【技术实现步骤摘要】
应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法
本专利技术涉及一种量测方法，特别涉及一种应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法。
技术介绍
随着半导体制程技术不断地演进，金属镀膜制程搭配蚀刻或研磨制程大量应用在制作集成电路的连接导通，已成为先进制程的重要关键技术。传统的薄膜量测设备进行金属薄膜厚度的量测大多以接触式的量测技术为主。然而，金属薄膜不具透光性，多半是使用破坏性、接触式的四点探针量测方法来量测镀膜厚度，且接触式的量测方式会因为接触到金属薄膜而造成薄膜本体的损伤，导致传统量测技术通常是先撷取样品的一部分，并且以静态的方式进行量测，此外，传统量测设备的准确率只能量测到单一金属层的薄膜厚度，而无法针对多层薄膜结构进行量测。近年来，非接触式量测镀膜厚度的方法渐渐受到重视。已知的技术有利用对金属薄膜的特定区域施加特定热量，由金属薄膜的温度变化推算其厚度；利用对金属薄膜施加脉冲能量，由产生的声波振幅及频率来推算金属薄膜的厚度；利用对金属薄膜施加线圈磁场(magneticfieldofHelmholt...
【技术保护点】
1.一种应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，包含下列步骤︰/n(A)备置设置在所述PCB多层板的上层的第一感测单元，及设置在所述PCB多层板的下层的第二感测单元；/n(B)所述第一、二感测单元分别产生交变磁场，并向所述PCB多层板的上、下层表面产生感应电动势或电场，所述上、下层的金属面的阻抗形成位于所述上、下层表面的涡电流或反射信号，所述第一、二感测单元量测所述涡电流或反射信号，以得到位于所述上层的第一阻抗值，以及位于所述下层的第二阻抗值；/n(C)形成于所述上、下层的涡电流或反射信号产生自所述上、下层反射的逆电动势或再反射信号，所述第一、二感测单元量测所述逆...
【技术特征摘要】
20180725 TW 1071257591.一种应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，包含下列步骤︰
(A)备置设置在所述PCB多层板的上层的第一感测单元，及设置在所述PCB多层板的下层的第二感测单元；
(B)所述第一、二感测单元分别产生交变磁场，并向所述PCB多层板的上、下层表面产生感应电动势或电场，所述上、下层的金属面的阻抗形成位于所述上、下层表面的涡电流或反射信号，所述第一、二感测单元量测所述涡电流或反射信号，以得到位于所述上层的第一阻抗值，以及位于所述下层的第二阻抗值；
(C)形成于所述上、下层的涡电流或反射信号产生自所述上、下层反射的逆电动势或再反射信号，所述第一、二感测单元量测所述逆电动势或再反射信号，以得到自所述上层反射的第三阻抗值，以及自所述下层反射的第四阻抗值；及
(D)处理单元与所述第一、二感测单元电连接并依据所述第一、二感测单元所取得的第一、二、三、四阻抗值执行厚度计算，以取得所述PCB多层板的上层的第一厚度，以及所述下层的第二厚度。
2.根据权利要求1所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一厚度的厚度计算是将所述上层的第一、三阻抗值差值除以所述第一、二感测单元向所述上、下层表面产生感应电动势或电场的作用面积，而所述第二厚度的厚度计算是将所述下层的第二、四阻抗值差值除以所述第一、二感测单元向所述上、下层表面产生感应电动势或电场的作用面积。
3.根据权利要求2所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元的波束宽度(BeamWidth)为X，所述PCB多层板与所述上、下层的间距各为d，所述PCB多层板的作用面积A为((tanθX/2xd)x2)2。
4.根据权利要求3所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元的波束宽度X为61度。
5.根据权利要求4所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元与所述PCB多层板的上、下层的间距介于0.1mm～10mm。
6.根据权利要求5所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元为微带天线，用以非接触式量测所述上、下层的金属层的厚度，...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。