横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓技术

本发明专利技术适用于半导体器件技术领域，提供了一种横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓，该方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并制备n型掺杂氧化镓台面；在所述n型掺杂氧化镓台面上制备介质层台面，获得样品；在所述样品的第一端沉积阳极金属制备阳极电极，在所述样品的第二端上沉积阴极金属制备阴极电极，使得可以通过外延制备n型掺杂氧化镓沟道层的方法，提高横向结构氧化镓的击穿电压和导通特性，以及通过阳极电极和介质层台面形成的阳极场板，改变横向结构氧化镓电场分布，使阳极下的电场分布更加均匀，提高横向结构氧化镓的击穿特性和导通特性。

Preparation method and transverse structure of gallium oxide

【技术实现步骤摘要】
横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓
本专利技术属于半导体器件
，尤其涉及一种横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓。
技术介绍
氧化镓(Ga2O3)与以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料相比较，具有更宽的禁带宽度，其击穿场强相当于SiC和GaN的2倍以上。因此从理论上说，在制造相同耐压的二极管器件时，器件的导通电阻可降为SiC的1/10以及GaN的1/3。另外，氧化镓半导体材料的巴利伽优值是SiC的18倍，是GaN的4倍以上，因此氧化镓是一种性能优异的宽禁带半导体材料，其适于功率器件和高压开关器件的制备。然而，虽然超宽禁带氧化镓肖特基二极管虽然具有高击穿、低导通电阻等优势，但由于氧化镓材料难以实现有效的P型注入，导致镜像力致势垒降低效应限制氧化镓肖特基二极管特性，使得超宽禁带氧化镓肖特基二极管的击穿电压和导通特性还远低于氧化镓材料的预期值，因此开发新型半导体器件终端结构势在必行。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓，以解决现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向结构氧化镓的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并制备n型掺杂氧化镓台面；/n在所述n型掺杂氧化镓台面上制备介质层台面，获得样品，其中，所述介质层台面的一端与所述n型掺杂氧化镓台面对齐，另一端在n型掺杂氧化镓台面范围内；/n在所述样品的第一端沉积阳极金属制备阳极电极，在所述样品的第二端上沉积阴极金属制备阴极电极，所述第一端为所述介质层台面与所述n型掺杂氧化镓台面边缘对齐的一端；所述第二端为所述介质层台面与所述n型掺杂氧化镓台面边缘未对齐的一端。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向结构氧化镓的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并制备n型掺杂氧化镓台面；
在所述n型掺杂氧化镓台面上制备介质层台面，获得样品，其中，所述介质层台面的一端与所述n型掺杂氧化镓台面对齐，另一端在n型掺杂氧化镓台面范围内；
在所述样品的第一端沉积阳极金属制备阳极电极，在所述样品的第二端上沉积阴极金属制备阴极电极，所述第一端为所述介质层台面与所述n型掺杂氧化镓台面边缘对齐的一端；所述第二端为所述介质层台面与所述n型掺杂氧化镓台面边缘未对齐的一端。


2.如权利要求1所述的横向结构氧化镓的制备方法，其特征在于，所述在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，包括：
在衬底上生成未掺杂的氧化镓层；
在所述未掺杂的氧化镓层上外延n型掺杂氧化镓沟道层。


3.如权利要求1或2所述的横向结构氧化镓的制备方法，其特征在于，所述n型掺杂氧化镓沟道层中的掺杂金属为硅、锡或者锗，掺杂浓度为1.0×1015cm-3至1.0×1020cm-3；
所述n型掺杂氧化镓沟道层的厚度为10nm至50μm。


4.如权利要求1或2所述的横向结构氧化镓的制备方法，其特征在于，所述衬底包括高阻氧化镓衬底、半绝缘碳化硅衬底、氧化镁衬底或者蓝宝石衬底中任一种。


5.如权利要求1所述的横向结构氧化镓的制备方法，其特征在于，所述n型掺杂氧化镓台面的两个短边在所述衬底的两个短边范围内；
所述n型掺杂氧化镓台面的台面角度为大于或等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕元杰，刘宏宇，王元刚，周幸叶，宋旭波，梁士雄，谭鑫，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13