【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】键合垫层系统、气体传感器和用于制造气体传感器的方法
本专利技术涉及一种键合垫层系统、一种气体传感器和一种用于制造气体传感器的方法。
技术介绍
虽然可以使用任意的微机械构件，但本专利技术和基于本专利技术的问题参照具有气体传感器芯片的构件阐释。在制造微机械气体传感器时，通常在制成具有悬置的介电膜片(在该膜片中存在由铂制成的加热结构并且在该膜片上还存在叉指电极结构)的微机械芯片之后，将膏点施加到电极上，当确定的气体在该膏点附近时，该膏点例如改变其电阻，如在EP0859231A1中描述的那样。在施加膏点之后，必须烧结该膏点，以便可以除去有机的膏成分并且调设出期望的气体敏感性。所述烧结通常在可以明显超过400℃的温度中发生，如在DE102015209267A1中描述的那样。因为在烧结膏时微机械下部结构/传感器芯片已经完全处理，该微机械下部结构/传感器芯片必须能够在没有功能损害的情况下经受住烧结过程。这也意味着，键合垫和与印制导线平面的键合垫连接部在烧结过程期间不应分解。在市场上已经存在以微机械的方式制造的气体传...
【技术保护点】
1.键合垫层系统(1)，该键合垫层系统包括：/n作为基底的半导体芯片(11)，在该半导体芯片上依次沉积有：/n钽层(6)，/n第一铂层(5)，/n氮化钽层(4)，/n第二铂层(3)，和/n金层(2)，/n其中，在所述金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170623 DE 102017210585.21.键合垫层系统(1)，该键合垫层系统包括：
作为基底的半导体芯片(11)，在该半导体芯片上依次沉积有：
钽层(6)，
第一铂层(5)，
氮化钽层(4)，
第二铂层(3)，和
金层(2)，
其中，在所述金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。
2.根据权利要求1所述的键合垫层系统(1)，其中，所述半导体芯片(11)是微机械半导体芯片，在该微机械半导体芯片中集成有包括介电层(13、14)的至少一个悬置的介电膜片、铂印制导线(10)和由铂制成的加热件(15)。
3.根据权利要求1或2所述的键合垫层系统(1)，其中，至少一个键合垫(8)基本上位于所述半导体芯片(11)上的接触孔(9)的区域中，在该接触孔中借助于环形接触部实现引导至所述加热件(15)的铂印制导线(10)的电接触。
4.根据权利要求1、2或3所述的键合垫层系统(1)，其中，至少一个键合垫(8)基本上位于所述半导体芯片(11)上的所述接触孔(9)外部的区域中。
5.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，
所述钽层(6)的层厚度为2-200纳米，
所述第一铂层(5)的层厚度为50-1000纳米，
所述氮化钽层(4)的层厚度为2-200纳米，
所述第二铂层(3)的层厚度为2-400纳米，并且
所述金层(2)的层厚度为50-1000纳米。
6.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，
所述钽层(6)的层厚度为5-50纳米，
所述第一铂层(5)的层厚度为100-500纳米，
所述氮化钽层(4)的层厚度为5-50纳米，
所述第二铂层(3)的层厚度为10-150纳米，并且
所述金层(2)的层厚度为200-600纳米。
7.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·克瑙斯，H·内德尔曼，B·克莱因，V·孔德拉绍夫，R·巴拉基，M·拉皮萨，H·韦伯，A·朔伊尔勒，I·西蒙，M·德尔霍伊西，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。