有机化合物的有机发光二极管和有机发光显示(OLED)装置。
技术介绍
近来，对占据面积小的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管并且可以被称为有机电致发光装置的OLED装置的技术迅速发展。有机发光二极管通过如下方式发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入有机发光层中，电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转换为基态。柔性透明基材，例如塑料基材，可以用作其中形成元件的基础基材。另外，有机发光二极管可以在比运行其他显示装置所需的电压低的电压(例如，10V以下)下运行，并且具有低功耗。此外，来自有机发光二极管的光具有优异的色纯度。有机发光层可以具有发光材料层(EML)的单层结构。作为选择，为了提高发光效率，有机发光层可以具有多层结构。例如，有机发光层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、EML、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)。EML包括掺杂剂作为发射体。然而，由于掺杂剂的发光效率因浓度猝灭问题而迅速降低，因此包括仅具有掺杂剂的EML的OLED器件存在限制。所以，EML还包括主体。例如，诸如CBP等有机化合物可以用作EML中的主体。然而，在现有技术的有机发光二极管中，寿命和发光效率存在限制。即，有机发光二极管和OLED器件的寿命和发光效率存在限制。
技术实现思路
本专利技术涉及有机化合物、有机发光二极管和OLED器件，其基本上消除了与相关传统技术的限制和缺点相关的一个或多个问题。本专利技术的附加特征和优点在下面的描述中阐述，并且从描述中显而易见，或者通过本专利技术的实施而清楚可见。本专利技术的目标和其他优点通过本文以及附图中描述的特征而实现和获得。为了实现根据本专利技术实施方式的目的的这些和其它优点，如本文所述，本专利技术的一个方面是由下式表示的有机化合物：其中X1选自由氧和硫组成的组，X2至X7各自独立地选自由碳和氮组成的组，并且其中R1选自由氢和氰基组成的组，R2和R3各自独立地选自由氢和杂芳基组成的组。本专利技术的另一方面是一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和在第一电极和第二电极之间的第一发光材料层，所述第一发光材料层包含有机化合物。本专利技术的另一方面是一种有机发光显示装置，其包括：基材；设置在所述基材上的有机发光二极管；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述基材和所述有机发光二极管之间，并与所述有机发光二极管连接。应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在进一步解释所要求保护的本专利技术。附图说明包括附图以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书构成本说明书的一部分，附图示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是本专利技术的OLED器件的示意性电路图。图2是本专利技术的OLED器件的示意性截面图。图3是本专利技术的有机发光二极管的示意性截面图。图4A和4B分别是说明使用p型主体的有机发光二极管和本专利技术的有机发光二极管中的发光的示意图。图5是说明延迟荧光化合物的发光机理的图。图6是说明本专利技术的有机发光二极管的发光机理的图。图7是本专利技术的有机发光二极管的示意性截面图。图8是本专利技术的有机发光二极管的示意性截面图。具体实施方式现在将详细参考在附图中示出的一些实例和优选实施方式。图1是本专利技术的OLED器件的示意性电路图。如图1所示，OLED器件包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFTTs、驱动TFTTd、存储电容器Cst和有机发光二极管D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区SP。开关TFTTs连接到栅极线GL和数据线DL，并且驱动TFTTd和存储电容器Cst连接到开关TFTTs和电源线PL。有机发光二极管D连接到驱动TFTTd。在OLED器件中，当通过经由栅极线GL施加的栅极信号接通开关TFTTs时，来自数据线DL的数据信号被施加到驱动TFTTd的栅电极和存储电容器Cst的电极。当通过数据信号接通驱动TFTTd时，电流从电源线PL供应至有机发光二极管D。结果，有机发光二极管D发光。在该情况下，当驱动TFTTd接通时，确定从电源线PL施加到有机发光二极管D的电流的水平，使得有机发光二极管D可以产生灰度。存储电容器Cst用于在开关TFTTs关闭时保持驱动TFTTd的栅电极的电压。因此，即使开关TFTTs关闭，从电源线PL施加到有机发光二极管D的电流的水平也保持到下一帧。结果，OLED器件显示期望的图像。图2是本专利技术的OLED器件的示意性截面图。如图2所示，OLED器件100包括基材110、TFTTr和连接到TFTTr的有机发光二极管D。基材110可以是玻璃基材或塑料基材。例如，基材110可以是聚酰亚胺基材。在基材上形成缓冲层120，并且在缓冲层120上形成TFTTr。可以省略缓冲层120。在缓冲层120上形成半导体层122。半导体层122可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层122包括氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。到半导体层122的光被遮光图案屏蔽或阻挡，使得可以防止半导体层122的热降解。另一方面，当半导体层122包括多晶硅时，可以在半导体层122的两侧掺杂杂质。在半导体层122上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料形成。在栅极绝缘层124上形成对应于半导体层122的中心的由导电材料(例如金属)形成的栅电极130。在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。作为选择，栅极绝缘层124可以被图案化为具有与栅电极130相同的形状。在栅电极130上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如，氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如，苯并环丁烯或光丙烯酸树脂)形成。层间绝缘层132包括暴露半导体层122两侧的第一和第二接触孔134和136。第一和第二接触孔134和136位于栅电极130的两侧，并与栅电极130间隔开。第一和第二接触孔134和136穿过栅极绝缘层124形成。作为选择，当栅极绝缘层124被图案化为具有与栅电极130相同的形状时，第一和第二接触孔134和136仅通过层间绝缘层132形成。在层间绝缘层132上形成由导电材料(例如金属)形成的源电极140和漏电极142。源电极140和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种下式的有机化合物：/n

【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-00917571.一种下式的有机化合物：



其中X1选自由氧和硫组成的组，X2至X7各自独立地选自由碳和氮组成的组，并且
其中R1选自由氢和氰基组成的组，R2和R3各自独立地选自由氢和杂芳基组成的组。


2.如权利要求1所述的有机化合物，其中所述有机化合物选自由以下化合物组成的组：








3.一种有机发光二极管，其包括：
第一电极；
面向第一电极的第二电极；和
在第一电极和第二电极之间的第一发光材料层，所述第一发光材料层包含权利要求1所述的有机化合物。


4.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中所述有机化合物选自由以下化合物组成的组：








5.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中所述有机化合物用作第一主体，并且所述第一发光材料层还包含延迟荧光化合物作为第一掺杂剂。


6.如权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第一主体的HOMO与所述第一掺杂剂的HOMO之差或所述第一主体的LUMO与所述第一掺杂剂的LUMO之差小于0.5eV。


7.如权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层还包含荧光化合物作为第二掺杂剂，并且所述第一掺杂剂的单重态能量大于所述第二掺杂剂的单重态能量。


8.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂的三重态能量小于所述第一主体的三重态能量并且大于所述第二掺杂剂的三重态能量。


9.如权利要求5所述的有机发光二极管，其还包括：
第二发光材料层，所述第二发光材料层包含第二主体和作为第二掺杂剂的荧光化合物，并位于所述第一电极和所述第一发光材料层之间。


10.如权利要求9所述的有机发光二极管，其还包括：
在所述第一电极和所述第二发光材料层之间的电子阻挡层，
其中所述第二主体与所述电子阻挡层的材料相同。


11.如权利要求9所述的有机发光二极管，其还包括：
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹炅辰，鲁效珍，白贞恩，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR