TFT电性侦测校正方法、装置、系统及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种TFT电性侦测校正方法、装置、系统及显示装置，该方法包括以下步骤：获取显示设备的各个子像素的栅源电压比；在预设采样时间内侦测各驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压，并根据各驱动型TFT的输入电压和各预设采样时间内的侦测电压，得到各常量K值；根据标准子像素的栅源电压比，标准子像素的常量K值和补偿子像素的栅源电压比，依次对各补偿子像素的常量K值进行校正，得到各补偿因子；根据各补偿因子，依次对相应的补偿子像素的像素电压进行校正，得到校正后的像素电压。本申请能够实现消除因子像素的栅源电压比的差异造成的相应常量K值的误差，从而提升了常量K值侦测的准确性，提高了TFT电学侦测的补偿精度。

Method, device, system and display device of TFT electrical detection and correction

【技术实现步骤摘要】
TFT电性侦测校正方法、装置、系统及显示装置
本申请涉及显示器
，更具体地说，涉及一种TFT电性侦测校正方法、装置、系统及显示装置。
技术介绍
随着显示设备的发展，对于显示设备的驱动电路成为了重要的研究热点。对于电流型驱动的显示设备，其发光亮度取决于流过DrivingTFT(驱动型薄膜晶体管)的栅源电流。而显示设备的每个子像素的常量K值都存在一定差异，导致输入相同的电压，显示器的亮度不同。其中，K值与TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的参数特性相关。目前，业内通过外部侦测补偿技术补偿常量K值的差异，常量K值侦测的准确性低，补偿误差大。在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：传统的通过外部侦测补偿技术补偿常量K值，常量K值侦测的准确性低，补偿误差大。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的通过外部侦测补偿技术补偿常量K值，常量K值侦测的准确性低，补偿误差大的问题，提供一种TFT电性侦测校正方法、装置、系统及显示装置。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种TFT电性侦测校正方法，包括以下步骤：获取显示设备的各个子像素的栅源电压比；栅源电压比为采样阶段驱动型TFT的栅源电压与感应阶段驱动型TFT的栅源电压的比值；在预设采样时间内侦测各驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压，并根据各驱动型TFT的输入电压和各预设采样时间内的侦测电压，得到各常量K值；根据标准子像素的栅源电压比，标准子像素的常量K值和补偿子像素的栅源电压比，依次对各补偿子像素的常量K值进行校正，得到各补偿因子；标准子像素为从各子像素中的任意选取一个得到；补偿子像素为各子像素中除去标准子像素剩余的子像素；根据各补偿因子，依次对相应的补偿子像素的像素电压进行校正，得到校正后的像素电压。在其中一个实施例中，在预设采样时间内侦测各驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压的步骤包括：在所述采样阶段，基于预设采样时间依次对各所述驱动型TFT的输出电压进行采样，得到各所述侦测电压。在其中一个实施例中，获取显示设备的各个子像素的栅源电压比的步骤包括：将显示设备的一个子像素为单位，获取各子像素的栅源电压比。在其中一个实施例中，获取显示设备的各个子像素的栅源电压比的步骤还包括：将显示设备的预设数量子像素作为像素区域，获取各像素区域的区域栅源电压比；根据各区域栅源电压比，得到各子像素的栅源电压比；其中，同一像素区域内的各子像素的栅源电压比相同。在其中一个实施例中，依次对各补偿子像素的常量K值进行校正，得到各补偿因子的步骤中，补偿因子通过以下公式得到：其中，gAi为第i个补偿子像素的补偿因子，i为1,2,3……n(n为整数)；ΔVB为标准子像素的侦测电压；b为标准子像素的栅源电压比；ΔVAi为第i个补偿子像素的侦测电压，i为1,2,3……n(n为整数)；ai为第i个补偿子像素的栅源电压比，i为1,2,3……n(n为整数)。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种TFT电性侦测校正装置，包括：栅源电压比获取单元，用于获取显示设备的各个子像素的栅源电压比；栅源电压比为采样阶段驱动型TFT的栅源电压与感应阶段驱动型TFT的栅源电压的比值；K值获取单元，用于在预设采样时间内侦测各驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压，并根据各驱动型TFT的输入电压和各预设采样时间内的侦测电压，得到各常量K值；K值补偿单元，用于根据标准子像素的栅源电压比，标准子像素的常量K值和补偿子像素的栅源电压比，依次对各补偿子像素的常量K值进行校正，得到各补偿因子；标准子像素为从各子像素中的任意选取一个得到；补偿子像素为各子像素中除去标准子像素剩余的子像素；电压补偿单元，用于根据各补偿因子，依次相应的补偿子像素的像素电压进行校正，得到校正后的像素电压。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种TFT电性侦测校正系统，包括用于连接数据驱动器的处理器；处理器用于执行上述任一项TFT电性侦测校正方法的步骤。在其中一个实施例中，还包括连接处理器的存储器；存储器用于存储各子像素的栅源电压比和各常量K值。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括数据驱动器、栅极驱动器，显示面板，以及如上述的TFT电性侦测校正系统；栅极驱动器连接显示面板；显示面板连接数据驱动器；处理器分别连接栅极驱动器和数据驱动器。在其中一个实施例中，显示面板为电流驱动型显示面板。上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：上述的TFT电性侦测校正方法的各实施例中，通过获取显示设备的各子像素的栅源电压比，以及侦测得到的各子像素的常量K值；根据标准子像素的栅源电压比，标准子像素的常量K值和补偿子像素的栅源电压比，依次对各补偿子像素的常量K值进行校正，得到各补偿因子；根据各补偿因子，依次相应的补偿子像素的像素电压进行校正，进而得到校正后的像素电压。本申请能够实现消除因子像素的栅源电压比的差异造成的相应常量K值的误差，从而提升了常量K值侦测的准确性，提高了TFT电学侦测的补偿精度，使得显示设备的各个像素亮度相同。附图说明下面将结合附图及实施例对本申请作进一步说明，附图中：图1为一个实施例中TFT电性侦测校正方法的应用环境图；图2为一个实施例中TFT电性侦测校正方法的第一流程示意图；图3为一个实施例中3T1COLED驱动像素电路示意图；图4为一个实施例中3T1COLED驱动像素电路的栅源电压信号波形图；图5为一个实施例中TFT电性侦测校正方法的第二流程示意图；图6为一个实施例中TFT电性侦测校正装置的方框示意图；图7为一个实施例中TFT电性侦测校正系统的第一结构示意图；图8为一个实施例中TFT电性侦测校正系统的第二结构示意图；图9为一个实施例中显示装置的结构示意图。具体实施方式为了对本申请的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本申请的具体实施方式。本申请提供的TFT电性侦测校正方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，处理器102与显示设备104连接。处理器102可以但不限于是单片机或ARM(AdvancedRISCMachine，RISC微处理器)，显示设备104可以用独立的显示设备或者是多个显示设备组成的显示设备组合来实现。其中，显示设备102可以但不限于是OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)，Micro-LED(MicroLight-EmittingDiode微发光二极管)或Mini-LED(MiniLight-EmittingDiode小型发光二极管)等显示设备。在一个实施例中，如图2所示，提供了一种TFT电性侦测校正方法，以该方法应用于图1中的处理器102为例进行说明，包括以下步骤：步骤S210，获本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT电性侦测校正方法，其特征在于，包括以下步骤：/n获取显示设备的各个子像素的栅源电压比；所述栅源电压比为采样阶段驱动型TFT的栅源电压与感应阶段所述驱动型TFT的栅源电压的比值；/n在预设采样时间内侦测各所述驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压，并根据各所述驱动型TFT的输入电压和各预设采样时间内的所述侦测电压，得到各常量K值；/n根据标准子像素的栅源电压比，所述标准子像素的常量K值和补偿子像素的栅源电压比，依次对各所述补偿子像素的常量K值进行校正，得到各所述补偿因子；所述标准子像素为从各所述子像素中的任意选取一个得到；所述补偿子像素为各所述子像素中除去所述标准子像素剩余的子像素；/n根据各所述补偿因子，依次对相应的所述补偿子像素的像素电压进行校正，得到校正后的像素电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT电性侦测校正方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取显示设备的各个子像素的栅源电压比；所述栅源电压比为采样阶段驱动型TFT的栅源电压与感应阶段所述驱动型TFT的栅源电压的比值；
在预设采样时间内侦测各所述驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压，并根据各所述驱动型TFT的输入电压和各预设采样时间内的所述侦测电压，得到各常量K值；
根据标准子像素的栅源电压比，所述标准子像素的常量K值和补偿子像素的栅源电压比，依次对各所述补偿子像素的常量K值进行校正，得到各所述补偿因子；所述标准子像素为从各所述子像素中的任意选取一个得到；所述补偿子像素为各所述子像素中除去所述标准子像素剩余的子像素；
根据各所述补偿因子，依次对相应的所述补偿子像素的像素电压进行校正，得到校正后的像素电压。


2.根据权利要求1所述的TFT电性侦测校正方法，其特征在于，所述在预设采样时间内侦测各所述驱动型TFT的输出电压，得到各侦测电压的步骤包括：
在所述采样阶段，基于预设采样时间依次对各所述驱动型TFT的输出电压进行采样，得到各所述侦测电压。


3.根据权利要求1所述的TFT电性侦测校正方法，其特征在于，所述获取显示设备的各个子像素的栅源电压比的步骤包括：
将所述显示设备的一个子像素为像素单位，获取各所述子像素的栅源电压比。


4.根据权利要求1所述的TFT电性侦测校正方法，其特征在于，所述获取显示设备的各个子像素的栅源电压比的步骤还包括：
将所述显示设备的预设数量子像素作为像素区域，获取各所述像素区域的区域栅源电压比；
根据各所述区域栅源电压比，得到各所述子像素的栅源电压比；其中，同一所述像素区域内的各所述子像素的栅源电压比相同。


5.根据权利要求1所述的TFT电性侦测校正方法，其特征在于，所述依次对各所述补偿子像素的常量K值进行校正，得到各所述补偿因子的步骤中，所述补偿因子通过以下公式得到：



其中，gAi为第i个所述补偿...

【专利技术属性】
技术研发人员：付舰航，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44