低损耗防反接的上电系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种低损耗防反接的上电系统，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻。采用本实用新型专利技术的低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN通信信号触发，上电开关闭合后给后级电源或者其他负载供电，实现了反接保护、低功耗设计与供电拓扑设计的解耦。

Power on system with low loss and anti reverse connection

【技术实现步骤摘要】
低损耗防反接的上电系统
本技术涉及电子
，具体是指一种低损耗防反接的上电系统。
技术介绍
一般地，在车载电子控制器领域，要求电子控制器在唤醒信号有效之前工作于休眠状态(消耗电流<100uA)，通常的设计实现方式为采用带有低功耗模式的系统基础芯片SBC，然而这种实现方式存在以下问题：(1)无法满足电池端反接保护需求，因此需要额外增加功率二极管，二极管的引入使得供电损耗增加且实际供电电压降低；(2)为满足供电需求和休眠状态低功耗需求，硬线唤醒(点火信号或其他外部硬线唤醒信号)、远程唤醒(CAN通信)等，需要使用集成度较高的专用芯片，这种专用芯片不能避免地存在成本高、通用性差的缺点；(3)供电拓扑受专用芯片限制，设计灵活性差。因此，需要一种兼顾低损耗和防反接的上电系统
技术实现思路
本技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻，所述的上电开关包括背靠背串联的MOSFET Q1和MOSFET Q2，所述的MOSFET Q1的D极用于接入电源，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的MOSFET Q2的S极，所述的MOSFET Q1的G极接入所述的MOSFET Q2的G极，所述的MOSFET Q2的D极用于输出电流电压，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的CAN收发器的电源输入端，所述的CAN收发器设置唤醒模块，所述的唤醒模块的唤醒信号输入端设置二极管，且所述的唤醒模块...

【技术特征摘要】
1.一种低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻，所述的上电开关包括背靠背串联的MOSFETQ1和MOSFETQ2，所述的MOSFETQ1的D极用于接入电源，所述的MOSFETQ1的S极接入所述的MOSFETQ2的S极，所述的MOSFETQ1的G极接入所述的MOSFETQ2的G极，所述的MOSFETQ2的D极用于输出电流电压，所述的MOSFETQ1的S极接入所述的CAN收发器的电源输入端，所述的CAN收发器设置唤醒模块，所述的唤醒模块的唤醒信号输入端设置二极管，且所述的唤醒模块设置成根据唤醒信号输出使能信号，所述的CAN收发器与所述的三极管相连接，所述的三极管通过两个分压电阻接入所述的MOSFETQ2的S极。


2.根据权利要求1所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的唤醒信号输入端包括至少一个硬线唤醒信号输入端，每个所述的硬线唤醒...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩伟，祁华铭，周宣，陈庆旭，
申请(专利权)人：上海金脉电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31