高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质制造方法及图纸

本申请涉及一种高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质。高耦合分裂电抗器建模方法包括：建立理想耦合电抗器子模型；根据高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数，确定高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵；确定理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵；根据高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵与理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵的差，确定高频模块子模型的四阶导纳矩阵；根据高频模块子模型的四阶导纳矩阵，采用四端口π形等效电路，通过图像法拟合得到高频模块子模型；将高频模块子模型与理想耦合电抗器子模型并联，得到高耦合分裂电抗器模型。本申请提供的高耦合分裂电抗器建模方法精确的高。

Modeling method, device, computer equipment and medium of high coupling split reactor

【技术实现步骤摘要】
高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质
本申请涉及电力电子电路仿真
，特别是涉及一种高耦合分裂电抗器建模方法、装置、计算机设备及介质。
技术介绍
近年来，随着电力系统的快速发展，系统短路电流水平急剧增加，短路电流水平的不断增加对电网造成了严重的后果，制约了电力系统的发展。因此，必须采取有效的措施来限制短路故障电流。基于高耦合分裂电抗器的故障限流器由于具备均流工况损耗小、限流能力强、经济性优秀等优点，在电力系统限制短路故障电流方面有重要应用。基于高耦合分裂电抗器的故障限流器的核心组件就是高耦合分裂电抗器。高耦合分裂电抗器是由反向紧耦合的两臂线圈组成，通常采用空心结构。当高耦合分裂电抗器的两臂同时接入电力系统时，故障限流器工作于均流工况，呈很低的阻抗；当高耦合分裂电抗器的单臂断开，仅一臂接入电力系统时，故障限流器工作于限流工况，呈很大阻抗，可有效限制故障电流。在故障限流器的设计阶段，主要通过仿真的方法来研究其对电力系统的影响，以及电力系统对电抗器绝缘水平的要求。因此，建立稳定、精确的模型才能保证得到准确的结论本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高耦合分裂电抗器建模方法，其特征在于，所述方法用于建立高耦合分裂电抗器模型，所述高耦合分裂电抗器模型包括相互并联的理想耦合电抗器子模型和高频模块子模型，所述方法包括：/n建立所述理想耦合电抗器子模型，其中，所述理想耦合电抗器子模型用于模拟无杂散电容和杂散电感影响的高耦合分裂电抗器；/n根据所述高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数，确定多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵；/n确定所述多个频率点对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵；/n根据所述多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵与所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵的差，确定所述...

【技术特征摘要】
1.一种高耦合分裂电抗器建模方法，其特征在于，所述方法用于建立高耦合分裂电抗器模型，所述高耦合分裂电抗器模型包括相互并联的理想耦合电抗器子模型和高频模块子模型，所述方法包括：
建立所述理想耦合电抗器子模型，其中，所述理想耦合电抗器子模型用于模拟无杂散电容和杂散电感影响的高耦合分裂电抗器；
根据所述高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数，确定多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵；
确定所述多个频率点对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵；
根据所述多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵与所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵的差，确定所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵；
根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，采用四端口π形等效电路，通过图像法拟合得到所述高频模块子模型；
将所述高频模块子模型与所述理想耦合电抗器子模型并联，得到所述高耦合分裂电抗器模型。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，采用四端口π形等效电路，通过图像法拟合得到所述高频模块子模型，包括：
根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，确定所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端地导纳和/或端间导纳，其中，所述端地导纳是指端与地之间的导纳值，所述端间导纳是指两个端之间的导纳值；
根据所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端间导纳，确定端间导纳频率特性曲线；
根据所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端地导纳，确定端地导纳频率特性曲线；
根据所述端地导纳频率特性曲线和/或所述端间导纳频率特性曲线，确定若干个导纳峰值；
根据所述若干个导纳峰值，通过图像法拟合，确定所述四端口π形等效电路的各个端的端间支路和端地支路，得到所述高频模块子模型，其中所述端间支路和所述端地支路均为RLCG支路。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述若干个导纳峰值，通过图像法拟合，确定所述四端口π形等效电路的各个端的端间支路和端地支路，得到所述高频模块子模型，包括：
根据所述若干个导纳峰值，根据公式(1)确定所述四端口π形等效电路的各个端的端间支路和端地支路，得到所述高频模块子模型；



其中，ymax为所述导纳峰值，a"k为极点虚部，a'k表示极点实部，c'k为留数实部，c"k为留数虚部，fmax为所述导纳峰值对应的频率，Ck为电容，Lk为电感，Rk为电阻，Gk为电导。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，确定所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端地导纳，包括：
将各个频率对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵的各行分别相加，得到各个频率对应的各个端的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，莫文雄，刘俊翔，乔胜亚，朱璐，苏海博，李光茂，陈俊，黄慧红，袁召，陈立学，伍开建，
申请(专利权)人：广州供电局有限公司，华中科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44