【技术实现步骤摘要】
一种可编程电容阵列电路
本专利技术涉及一种可编程电容阵列电路，特别是涉及一种可改善电容阵列与射频开关功率分布、减小谐波非线性以及改善品质因数的可编程电容阵列电路。
技术介绍
随着移动设备的发展，天线尺寸愈来愈小，而应用频段和频带却越来越宽，经常需要孔径调谐(ApertureTuning)和阻抗调谐(ImpedanceTuning)配合使用，使用可编程电容阵列可以在大范围调谐天线阻抗，实现天线多模多频高效率重用。图1为孔径调谐和阻抗调谐示意图，孔径调谐电路连接在天线ANT和地之间，阻抗调谐电路连接在天线ANT和射频前端RFFE之间。可编程电容阵列，作为天线调谐器关键组件，能够改善实现天线多模多频高效率重用。可编程电容阵列由高性能射频开关控制模组SPnT及电容阵列组成，其关键性能有功率能力、线性度，电容调节比及步长，品质因数等。图2为传统可编程电容阵列示意图，射频信号从P1口进入，通过n条支路传输至射频输出口P2，每条支路由电容Ci和射频开关支路SWi级联组成，i＝1、2、……、n，其中，电容C1～Cn组成电容阵...
【技术保护点】
1.一种可编程电容阵列电路，包括：/n电容阵列，包括s条较低权重的电容支路以及n-s条较高权重的电容支路，所述s条较低权重的电容支路采用两级电容阵列反向串联结构，用于给单刀多掷开关的每个射频开关支路提供不同的电容并组合得到更多不同容值；/n单刀多掷开关，包括多个射频开关支路，用于在控制逻辑模块的控制下将所述电容阵列的各电容支路选择性地连接在射频输入口和射频输出口间以提供射频通路；/n控制逻辑模块，用于在系统控制信号的控制下产生接通和断开所述单刀多掷开关各射频开关支路所需的偏置正压和偏置负压。/n
【技术特征摘要】
1.一种可编程电容阵列电路，包括：
电容阵列，包括s条较低权重的电容支路以及n-s条较高权重的电容支路，所述s条较低权重的电容支路采用两级电容阵列反向串联结构，用于给单刀多掷开关的每个射频开关支路提供不同的电容并组合得到更多不同容值；
单刀多掷开关，包括多个射频开关支路，用于在控制逻辑模块的控制下将所述电容阵列的各电容支路选择性地连接在射频输入口和射频输出口间以提供射频通路；
控制逻辑模块，用于在系统控制信号的控制下产生接通和断开所述单刀多掷开关各射频开关支路所需的偏置正压和偏置负压。
2.如权利要求1所述的一种可编程电容阵列电路，其特征在于：所述电容阵列包括两两反向串联的电容C11/C12～Cs1/Cs2和单独的大电容C(s+1)1～Cn1，其中反向串联的电容Ci1和Ci2与所述单刀多掷开关的射频开关支路SWi组成可编程电容阵列支路。
3.如权利要求2所述的一种可编程电容阵列电路，其特征在于：射频输入信号从所述射频输入口连接至电容C11～Cn1的正/负端，电容Ci1的负/正端连接至电容Ci2的负/正端，电容Ci2的正/负端连接至射频开关支路SWi的输入端，其中i＝1、2、……、s，电容Ci1的负/正端连接至所述射频开关支路SWi的输入端，其中，i＝s+1、s+2、……、n，各开射频关支路SW1～SWn的输出端连接至所述射频输出口。
4.如权利要求3所述的一种可编程电容阵列电路，其特征在于：所述射频开关支路SWi包括依次级联的开关管M(i,Ki)～M(i,1)依次级联，电容Ci1正端为所述射频输入口，其负端连接至电容Ci2的负端，电容Ci2的正端连接至开关管M(i,Ki)的漏极，电容Ci1的负端连接至开关管M(i,Ki)的漏极，开关管M(i,Ki)的源极连接至开关管M(i,Ki-1)的漏极，…，开关管M(i,2)的源极连接至开关管M(i,1)的漏极；体极电阻Rb(i,j)连接在开关管M(i,j)的体极和体极公共电阻Rbc(i)的一端间，体极公共电阻Rbc(i)的另一端接体极电压Vbi，漏源电阻Rds(...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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