【技术实现步骤摘要】
一种光学整流罩上加工引信触发的设计方法
本专利技术涉及一种光学整流罩上加工引信触发的设计方法，属于光学导引头引信加工工艺
技术介绍
光学整流罩上加工引信触发的方法是在光学整流罩凹面边缘处加工不闭合环形金属环，然后在金属环两端焊接导线。其工作原理是当高速飞行的导弹，撞击目标的瞬间，光学整流罩碎裂时金属环断裂，控制系统发送引爆信号。目前针对在光学整流罩上制作引信触发的金属环，加工方法有两种：A方法是采用粘接铜箔法，如图1所示，该工艺流程包括粘贴铜箔、涂光刻胶、激光光刻、显影图案、刻蚀图案、去除光刻胶、减薄铜箔厚度和焊接导线。由于此方法采用胶粘铜箔，所以存在以下几个问题：1.胶层老化失效，导致金属环脱落；2.胶粘存在一定的弹性变量，当光学整流罩碎裂时，胶的拉变形较大，金属环不容易断裂；3.铜箔厚度太厚(一般在0.1mm左右)，减薄厚度时，厚度控制不稳定。B方法是采用光刻镀膜法，如图2所示，该工艺流程包括涂光刻胶、激光光刻、显影图案、真空镀膜、清洗图案以及焊接导线。由于该工艺是先光刻图案，然后再镀膜，所以存在以下几个问题：...
【技术保护点】
1.一种光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，过程如下：/n掩膜板的加工：/n将光学整流罩上的球面引信图案投影至平面上，获得平面引信图案并打印；/n确定辅助曝光球罩基体的半径，加工辅助曝光球罩；/n制作掩模板基体，并进行真空镀膜、涂胶和烘烤；/n将掩膜板基体和辅助曝光球罩把引信图案夹在两者之间，然后进行曝光、显影、刻蚀及去胶处理，完成掩膜板的加工；/n利用掩膜板，在光学整流罩上加工引信：/n对光学整流罩进行真空镀膜，再涂胶、烘烤；/n利用曝光复制的方式，将掩膜板上的引信图案复制到光学整流罩上；/n再对光学整流罩进行显影、刻蚀、去胶，实现引信的加工。/n
【技术特征摘要】
1.一种光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，过程如下：
掩膜板的加工：
将光学整流罩上的球面引信图案投影至平面上，获得平面引信图案并打印；
确定辅助曝光球罩基体的半径，加工辅助曝光球罩；
制作掩模板基体，并进行真空镀膜、涂胶和烘烤；
将掩膜板基体和辅助曝光球罩把引信图案夹在两者之间，然后进行曝光、显影、刻蚀及去胶处理，完成掩膜板的加工；
利用掩膜板，在光学整流罩上加工引信：
对光学整流罩进行真空镀膜，再涂胶、烘烤；
利用曝光复制的方式，将掩膜板上的引信图案复制到光学整流罩上；
再对光学整流罩进行显影、刻蚀、去胶，实现引信的加工。
2.根据权利要求1所述光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，所述掩膜板基体和材料辅助曝光球罩基体材料选用光学玻璃K9或B270。
3.根据权利要求1所述光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，采用PET透明片打印引信图案。
4.根据权利要求1所述光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，对掩模板基体进行真空镀膜的过程为：
(1)在坩埚内加“Cr”膜料；
(2)掩模板基体转速设定为5r/min，烘烤温度设定为200℃，烘烤时间设定为30min，环形坩埚转速设定为0.5r/min；
(3)膜系结构G/Cr/A，G为掩模板基体，A为空气，Cr膜层厚度为200nm，蒸发速率为“Cr”层0.5nm/s；
(4)在真空度到达6.0×10-3Pa后，掩模板基体转速调整到12r/min，充氩气值6.0sccm，真空度降至1.0×10-2pa,离子束流调节到70mA；
(5)电子枪调成圆形大光斑，开始蒸镀坩埚中的“Cr”膜料，蒸镀过程采用SQC310薄膜镀层控制仪实时监控膜层厚度，当膜层到达预定厚度时，停止蒸镀，此时“Cr”层蒸镀完成；
(6)蒸镀完成，真空室降到室温后，取出镀件。
5.根据权利要求1所述光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，对掩模板基体进行涂胶的过程为：
(1)采用旋涂匀胶机涂胶，匀胶参数：低速200r/min,时间5s；中速1000r/min,时间10s；高速2000r/min,时间60s；
(2)把掩膜板基体凸面朝上，装夹在匀胶机上，低速旋转时把50mL的PB212光刻胶缓慢倾倒在掩膜板顶部，等待中速和高速运行完成，取下掩膜板基体。
6.根据权利要求1所述光学整流罩上加工引信触发的设计方法，其特征在于，所述掩膜板的加工中的刻蚀工艺步骤如下：
(1)在20L玻璃或...
【专利技术属性】
技术研发人员：惠建平，
申请(专利权)人：河北汉光重工有限责任公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。