低功率理想二极管控制电路制造技术

本申请题为“低功率理想二极管控制电路”。在作为低功率理想二极管操作的电路(100)的所描述的示例中，电路(100)包括：p沟道晶体管(102)，其被连接以在第一端子上接收输入电压(V

Low power ideal diode control circuit

【技术实现步骤摘要】
低功率理想二极管控制电路本申请是于2015年12月28日提交的名称为“低功率理想二极管控制电路”的中国专利申请201580070605.0(PCT/US2015/067747)的分案申请。
本公开总体涉及电路设计的领域，并且更具体地涉及控制晶体管以提供具有快速正向恢复和快速反向恢复两者的理想二极管的功能的电路、芯片和方法。
技术介绍
在需要二极管的低功率应用中，二极管的正向电压降可能产生供应余量问题或过度的功率耗散。肖特基二极管可以降低该电压降，但是肖特基二极管在很多半导体工艺中不可用。为了避免这些问题，在控制晶体管的栅极电压以作为理想的二极管操作的情况下，可以使用单个晶体管代替二极管。对于极低功率的应用，所谓的“理想二极管”电路在低电压余量的情况下具有快速正向压降恢复和快速反向恢复。
技术实现思路
在所描述的示例中，理想二极管电路可以包括低功率、低电压操作、快速反向恢复速度以及快速正向恢复速度。在作为低功率理想二极管操作的电路的一个示例中，该电路包括：p沟道晶体管，其被连接以在第一端子上接收输入电压并且在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路，其包含：/np沟道晶体管，其被连接以在第一端子上接收输入电压并且在第二端子上提供输出电压；/n第一放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第一信号，所述第一信号根据所述p沟道晶体管两端的电压动态地偏置所述p沟道晶体管的栅极；以及/n第二放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第二信号，所述第二信号操作以响应于所述输入电压小于所述输出电压而断开所述p沟道晶体管的所述栅极。/n

【技术特征摘要】
20141224 US 62/096,673;20150721 US 62/195,113;20151.一种电路，其包含：
p沟道晶体管，其被连接以在第一端子上接收输入电压并且在第二端子上提供输出电压；
第一放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第一信号，所述第一信号根据所述p沟道晶体管两端的电压动态地偏置所述p沟道晶体管的栅极；以及
第二放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第二信号，所述第二信号操作以响应于所述输入电压小于所述输出电压而断开所述p沟道晶体管的所述栅极。


2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一放大器的工作区与所述第二放大器的工作区重叠。


3.根据权利要求2所述的电路，进一步包含共享输出级，所述共享输出级被连接以接收所述第一信号和所述第二信号并且控制所述p沟道晶体管的所述栅极。


4.根据权利要求3所述的电路，其中所述p沟道晶体管是第一p沟道晶体管，并且其中所述共享输出级包括第二p沟道晶体管，所述第二p沟道晶体管被连接以当所述第二p沟道晶体管被导通时将所述第一p沟道晶体管的所述栅极拉向低轨，所述第二p沟道晶体管的所述栅极接收来自所述第一放大器和所述第二放大器的输入。


5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·B·莫金，H·P·弗汉尼扎德，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US