【技术实现步骤摘要】
一种CAM匹配线的电压摆幅控制电路
本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种CAM匹配线的电压摆幅控制电路。
技术介绍
CAM(contentaddressablememory，内容寻址存储器)是以内容进行寻址的存储器，是一种特殊的存储阵列RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)。它的主要工作机制是将输入的待查找数据与CAM中的存储数据并行比较，判别该待查找数据与CAM中的存储数据是否相匹配，并在匹配时输出与该待查找数据相对应的存储数据的存储地址，然后再根据该存储地址读出相应的存储数据。相关技术中，当所述CAM匹配线连接的CAM单元确定待查找数据与存储数据不匹配时，所述CAM匹配线会通过与地之间的通道进行放电以降低电压，因此CAM匹配线的电压会从高电位降低到0，从而产生较大的电压摆幅，进而导致CAM匹配线的功耗较高。
技术实现思路
有鉴于此，本公开提供一种CAM匹配线的电压摆幅控制电路，来解决CAM匹配线的高功耗问题。具体地，本公开是通过如下技术方案实现的：...
【技术保护点】
1.一种CAM匹配线的电压摆幅控制电路，其特征在于，所述电压摆幅控制电路包括：反相电路和控制电路；/n所述反相电路，一端与CAM匹配线相连，另一端与所述控制电路连接，用于对所述CAM匹配线的电压进行反相得到第一电压信号，并输出给所述控制电路；/n所述控制电路，与所述反相电路连接，用于依据所述第一电压信号确定是否控制所述CAM匹配线与地之间的通道断开；/n其中，当所述CAM匹配线连接的CAM单元确定待查找数据与存储数据不匹配时，所述CAM匹配线通过与地之间的下拉通道进行放电以降低电压，当所述CAM匹配线的电压在放电过程中降至反相电路对应的转换点电压时，所述反相电路对所述CAM...
【技术特征摘要】
1.一种CAM匹配线的电压摆幅控制电路，其特征在于，所述电压摆幅控制电路包括：反相电路和控制电路；
所述反相电路，一端与CAM匹配线相连，另一端与所述控制电路连接，用于对所述CAM匹配线的电压进行反相得到第一电压信号，并输出给所述控制电路；
所述控制电路，与所述反相电路连接，用于依据所述第一电压信号确定是否控制所述CAM匹配线与地之间的通道断开；
其中，当所述CAM匹配线连接的CAM单元确定待查找数据与存储数据不匹配时，所述CAM匹配线通过与地之间的下拉通道进行放电以降低电压，当所述CAM匹配线的电压在放电过程中降至反相电路对应的转换点电压时，所述反相电路对所述CAM匹配线当前的电压进行反相得到的所述第一电压信号为高电平电压信号；所述控制电路在所述第一电压信号为所述高电平电压信号时，控制所述CAM匹配线与地之间的通道断开，以使所述CAM匹配线的电压维持在目标电压，所述目标电压是在转换点电压与0之间的高电位，所述第一电压信号用于表示CAM单元的待查找数据与存储数据的数据匹配结果。
2.根据权利要求1所述的电压摆幅控制电路，其特征在于，所述反相电路包括：第一子电路、第一反相器和第一NMOS晶体管；
所述第一子电路的输入端与所述CAM匹配线相连，输出端分别与第一反相器的输入端和所述控制电路的输入端连接，上拉网络连接电源电压VDD，下拉网络与所述第一NMOS晶体管的漏极连接；
所述第一NMOS晶体管的栅极连接所述第一反相器的输出端，源极接地；
所述第一子电路对所述CAM匹配线的电压进行反相得到所述第一电压信号，并通过输出端输出给所述第一反相器和所述控制电路。
3.根据权利要求2所述的电压摆幅控制电路，其特征在于，所述第一子电路包括：第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；
所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极相连并与所述CAM匹配线连接，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极相连并与所述控制电路的输入端和所述第一反相器的输入端连接，所述第一PMOS晶体管的源极连接电源电压VDD，所述第二NMOS晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建华，
申请(专利权)人：新华三半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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