一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器制造技术

本发明专利技术公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本发明专利技术的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。

A CMOS buffer for buffering the near power supply voltage

【技术实现步骤摘要】
一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器。
技术介绍
如图1所示，为集成电路中常用的电压缓冲器结构(基于OTA实现)，运算跨导放大器(OTA)的同相输入端作为电压输入端，OTA的反相端与输出端连接在一起作为电压输出端。由于OTA的电压增益(A)非常高，输出电压与输入电压的关系是：其缓冲输出的相对误差等于1/(1+A)，因此，OTA的增益越高，缓冲器的误差就越小。从端口阻抗的角度看，图1所示电压缓冲器的输入阻抗等于OTA的输入阻抗，在CMOS工艺下OTA的输入阻抗是非常高的；其输出阻抗等于OTA自身输出阻抗除以(1+A)，是非常低的值。因此，这种电压缓冲器的性能好坏取决于OTA的增益(A)的高低。如图2所示，为CMOS工艺下常用OTA的电路结构图，这种NMOS折叠共源共栅结构的输入级对输入较高电压(可以达到，甚至超过电源电压)的情况有很好的适应性，但是与OTA反相输入端相连的输出端的PMOS管(P5)会处于线性区，导致其跨导值非常低，进而，导致OTA的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其特征在于，包括：运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器；/n所述运算跨导放大器OTA的同向输入端与电压输入端连接，电压输出端、所述PMOS管P1的源极、所述PMOS管P2的漏极均与所述运算跨导放大器OTA的反向输入端连接，所述PMOS管P2的源极与电源连接，所述运算跨导放大器OTA的输出端与PMOS管P1的栅极连接，所述偏置恒定电流源IB1的输入端和所述PMOS管P3的栅极均与所述PMOS管P1的漏极连接，所述偏置恒定电流源IB1的输出端接地，所述偏置恒...

【技术特征摘要】
1.一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其特征在于，包括：运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器；
所述运算跨导放大器OTA的同向输入端与电压输入端连接，电压输出端、所述PMOS管P1的源极、所述PMOS管P2的漏极均与所述运算跨导放大器OTA的反向输入端连接，所述PMOS管P2的源极与电源连接，所述运算跨导放大器OTA的输出端与PMOS管P1的栅极连接，所述偏置恒定电流源IB1的输入端和所述PMOS管P3的栅极均与所述PMOS管P1的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：白春风，殷琪浩，王洋，乔东海，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32