一种拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器制造技术

本发明专利技术公开了一种拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，阻尼器缸筒的外缸筒套装在内缸筒上，外缸筒和内缸筒的顶部设置有缸筒上端盖，底部设置有缸筒下端盖，内缸筒内设置有活塞杆，活塞杆的活塞头处沿圆周面等距分布多个防沉淀结构，活塞头与缸筒下端盖之间的内缸筒内设置有缸筒下腔盖，缸筒下腔盖上设置有多个防沉淀结构，阻尼发生器上设置有阻尼发生器出液口和阻尼发生器进液口，阻尼发生器进液口与外缸筒的顶部连通；阻尼发生器出液口与外缸筒的底部连通。本发明专利技术结构简单，活塞行程大，磁场利用率高，增大了磁流变阻尼力，提高了失电安全性，通过防沉淀结构使得拉伸阻尼力大于压缩阻尼力，且具有防沉淀的功效。

An anti precipitation MR damper with tensile force greater than compression force

【技术实现步骤摘要】
一种拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器
本专利技术属于磁流变阻尼器
，具体涉及一种拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器。
技术介绍
磁流变液属于可控流体，由于其在磁场作用下的流变是瞬间的、可逆的，而且其流变后的剪切屈服强度与磁场强度具有稳定的对应关系，因此是一种用途广泛、性能优良的智能材料。磁流变阻尼器是一种半主动阻尼器件，是依据磁流变液在有磁场作用下流动性能发生改变的原理制作，具有响应速度快、调节范围宽、输出阻尼力大等优点。目前，已经广泛应用于车辆等很多减振领域。应用于振动领域的磁流变阻尼器形式很多，但大多都是将线圈缠绕在活塞头上，阻尼通道存在于活塞头上或者活塞头与缸筒之间的圆环间隙。通过改变电流的大小改变阻尼间隙磁流变液的剪切屈服强度，从而使得阻尼力发生变化。当前很多领域，例如大型特种车辆等需要产生拉伸大于压缩阻尼力的性能优越的阻尼器，但是传统的磁流变阻尼器存在很多以下的缺陷：(1)磁场利用率不够高，阻尼器没有充分利用电磁线圈产生的磁场，造成产生的阻尼力不够大。(2)该类阻尼器的运动行程较小，很难满足一定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，包括阻尼器缸筒和阻尼发生器，阻尼器缸筒包括外缸筒(4)和内缸筒(5)，外缸筒(4)套装在内缸筒(5)上，外缸筒(4)和内缸筒(5)的顶部设置有缸筒上端盖(2)，底部设置有缸筒下端盖(10)，内缸筒(5)内设置有活塞杆(3)，活塞杆(3)的活塞头处沿圆周面等距分布多个防沉淀结构(6)，活塞头与缸筒下端盖(10)之间的内缸筒(5)内设置有缸筒下腔盖(8)，缸筒下腔盖(8)上设置有多个防沉淀结构(6)，阻尼发生器上设置有阻尼发生器出液口(15)和阻尼发生器进液口(16)，阻尼发生器进液口(16)经一个高压软管(29)与外缸筒(4)的顶部连通...

【技术特征摘要】
1.一种拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，包括阻尼器缸筒和阻尼发生器，阻尼器缸筒包括外缸筒(4)和内缸筒(5)，外缸筒(4)套装在内缸筒(5)上，外缸筒(4)和内缸筒(5)的顶部设置有缸筒上端盖(2)，底部设置有缸筒下端盖(10)，内缸筒(5)内设置有活塞杆(3)，活塞杆(3)的活塞头处沿圆周面等距分布多个防沉淀结构(6)，活塞头与缸筒下端盖(10)之间的内缸筒(5)内设置有缸筒下腔盖(8)，缸筒下腔盖(8)上设置有多个防沉淀结构(6)，阻尼发生器上设置有阻尼发生器出液口(15)和阻尼发生器进液口(16)，阻尼发生器进液口(16)经一个高压软管(29)与外缸筒(4)的顶部连通；阻尼发生器出液口(15)经另一个高压软管(29)与外缸筒(4)的底部连通。


2.根据权利要求1所述的拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，缸筒上端盖(2)的中心设置有圆形通孔，活塞杆(3)的一端贯穿圆形通孔伸出至缸筒上端盖外部，伸出端通过螺纹连接活塞杆上耳环(1)，缸筒上端盖(2)与活塞杆(3)之间设置有密封圈(7)；外缸筒(4)上对应缸筒上端盖(2)处设置有缸筒上出液口(12)，缸筒上出液口(12)通过一个高压软管(29)与阻尼发生器进液口(16)连接；外缸筒(4)对应内缸筒(5)和缸筒下端盖(10)处设置有缸筒下进液口(14)，缸筒下进液口(14)通过另一个高压软管(29)与阻尼发生器出液口(15)连接；缸筒下端盖(10)的下端设置有下耳座(11)；外缸筒(4)上还设置有氮气充气口(13)，外缸筒(4)与氮气充气口(13)之间通过螺纹密封连接。


3.根据权利要求2所述的拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，缸筒下腔盖(8)与内缸筒(5)之间、缸筒下端盖(10)与外缸筒(4)之间、缸筒下端盖(10)与内缸筒(5)之间、外缸筒(4)与内缸筒(5)之间、缸筒上端盖(2)与内缸筒(5)之间、缸筒上端盖(2)与外缸筒(4)之间以及活塞头与内缸筒(5)之间均为间隙配合；缸筒下端盖(10)与外缸筒(4)之间、缸筒下端盖(10)与内缸筒(5)之间、外缸筒(4)与内缸筒(5)之间、缸筒上端盖(2)与内缸筒(5)之间、缸筒上端盖(2)与外缸筒(4)之间以及活塞头与内缸筒(5)之间分别设置有密封圈(7)。


4.根据权利要求1所述的拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，活塞头处至少设置四个防沉淀结构(6)，缸筒下腔盖(8)上至少设置五个防沉淀结构(6)，其中一个设置在缸筒下腔盖(8)的圆心处，剩余四个距离轴心等距离设置。


5.根据权利要求4所述的拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，防沉淀结构(6)包括套筒A、结构B和钢球C，钢球C设置在套筒A和结构B之间，套筒A和结构B通过螺纹连接或者进行焊接连接，套筒A的四周及上表面均开有通流孔，结构B设置有锥形通道，套筒A与活塞头或缸筒下腔盖(8)之间分别设置有密封圈(7)，套筒A与活塞头或缸筒下腔盖(8)之间螺纹连接。


6.根据权利要求1所述的拉伸大于压缩阻尼力的防沉淀磁流变阻尼器，其特征在于，缸筒下端盖(10)和缸筒下腔盖(8)的连接处四周与内缸筒(5)之间设置有六个下腔与内筒壁接口(9)，六个下腔与内筒壁接口(9)与内缸筒(5)和外缸筒(4)之间的底端连接；缸筒下端盖(10)的上端面呈锥形口，缸筒下端盖(10)和缸筒下腔盖(8)通过螺纹连接，缸筒下端盖(10)和缸筒下腔盖(8)的连接面四周的六个通孔上面和缸筒下腔盖(8)下表面相切，六个通孔下面和缸筒下端盖(10)上端面锥形口的上端相切。

【专利技术属性】
技术研发人员：董龙雷，严健，马琳婕，周嘉明，严亚亚，吴有福，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61