信号调整装置制造方法及图纸

一种信号调整装置包括第一电流镜、第二电流镜、第一N型晶体管及第二N型晶体管。第一电流镜包括第一输出端及第二输出端，用于分别提供第一电流和第二电流。第二电流镜包括第三输出端及第四输出端，用于分别提供第三电流和第四电流。第一N型晶体管的第一端连接于第一输出端及第三输出端，第一N型晶体管的第二端耦接第二电源电压，第一N型晶体管的控制端耦接控制电压。第二N型晶体管的第一端连接于第二输出端及第四输出端，且第二N型晶体管的第二端耦接第二电源电压，且第二N型晶体管的控制端耦接参考电压。

Signal adjusting device

【技术实现步骤摘要】
信号调整装置
本专利技术涉及一种信号调整装置，特别是涉及用于闪存等半导体内存装置的信号调整装置。
技术介绍
随着半导体设计的微型化，用于驱动半导体组件的工作电压也随之降低，并且提供至半导体装置的电源电压(Vdd或Vpp)也跟着低压化。例如，自半导体内存外部供应的电源电压自3.3伏特(V)降低为2.5V或者1.8V。如今，外部供应的电源电压更可能降低至1.2V。随着外部供应的电源电压降低，半导体装置内的信号,例如：控制信号、PWM信号、模拟/数字信号等会产生明显的相位偏移，以至于半导体装置的工作效率降低。另一方面，闪存等半导体内存装置的内部电路需要多种的模拟/数字信号，例如：相位相反的模拟信号。因此，半导体装置需设置信号调整装置来满足上述需求。在传统的信号调整装置中，当外部供应的电源电压降低至约1.8V时，传统的信号调整装置输出的信号的相位会有所偏移，导致半导体内存装置的工作效率降低等问题。当外部供应的电源电压降低至约1.2V或更低时，传统的信号调整装置输出的信号的相位会有更明显的偏移，导致半导体内存装置无法正常的工作。
技术实现思路
因此，本专利技术提出新架构的信号调整装置以解决低电压的电源电压所导致的相位偏移的问题。一种信号调整装置包括：第一电流镜、第二电流镜、第一N型晶体管及第二N型晶体管。第一电流镜包括第一输出端及第二输出端，其中第一电流镜通过第一输出端及第二输出端分别提供相同的第一电流和第二电流。第二电流镜包括第三输出端及第四输出端，其中第二电流镜通过第三输出端及第四输出端分别提供相同的第三电流和第四电流。第一N型晶体管的第一端连接于第一输出端及第三输出端以形成第一节点，第一N型晶体管的第二端耦接接地电压，第一N型晶体管的控制端耦接控制信号。第二N型晶体管的第一端连接于第二输出端及第四输出端以形成第二节点，第二N型晶体管的第二端耦接接地电压，第二N型晶体管的控制端耦接参考电压。附图说明图1A为根据本专利技术一实施例的信号调整装置的电路图。图1B为根据本专利技术一实施例的信号调整装置所接收的控制信号的波形示意图。图1C为根据本专利技术一实施例的信号调整装置的输出波形图。图2A为根据本专利技术一实施例的相位调整单元的电路图。图2B为根据本专利技术一实施例的相位调整单元所接收的控制信号的波形示意图。图2C为根据本专利技术一实施例的相位调整单元的输出波形图。具体实施方式参考附图来描述本专利技术，其中在所有附图中使用相同的附图标记来表示相似或等效的组件。附图不是按比例绘制的，而是仅用于说明本专利技术。本专利技术的几个形态如下描述，并参考示例应用作为说明。应该理解的是，阐述了许多具体细节、关系和方法以提供对本专利技术的全面了解。然而，相关领域的普通技术人员将容易认识到，本专利技术可以被实行即便在没有一个或多个具体细节的情况下或没有利用其他方法来实施本专利技术。在其他情况下，未详细示出已知的结构或操作以避免模糊本专利技术。本专利技术不受所示的行为或事件的顺序所限制，因为一些行为可能以不同的顺序发生和/或与其他行为或事件同时发生。此外，并非所有说明的行为或事件都需要根据本专利技术的方法来实施。以下说明是本专利技术的实施例。其目的是要举例说明本专利技术的一般性的原则，不应视为本专利技术的限制，本专利技术的范围当以权利要求书所界定者为准。图1A所示为根据本专利技术一实施例的信号调整装置100的电路图。如图1A所示，信号调整装置100包括相位调整电路SET1、相位调整装置SET2、第一输出装置SET3及第二输出装置SET4。在此实施例中，相位调整电路SET1、相位调整装置SET2、第一输出装置SET3及第二输出装置SET4彼此互相耦接或连接。为了简化图示，图1A中标识符号相同代表线路彼此在标识符号所标识的节点连接或彼此在标识符号所标识的节点连接并导通，例如：相位调整装置SET2的节点T4连接于第二输出装置SET4的符号T4。另外，为了简化说明，图1A中标识符号相同也代表不同的组件接收到相同的信号，例如：第一N型晶体管QN1的栅极及第五P型晶体管QP5的栅极接收相同的电压VP，且第二N型晶体管QN2的栅极及第六P型晶体管QP6的栅极接收相同的信号VREF。为了简化说明本专利技术的原理，在以下说明的各个实施例中，N型晶体管的第一端代表漏极，且N型晶体管的第二端代表源极，且N型晶体管的控制端代表栅极；另外，P型晶体管的第一端代表源极，且P型晶体管的第二端代表漏极，且P型晶体管的控制端代表栅极，但本专利技术不限于此。N型晶体管可以是高电位导通的半导体，例如：N型金属氧化物场效应晶体管(N-MOSFET)等，但本专利技术不限于此。P型晶体管可以是低电位导通的半导体，例如：P型金属氧化物场效应晶体管(P-MOSFET)等，但本专利技术不限于此。在图1A中，当信号调整装置100正常工作时，图1A所示的各晶体管Q101的控制端的接收的电压PD皆为接地电压Vss，各晶体管Q103的控制端接收的电压PDB皆为模拟电源电压Vpp，以使各晶体管Q101和各晶体管Q103相当于导通状态，各晶体管Q101的第一端、第二端的电压可视为是模拟电源电压Vpp，各晶体管Q103的第一端、第二端的电压可视为是接地电压Vss。以下将以此为基础对信号调整装置100进行描述。在图1A中，信号调整装置100中的相位调整电路SET1包括第一电流镜、第二电流镜、第一N型晶体管QN1及第二N型晶体管QN2。第一电流镜包括第一P型晶体管QP1及第二P型晶体管QP2。第二电流镜包括第三P型晶体管QP3及第四P型晶体管QP4。第一电流镜包括控制点C1、第一输出端P1及第二输出端P2，并且第一电流镜通过第一输出端P1及第二输出端P2分别提供实质上相同的第一电流和第二电流。第二电流镜包括控制点C2、第三输出端P3及第四输出端P4，并且第二电流镜通过第三输出端P3及第四输出端P4分别提供实质上相同的第三电流和第四电流。在相位调整电路SET1的第一电流镜中，第一P型晶体管QP1的第一端耦接于高电平的模拟电源电压Vpp，且第一P型晶体管QP1的控制端连接于第一P型晶体管QP1的第二端以形成第一输出端P1。第二P型晶体管QP2的第一端耦接于模拟电源电压Vpp。第二P型晶体管QP2的控制端连接于第一P型晶体管QP1的控制端及第一P型晶体管QP1的第二端以形成控制点C1。第二P型晶体管QP2的第二端作为该第二输出端P2。在相位调整电路SET1的第二电流镜中，第三P型晶体管QP3的第一端耦接于模拟电源电压Vpp，且第三P型晶体管QP3的第二端作为第三输出端P3。第四P型晶体管QP4的第一端耦接于模拟电源电压Vpp。第四P型晶体管QP4的控制端连接于第四P型晶体管QP4的第二端以形成第四输出端P4。第四P型晶体管QP4的第二端和控制端共同地连接于第三P型晶体管QP3的控制端以形成控制点C2。在相位调整电路SET1中，第一N型晶体管QN1的第一端共同地连接于第一电流镜的第一输出端P1及第二电流镜的第三输出端P3以形成第一侦测点T1。第一N型晶体管QN1的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信号调整装置，包括：/n第一电流镜，包括第一输出端及第二输出端，其中该第一电流镜通过该第一输出端及该第二输出端分别提供相同的第一电流和第二电流；/n第二电流镜，包括第三输出端及第四输出端，其中该第二电流镜通过该第三输出端及该第四输出端分别提供相同的第三电流和第四电流；/n第一N型晶体管，该第一N型晶体管的第一端耦接该第一输出端及该第三输出端以形成第一节点，该第一N型晶体管的第二端耦接第二电源电压，该第一N型晶体管的控制端耦接控制电压；以及/n第二N型晶体管，该第二N型晶体管的第一端耦接该第二输出端及该第四输出端以形成第二节点，该第二N型晶体管的第二端耦接该第二电源电压，该第二N型晶体管的控制端耦接参考电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种信号调整装置，包括：
第一电流镜，包括第一输出端及第二输出端，其中该第一电流镜通过该第一输出端及该第二输出端分别提供相同的第一电流和第二电流；
第二电流镜，包括第三输出端及第四输出端，其中该第二电流镜通过该第三输出端及该第四输出端分别提供相同的第三电流和第四电流；
第一N型晶体管，该第一N型晶体管的第一端耦接该第一输出端及该第三输出端以形成第一节点，该第一N型晶体管的第二端耦接第二电源电压，该第一N型晶体管的控制端耦接控制电压；以及
第二N型晶体管，该第二N型晶体管的第一端耦接该第二输出端及该第四输出端以形成第二节点，该第二N型晶体管的第二端耦接该第二电源电压，该第二N型晶体管的控制端耦接参考电压。


2.如权利要求1所述的信号调整装置，其中该第一电流镜包括：
第一P型晶体管，该第一P型晶体管的第一端耦接于第一电源电压，该第一P型晶体管的控制端连接于该第一P型晶体管的第二端及该第一N型晶体管的该第一端；以及
第二P型晶体管，该第二P型晶体管的第一端耦接于该第一电源电压，该第二P型晶体管的控制端连接于该第一P型晶体管的该控制端，该第二P型晶体管的第二端为该第二输出端。


3.如权利要求2所述的信号调整装置，其中该第二电流镜包括：
第三P型晶体管，该第三P型晶体管的第一端耦接于该第一电源电压，该第三P型晶体管的第二端为该第三输出端；以及
第四P型晶体管，该第四P型晶体管的第一端耦接于该第一电源电压，该第四P型晶体管的第二端连接于该第四P型晶体管的控制端及该第二N型晶体管的第一端。


4.如权利要求3所述的信号调整装置，还包括相位调整装置，其中该相位调整装置包括：
第五P型晶体管，其中该第五P型晶体管的第一端耦接于该第一电源电压，该第五P型晶体管的控制端耦接于该控制电压；
第六P型晶体管，其中该第六P型晶体管的第一端耦接于该第一电源电压，该第五P型晶体管的控制端耦接于该参考电压；
第三电流镜，包括第五输出端及第六输出端，其中该第三电流镜通过该第五输出端及该第六输出端分别提供相同的第五电流和第六电流；以及
第四电流镜，包括第七输出端及第八输出端，其中该第四电流镜通过该第七输出端及该第八输出端分别提供相同的第七电流和第八电流,
其中该第五P型晶体管的第二端耦接该第五输出点及该第七输出点以形成第三节点，该第六P型晶体管的第二端耦接该第六输出点及该第八输出点以形成第四节点。


5.如权利要求4所述的信号调整装置，其中该第三电流镜包括：
第三N型晶体管，其中该第三N型晶体管的第一端连接于该第三N型晶体管的控制端及该第五P型晶体管的该第二端，该第三N型晶体管的第二端耦接于该第二电源电压；以及
第四N型晶体管，其中该第四N型晶体管的第一端作为该第六输出点，该第四N型晶体管的控制端连接于该第三N型晶体管的该控制端，该第四N型晶体管的第二端耦接于该第二电源电压。


6.如权利要求5所述的信号调整装置，其中该第四电流镜包括：
第五N型晶体管，其中该第五N型晶体管的第一端作为该第七输出点，该第五N型晶体管的第二端耦接于该第二电源电压；以及
第六N型晶体管，其中该第六N型晶体管的第一端连接于该第六P型晶体管的第二端和该第六N型晶体管的控制端，该第六N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：李申，刘中鼎，
申请(专利权)人：北京兆芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11