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本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓，该方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并制备n型掺杂氧化镓台面；在所述n型掺杂氧化镓台面上制备介质层台面，获得样品；在所述样品的第一端沉积阳极金...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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