基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线制造技术

本发明专利技术涉及一种基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线，馈电结构由八边形地板耦合腔，带状线双极化馈线，金属化馈电过孔以及金属地板圆形开孔共同构成，带状线双极化馈线终端为渐变耦合端，与八边形地板耦合腔形成多谐振多层耦合结构；金属化馈电过孔穿过多层高频介质板及内金属地板上的圆形开孔，将信号由带状线层垂直传输至天线底部；SSMP连接器的内导体插入金属化馈电过孔中，外导体与底层金属地板焊接，以此作为该天线的对外电气接口。该天线结构紧凑尺寸小，易集成，成本低廉，加工难度低，在宽频带工作的同时，具备双线极化辐射特性，能够满足Ka频段宽带相控阵系统或通信系统的应用需求。

Ka band broadband low profile dual polarization microstrip antenna based on high frequency lamination technology

【技术实现步骤摘要】
基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线
本专利技术涉及一种基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线，可作为Ka波段宽带相控阵系统的辐射单元，属于无线通信系统天线

技术介绍
随着5G通讯及毫米波传感器系统的飞速发展与应用，具备波束快速扫描赋形及宽带覆盖特性的毫米波有源相控阵将成为硬件方案的主要选择。有源相控阵系统的整体性能与所选择的天线辐射单元特性密不可分：首先，单元的匹配与耦合特性决定了阵列的工作频带覆盖能力；单元的横向尺寸决定了阵列在工作频带内的扫描覆盖范围；单元的极化特性则决定了阵列可承载的系统功能与应用场景；其次，单元的效率直接影响系统的整体效率与灵敏度；此外，天线单元的剖面高度、易集成度与重量将限制阵列的具体安装使用环境；另外，民用领域对天线单元的成本控制也提出了额外的要求。目前，毫米波频段的阵列天线单元多以开口波导、缝隙阵列或垂直安装的天线振子为主，其中，开口波导及缝隙阵列采用金属结构，传输损耗低但单元及阵面重量大，加工难度与成本较高，极化特性单一，且不易与有源电路集成一体化设计；而垂直安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线，其特征在于由六层高频介质板通过半固化片层压构成，由上至下包括顶层辐射贴片介质板(1a)、中间第一层介质板(1b)、中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)、中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f)，在顶层辐射贴片介质板(1a)的上表面中间设有方形寄生辐射贴片(2)，下表面设有第一层内层金属地板(3a)，在第一层内层金属地板(3a)中间设有第一八边形地板耦合腔(4a)，在中间第二层介质板(1c)的上表面设有第一带状线双极化馈线(5a)，在中间第二层介质板(1c)的下表面设有第二层内层金属地板(3b)，在第二层内层金...

【技术特征摘要】
1.一种基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线，其特征在于由六层高频介质板通过半固化片层压构成，由上至下包括顶层辐射贴片介质板(1a)、中间第一层介质板(1b)、中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)、中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f)，在顶层辐射贴片介质板(1a)的上表面中间设有方形寄生辐射贴片(2)，下表面设有第一层内层金属地板(3a)，在第一层内层金属地板(3a)中间设有第一八边形地板耦合腔(4a)，在中间第二层介质板(1c)的上表面设有第一带状线双极化馈线(5a)，在中间第二层介质板(1c)的下表面设有第二层内层金属地板(3b)，在第二层内层金属地板(3b)中间设有第二八边形地板耦合腔(4b)，在中间第四层介质板(1e)的上表面上设有第二带状线双极化馈线(5b)，在中间第四层介质板(1e)的下表面上设有第三层内层金属地板(3c)，在第三层内层金属地板(3c)中间设有第三八边形地板耦合腔(4c)，在底层反射腔介质板(1f)的下表面设有外层金属地板(9)，在顶层辐射贴片介质板(1a)、中间第一层介质板(1b)、中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)、中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f)的周边设有金属化隔离过孔阵列(8)，在中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f)上设有第二金属化馈电过孔(7b)；所述的第一带状线双极化馈线(5a)包括第一圆形焊盘(5a-1)、第一带状线传输线(5a-2)和第一耦合端(5a-3)，所述的第二带状线双极化馈线(5b)包括第二圆形焊盘(5b-1)、第二带状线传输线(5b-2)和第二耦合端(5b-3)，第二带状线双极化馈线(5b)与第一带状线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王元源，雷国忠，华根瑞，赵迎超，
申请(专利权)人：西安电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61