集成电路制造技术

集成电路。一种静态随机存取记忆体单元包含第一至第五介电鳍片，其沿第一方向依序设置并以第二方向为长度方向，第一及第五介电鳍片定义静态随机存取记忆体单元的两边缘；第一N型半导体鳍片，设置于第一及第二介电鳍片之间；第二N型半导体鳍片，设置于第四及第五介电鳍片之间；第一P型半导体鳍片，设置于第二及第三介电鳍片之间；第二P型半导体鳍片，设置于第三及第四介电鳍片之间，每个第一及第二N型半导体鳍片以及每个第一及第二P型半导体鳍片以第二方向为长度方向；以及栅极结构，以第一方向为长度方向设置，栅极结构接合一或多个介电鳍片。

Integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本揭露是关于一种集成电路。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)工业历经了指数性成长。在集成电路材料与设计方面的科技进步，造成了各世代的集成电路相较于前个世代具有更小以及更复杂的电路。在集成电路的演变过程中，功能性密度(例如每个晶片区域的内连接装置的数量)逐渐增加，同时其几何尺寸(例如制程所能产生的最小元件(或线))逐渐降低。此尺寸降低的程序有益于增加产能效率以及降低相关成本。尺寸的降低也增加集成电路的处理以及制造的复杂性，为了实现这些优点，在集成电路的处理以及制造方面也需要相应的发展。举例而言，在鳍式场效晶体管(fin-likefieldeffecttransistor；FinFET)制造过程中，面临的挑战是如何在提供装置(例如静态随机存取记忆体(staticrandomaccessmemory；SRAM)单元)高电路性能时，达到提升鳍片密度且降低鳍片尺寸的需求。在许多例子中，鳍片尺寸的降低可能会导致许多问题，例如增加的源极/漏极接触电阻以及耦合电容，这些问题在许多方面对SRAM单元中装置的效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：/n一第一静态随机存取记忆体(SRAM)单元，以一第一方向为该第一SRAM单元的长度方向且以一第二方向为该第一SRAM单元的宽度方向，其中该第二方向大致垂直于该第一方向，其中该第一SRAM单元包含：/n一第一介电鳍片、一第二介电鳍片、一第三介电鳍片、一第四介电鳍片以及一第五介电鳍片，沿该第一方向依序设置并以该第二方向为该第一至第五介电鳍片的长度方向设置，其中该第一与第五介电鳍片定义该第一SRAM单元的二个侧边；/n一第一P型半导体鳍片，设置于该第一及第二介电鳍片之间；/n一第二P型半导体鳍片，设置于该第四及第五介电鳍片之间；/n一第一N型半导体鳍片，设置于该...

【技术特征摘要】
20180731 US 16/050,7021.一种集成电路，其特征在于，包含：
一第一静态随机存取记忆体(SRAM)单元，以一第一方向为该第一SRAM单元的长度方向且以一第二方向为该第一SRAM单元的宽度方向，其中该第二方向大致垂直于该第一方向，其中该第一SRAM单元包含：
一第一介电鳍片、一第二介电鳍片、一第三介电鳍片、一第四介电鳍片以及一第五介电鳍片，沿该第一方向依序设置并以该第二方向为该第一至第五介电鳍片的长度方向设置，其中该第一与第五介电鳍片定义该第一SRAM单元的二个侧边；
一...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71