【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相变材料热存储系统中的主动结晶控制
本专利技术涉及通过经历熔化/结晶循环来存储和释放热能的相变材料(PCM)。
技术介绍
相变材料(PCM)通过经历熔化/结晶循环来存储和释放热能。关于PCM的一个问题是不一致的成核温度。成核——结晶过程的第一步——可能由于PCM过冷(保持在PCM的熔点以下但是没有结晶)而不发生,或者可能在不同的温度或在不同的时间或在不同的冷却速率等情况下自发发生。该问题已经解决并且通过在PCM容纳部内创建受控热区域来利用,这引起对引起一致、可预测和可选择的结晶的成核的控制。也可以通过添加籽晶来引发成核。例如,这可以通过经由机械装置即晶体滴管或类似的装置添加籽晶(即类似于将籽晶滴入过冷的溶液或液体中以引发本体中的结晶);或者在一些材料结晶时具有一定区域来完成。可以使结晶材料与本体过冷的溶液/液体接触,并且然后不接触;或者从其中存在籽晶但是未与本体过冷的溶液或液体充分地直接接触的受限定的几何结构释放籽晶以直到释放的时刻才引起本体的结晶,即带有裂纹的材料,例如冲压的金属板/盘可能具有的。例如,这些裂纹可以是微观裂纹,其中籽晶可以处于在它们的正常熔点以上,并且当它们被激活例如被弯曲时,然后裂纹打开并且释放籽晶从而引起本体溶液/液体的结晶。利用籽晶以引发结晶的方法主要可以应用在两种方法中:主动和被动。在主动方法中,(例如,通过电子信号、水流的存在、机械按钮、外部压力差)激活以下机构,在该机构中将籽晶释放或添加至本体溶液/液体中从而引起本体结晶。在物理实施方式中,该机构可以是例如 ...
【技术保护点】
1.一种热存储系统,其中,经由受控的热区域使过冷的相变材料(PCM)成核。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20170601 GB 1708724.81.一种热存储系统,其中,经由受控的热区域使过冷的相变材料(PCM)成核。
2.根据权利要求1所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是冷冲击并且所述冷冲击引发所述PCM的成核。
3.根据权利要求2所述的热存储系统,其中,经由蒸气压缩装置生成冷冲击并且所述冷冲击引发所述PCM的成核。
4.根据权利要求2所述的热存储系统,其中,经由热电装置生成冷冲击并且所述冷冲击引发所述PCM的成核。
5.根据权利要求2所述的热存储系统,其中,经由热交换管生成冷冲击并且所述冷冲击引发所述PCM的成核。
6.根据权利要求1所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是冷点并且所述冷点提供用于晶体生长的区域。
7.根据权利要求6所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是始终主动地保持一些PCM结晶的冷点。
8.根据权利要求7所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是始终主动地保持一些PCM结晶并且通过热电装置维持的冷点。
9.根据权利要求7所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是始终主动地保持一些PCM结晶并且通过蒸气压缩装置维持的冷点。
10.根据权利要求7所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是始终主动地保持一些PCM结晶并且通过热管维持的冷点。
11.根据权利要求7所述的热存储系统,其中,所述受控的热区域是始终主动地保持一些PCM结晶并且通过到比所述PCM低的温度的区域的热传导路径维持的冷点。
12.根据任一前述权利要求所述的热存储系统,其中,当所述PCM接近其熔点时,由于存在主动地保持一些PCM结晶的所维持的冷点,因此PCM系统在放电时不表现出过冷。
13.根据任一前述权利要求所述的热存储系统,其中,当所述PCM高于/接近成一些核剂的失活温度时,由于存在主动地使所述一些成核剂保持在其失活温度以下的所维持的冷点,因此PCM系统在放电时不表现出过冷。
14.根据任一前述权利要求所述的热存储系统,其中,所述热电装置由堆叠的一个或更多个热电装置组成,可选地在热电界面之间具有散热器,最终的冷面与散热器以及热隔离器形成冷集中器。
15.根据权利要求14所述的热存储系统,其中,所述冷面与所述PCM接触并且热面与以下中的任一个热接触:周围环境、PCM热交换器或另一PCM存储系统。
16.根据权利要求14和15中任一项所述的热存储系统,其中,冷面具有冷集中器。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的热存储系统,其中,所述热电装置或蒸汽压缩装置的热侧与以下中的任一个热接触:周围环境、PCM热交换器或另一PCM存储器。
18.根据任一前述权利要求所述的热存储系统,其中,电存储器通过所述热电装置进行充电;然后,相同的热电装置利用相同的电存储器生成冷以在稍后的时间如在前述权利要求中那样起作用。
技术研发人员:安德鲁·约翰·比塞尔,毛里齐奥·萨利奥,大卫·奥利弗,桑托克·辛格·加塔奥拉,
申请(专利权)人:松耐普有限公司,
类型:发明
国别省市:英国;GB
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