切割管芯接合膜制造技术

本发明专利技术涉及切割管芯接合膜和使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法，所述切割管芯接合膜包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层。

Cutting core joint film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割管芯接合膜
相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0172472号和于2018年7月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0081251号的申请日权益，其全部内容通过引用并入本文。本专利技术涉及切割管芯接合膜(dicingdie-bondingfilm)，更具体地，涉及能够赋予抗静电性能并且减少在半导体封装过程期间产生的静电的发生，从而改善封装的可靠性并且防止半导体器件损坏的切割管芯接合膜，以及使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
技术介绍
通常，用于制造半导体芯片的过程包括在晶片上形成精细图案的过程和对晶片进行抛光并封装经抛光的晶片以符合最终器件的标准的过程。封装过程包括：检查半导体芯片的缺陷的晶片检查过程；将晶片切割以制造分离的单个芯片的切割过程；将分离的芯片附接至电路膜或引线框的安装板的管芯接合过程；通过电连接器(例如，导线)将设置在半导体芯片上的芯片焊盘与电路膜或引线框的电路图案连接的导线接合过程；用封装剂包围外部以保护半导体芯片的内部电路和其他部件的模制过程；对连接引线的阻挡条进行切割的修剪过程；将引线弯曲成具有期望形状的成形过程；检查完成的封装的缺陷的成品检查过程；等等。通过切割过程，由其中形成有复数个芯片的半导体晶片制造出彼此分离的单个芯片。从广义上说，切割过程是研磨半导体晶片的后表面并沿芯片之间的切割线切割半导体晶片以制造彼此分离的复数个单个芯片的过程。然而，在切割管芯接合膜中，由于所有部件均由绝缘体构成，因此在层合晶片之前的过程中、管芯接合层和芯片的单个芯片制造过程中以及切割膜与管芯接合层的分离过程中产生大量的静电。因此，极有可能由于静电而出现各种问题，例如，形成在半导体晶片上的电路可能会被破坏，或者材料可能会吸附在电路上使得电路被污染。当出现这些问题时，存在最终产品的可靠性降低并且产品的良品率降低的问题。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供能够赋予抗静电性能并且减少在半导体封装过程期间产生的静电的发生，从而提高封装的可靠性并且防止半导体器件损坏的切割管芯接合膜，以及使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。技术方案本专利技术提供了切割管芯接合膜，其包括：基底；形成在基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在抗静电层上的粘着层(cohesivelayer)；以及形成在粘着层上的粘合层(adhesivelayer)。本专利技术还提供了使用切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。在下文中，将更详细地描述根据本专利技术的具体实施方案的切割管芯接合膜、和半导体晶片的切割方法。根据本专利技术的一个实施方案，可以提供切割管芯接合膜，其包括：基底；形成在基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在抗静电层上的粘着层；以及形成在粘着层上的粘合层。本专利技术人对改善拾取特性和防止薄半导体芯片损坏的方法进行了研究，并且通过实验发现，虽然在基底上形成了包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层，但是其不仅不影响现有的半导体制造工艺，而且通过赋予抗静电性能而不影响防止由于静电引起的缺陷的可靠性，从而完成了本专利技术。如上所述，抗静电层可以包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料。在此，由于抗静电层包含脂族或脂环族聚氨酯树脂，所以可以防止抗静电层的光学特性劣化的现象，并且可以使基底和粘着层彼此牢固地接合。具体地，脂族或脂环族聚氨酯树脂可以包括脂族多异氰酸酯与多元醇的反应物。此外，脂族或脂环族聚氨酯树脂可以包括多元醇(a)、脂族或脂环族多异氰酸酯化合物(b)、以及包括含有亲水性官能团的二醇化合物或二胺化合物的扩链剂(c)的反应物。脂族或脂环族多异氰酸酯化合物是指包含脂族或脂环族基团的具有复数个异氰酸酯基的化合物，并且可以由式Q(NCO)n表示。在这种情况下，n为2至4的整数，并且Q可以为包含2至18个碳原子、优选6至10个碳原子的脂族或脂环族官能团。这样的基于多异氰酸酯的化合物的具体实例包括亚乙基二异氰酸酯、1,4-四亚甲基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯(HDI)、1,12-十二烷二异氰酸酯、1-异氰酸基-3,3,5-三甲基-5-异氰酸基甲基-环己烷、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、其两者或更多者的混合物等。可以使用各种类型的多元醇来合成聚氨酯树脂。具体地，多元醇可以是包括具有2至10个碳原子的多元羧酸与二醇化合物的反应物的聚酯多元醇。可以在聚酯多元醇的合成中使用的二醇化合物可以包括乙二醇、1,4-丁二醇、二乙二醇、或者其两者或更多者的混合物。除了上述含有亲水性官能团的二醇化合物或二胺化合物之外，扩链剂还可以包括选自乙二醇和1,4-丁二醇中的至少一种二醇化合物。脂族或脂环族聚氨酯树脂的具体物理特性没有限制，但是例如，脂族或脂环族聚氨酯树脂的重均分子量可以为50,000g/mol至500,000g/mol，优选为100,000g/mol至400,000g/mol。此外，抗静电层的伸长率为90％或更大、90％至600％或100％至500％。当在使用切割管芯接合膜的过程期间和在拉伸过程期间抗静电层的伸长率小于100％时，抗静电层自身破裂，这导致导电聚合物之间的导电路径的损失，从而可能使抗静电层的功能丧失，或者可能出现由于与基底分离而产生的抗静电层消失的现象。同时，导电填料可以包括本领域公知的有机导电填料或无机导电填料。更具体地，导电填料可以包括选自以下中的至少一者：聚苯胺、聚乙炔、聚(对亚苯基)、聚噻吩、聚吡咯、聚亚二烯基、聚亚苯基亚乙烯、聚苯硫醚、聚氮化硫、聚亚乙基3,4-二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT-PSS)和聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。基于100重量份的脂族或脂环族聚氨酯树脂，抗静电层可以包含5重量份至100重量份的导电填料。当导电填料的含量与脂族或脂环族聚氨酯树脂相比太小时，抗静电层由于缺乏导电材料而导致表面电阻增加，因此可能无法表现出抗静电特性。当导电填料的含量与脂族或脂环族聚氨酯树脂相比太高时，难以产生具有均匀厚度并且均匀地涂覆有填料的抗静电层，切割带的导电性可能由于导电填料而劣化，并且可能难以充分确保切割后的拾取特性。抗静电层的厚度可以为0.05μm至5μm。当抗静电层的厚度太小时，如上所述，抗静电层中由于缺乏导电材料，表面电阻可能会增加，因此可能无法表现出抗静电特性。当抗静电层的厚度太大时，随着抗静电层的厚度变厚，会影响现有切割带的物理特性，并且可能导致现有可加工性和拉伸特性的劣化。此外，抗静电层的表面电阻可以为1011Ω/平方或更小，优选108Ω/平方或更小。如果粘着剂的表面电阻超过1011Ω/平方，则可能降低被赋予切割管芯接合膜的抗静电性能。在本专利技术中，粘着剂的表面电阻的下限没有特别限制。同时，基底的具体类型没有特别限制，只要其是通常使用的聚合物基底膜即可。例如，基底可以包含选自以下中的至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割管芯接合膜，包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171214 KR 10-2017-0172472;20180712 KR 10-2018-001.一种切割管芯接合膜，包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层。


2.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述抗静电层的伸长率为90％或更大。


3.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述抗静电层的表面电阻为1011Ω/平方或更小。


4.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述脂族或脂环族聚氨酯树脂包含脂族多异氰酸酯与多元醇的反应物。


5.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述抗静电层的厚度为0.05μm至5μm。


6.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
基于100重量份的所述脂族或脂环族聚氨酯树脂，所述抗静电层包含5重量份至100重量份的所述导电填料。


7.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述导电填料包括选自以下中的至少一者：聚苯胺、聚乙炔、聚(对亚苯基)、聚噻吩、聚吡咯、聚亚二烯基、聚亚苯基亚乙烯基、聚苯硫醚...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩智浩，金塞拉，宋文燮，李光珠，柳营任，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR