一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及光电材料领域，尤其涉及一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法。所述制备方法包括：阳极氧化：将经过特殊预处理的泡沫钛作为阳极，对其进行恒电位阳极氧化，得到预基体；退火：对预基体进行退火处理，得到基体；涂覆生长：将基体置于含铜涂覆液中浸渍一段时间，随后依次进行干燥和煅烧，此为一次循环，进行若干次循环后即可得到泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料。本发明专利技术大幅度降低了制备的难度，对制造设备要求低，具有成本低、效率高、易实现等优点，能够良好地实现量产；提高了整体光电复合材料的比表面积，优化了性能；使得泡沫氧化铜和TNTs实现了合理的复合，具有良好的稳定性和光催化性能。

Preparation method of foam copper oxide /TNTs photoelectric composite material

【技术实现步骤摘要】
一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法
本专利技术涉及光电材料领域，尤其涉及一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法。
技术介绍
二氧化钛作为n型半导体，其具有光响应性良好、价格低廉、性能稳定、无毒害等一系列优点，是一种优秀的光电材料，被广泛用于光催化和光电催化领域。然而，由于其禁带宽度为3.2ev，只能够吸收太阳光中波段387nm以下的紫外光，而紫外光的能量仅占太阳光总能量的约4％，这极大地限制了它的应用。国内外学者通常采用掺杂p型半导体形成p-n结以在增强其光响应的同时减少电子空穴复合，常用的p型半导体有氧化铜及氧化亚铜，将其与二氧化钛纳米管阵列(TNTs)复合已经有了一定程度的开发，然而在平板钛上制备的TNTs比表面积较小，限制了其应用。为克服上述不足，采用泡沫钛作为基底，通过阳极氧化的方式制备生长TNTs结构，形成泡沫TNTs结构，并在上面负载氧化铜能够有效提高其光催化性能。目前在泡沫TNTs上负载氧化铜的方法有磁控溅射法、电沉积法、化学镀法、溶胶凝胶法等。其中电沉积法由于泡沫TNTs表面不均匀，使得沉积电流密度不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法，其特征在于，/n所述制备方法包括以下制备步骤：/n1)阳极氧化：将经过特殊预处理的泡沫钛作为阳极，对其进行恒电位阳极氧化，得到预基体；/n2)退火：对预基体进行退火处理，得到基体；/n3)涂覆生长：将基体置于含铜涂覆液中浸渍一段时间，随后依次进行干燥和煅烧，此为一次循环，进行若干次循环后即可得到泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法，其特征在于，
所述制备方法包括以下制备步骤：
1)阳极氧化：将经过特殊预处理的泡沫钛作为阳极，对其进行恒电位阳极氧化，得到预基体；
2)退火：对预基体进行退火处理，得到基体；
3)涂覆生长：将基体置于含铜涂覆液中浸渍一段时间，随后依次进行干燥和煅烧，此为一次循环，进行若干次循环后即可得到泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料。


2.根据权利要求1所述的一种泡沫铜/TNTs光电复合材料的制备方法，其特征在于，
步骤1)所述阳极氧化的电化学体系中：
以经过特殊预处理的泡沫钛为阳极，以石墨电极或铂电极为阴极，以1～5wt％的氢氟酸溶液为电解液；
步骤1)所述恒电位阳极氧化条件为：
氧化温度25～40℃、氧化电压为15～35V、氧化时间为5～25min。


3.根据权利要求1或2所述的一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述特殊预处理操作包括除油、化学抛光、清洗和干燥；
其中：
化学抛光采用的抛光液中含有45～90g/L氧化铬和45～90mL/L浓度为38～42wt％的氟化氢溶液，余量为水，并且控制抛光时间为10～20min、抛光温度为50～60℃；
步骤1)中所选用的泡沫钛为纯度≥99.0％的泡沫钛。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽强，曹华珍，王新令，张惠斌，郑国渠，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33