一种多层复杂结构GaAs光电阴极制造技术

本发明专利技术公开了一种多层复杂结构GaAs光电阴极，该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型掺杂Ga

A multilayer GaAs Photocathode with complex structure

【技术实现步骤摘要】
一种多层复杂结构GaAs光电阴极
本专利技术属于半导体光电发射材料制备
，具体涉及一种多层复杂结构GaAs光电阴极。
技术介绍
砷化镓(GaAs)光电阴极具有量子效率高、发射电子能量集中、暗发射小、发射电流密度大等优点，在诸多领域得到广泛应用，例如微光像增强器、极化电子源、太阳能电池等等。随着材料生长技术的发展，以及为了提高器件性能，人们做了许多基于能带工程的研究以改善光谱特性。近几年来人们提出了一些不同的模型和结构，其中，通过改变能带，在阴极内部引入内建电场，可以增加少数载流子的收集效率。量子效率是用来评估光电阴极性能的重要参数。早期人们提出在AlxGa1-xAs材料和AlxGa1-xAs/GaAs材料中的能带渐变结构，尤其是在太阳能电池中得到应用。通过改变AlxGa1-xAs层中的Al组分形成能带梯度，从而引入内建电场促进光电子向界面处输运，同时可以减小AlxGa1-xAs缓冲层和GaAs发射层之间的界面复合，进一步提高量子效率。另外，在GaAs发射层引入由体内到表面掺杂浓度由高到低的结构也可以提高光电发射性能。通过引入内建电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层复杂结构GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs光电阴极自下而上由n型GaAs衬底、p型掺杂Al

【技术特征摘要】
1.一种多层复杂结构GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs光电阴极自下而上由n型GaAs衬底、p型掺杂AlxGa1-xAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层组成。


2.根据权利要求1所述的一种多层复杂结构GaAs光电阴极，其特征在于：所述p型掺杂AlxGa1-xAs缓冲层包括GaAs/AlAs层；所述GaAs/AlAs层为由下至上的AlAs层与GaAs层组成；所述p型掺杂Ga1-xAlxAs缓冲层包括至少8个GaAs/AlAs层；所述p型掺杂AlxGa1-xAs缓冲层为布拉格反射结构。


3.根据权利要求2所述的一种多层复杂结构GaAs光电阴极，其特征在于：所述AlAs层厚度为45nm-55n...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯琤，宋宇飞，张益军，刘健，赵静，杨会军，刘扬，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32