【技术实现步骤摘要】
一种耳机外壳加工推进组件的控制装置
本技术涉及耳机
，尤其是一种耳机外壳加工推进组件的控制装置。
技术介绍
耳机是由各种零件互相配合组合而成的，其中，耳机的壳体的质量直接影响到耳机是使用寿命。成型耳机壳体，是通过在壳体磨具内浇注压制成型；传统的耳机壳体的磨具推进装置结构简单复杂，且存在推进摆动等问题。为此，申请人特提供了一种耳机外壳加工推进组件，其包括推进安装底板，均固定在推进安装底板上的下基板和第一立板，底部固定在下基板上、的第二立板，沿垂直方向固定在第二立板上的两根滑轨，套设在滑轨上的数个滑座，与滑座固定连接的第三立板，底部固定在下基板上、侧边固定在第二立板上的推进气缸，与推进气缸的气杆连接、贯穿第二立板设置并与第三立板固定连接的连接板，垂直固定在第三立板的顶部边缘的上安装板，固定在第一立板的顶部的上基板，设置在上基板的顶部、且置于上安装板的下部的导向杆连接座，底部固定在导向杆连接座上、且顶部贯穿所述上安装板设置的数个导向杆，以及固定在上安装板上的第一磨具连接耳和第二磨具连接耳。虽然，现有技术中的控制器可以...
【技术保护点】
1.一种耳机外壳加工推进组件的控制装置，包括供电模块，其特征在于，所述供电模块包括初级线圈与外部市电连接的降压变压器T1，输入与降压变压器T1的次级线圈连接、且一输出接地的全桥整流器D1，串联后一端与全桥整流器D1的另一输出连接、且另一端接地的电感L1、滑动电阻R1和电容C6，一端与降压变压器T1的次级线圈的一端连接、且另一端接地的电容C1，一端与降压变压器T1的次级线圈的另一端连接、且另一端接地的电容C3，串联后一端连接在降压变压器T1的次级线圈与电容C3之间、且另一端接地的电容C4和电容C5，一端连接在降压变压器T1的次级线圈与电容C1之间、且另一端连接在电容C4与电容...
【技术特征摘要】
1.一种耳机外壳加工推进组件的控制装置，包括供电模块，其特征在于，所述供电模块包括初级线圈与外部市电连接的降压变压器T1，输入与降压变压器T1的次级线圈连接、且一输出接地的全桥整流器D1，串联后一端与全桥整流器D1的另一输出连接、且另一端接地的电感L1、滑动电阻R1和电容C6，一端与降压变压器T1的次级线圈的一端连接、且另一端接地的电容C1，一端与降压变压器T1的次级线圈的另一端连接、且另一端接地的电容C3，串联后一端连接在降压变压器T1的次级线圈与电容C3之间、且另一端接地的电容C4和电容C5，一端连接在降压变压器T1的次级线圈与电容C1之间、且另一端连接在电容C4与电容C5之间的电容C2，集电极连接在电容C2与电感L1之间、基极连接在滑动电阻R1与电容C6之间的三极管Q1，基极经电感L2与三极管Q1的发射极连接、集电极与三极管Q1的集电极连接的三极管Q2，一端与三极管Q2的基极连接、且另一端接地的电容C7，并联后一端与三极管Q2的发射极连接、且另一端接地的电容C8、电容C9和瞬态抑制二极管TVS，电源输入端VCC与三极管Q2的发射极连接、电源接地端P...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔凡华，
申请(专利权)人：东莞市誉恒电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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