晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖制造技术

本发明专利技术公开一种晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖。所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石53～63%，石英：10～14%，方解石：11～15%，白云石：0～4%，氧化锌：10～12%，碳酸钡：0～2%，碳酸锶：2～4%。根据本发明专利技术，能够提供一种定位晶花陶瓷砖，其具有双层图案效果，釉下有高清的墨水图案层次，釉中有独具艺术效果的定位晶花图案层。

The crystal flower dry grain glaze and the positioning crystal flower ceramic brick made of the crystal flower dry grain glaze

【技术实现步骤摘要】
晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖
本专利技术涉及一种晶花干粒釉、使用该晶花干粒釉制得的具有定位晶花效果的陶瓷砖及其制备方法，属于陶瓷砖生产制造

技术介绍
近年来，建筑陶瓷生产技术得到了飞速的发展，各种新工艺、新配方得到不断的应用，墙地砖装饰效果的精细化、个性化成为陶瓷企业实现产品差异化的迫切需求。晶花釉是通过在釉中析出晶体从而在釉面形成美丽花纹效果的一类高档艺术釉，其独特的艺术装饰效果，极具观赏价值，很受市场的青睐，主要应用于日用陶瓷。中国专利CN104311155A公开了一种结晶釉瓷砖及其生产方法，将结晶熔块和晶种施布在常规瓷质砖坯上，升温至1130～1200℃，保温10～30min，接着降温至1000～1080℃，在此温度下保温1～2h，制得具有明显晶花效果的结晶釉瓷砖。采用此工艺生产的晶花砖烧成时间长，烧成条件苛刻，很难在建筑陶瓷目前的烧成制度条件下批量性生产，且生产成本高。中国专利CN102936156A公开了一种高温快烧结晶釉仿古砖的釉料及制备工艺。此工艺采用喷结晶有色基釉后再用丝网通网印刷结晶剂熔块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶花干粒釉，其特征在于，所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石53～63%，石英：10～14%，方解石：11～15%，白云石：0～4%，氧化锌：10～12%，碳酸钡：0～2%，碳酸锶：2～4%。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶花干粒釉，其特征在于，所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石53～63%，石英：10～14%，方解石：11～15%，白云石：0～4%，氧化锌：10～12%，碳酸钡：0～2%，碳酸锶：2～4%。


2.根据权利要求1所述的晶花干粒釉，其特征在于，所述晶花干粒釉通过如下方法得到：将所述各原料按配比混合并在1300～1400℃的温度下熔融成玻璃液，将玻璃液水淬后加工成30～100目的干粒。


3.根据权利要求1或2所述的晶花干粒釉，其特征在于，所述晶花干粒釉的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：55.0～60.0%、Al2O3：9.0～11.0%、Fe2O3：0～0.15%、TiO2：0～0.1%、CaO：6.5～11.0%、MgO：0～1.5%、K2O：6.0～7.0%、Na2O：0.5～1.5%、ZnO：10.5～12.5%、BaO：0～2.0%、SrO：1.5～3.0%、烧失：0.5～1.0%。


4.一种使用权利要求1至3中任一项所述的晶花干粒釉制得的陶瓷砖。


5.一种权利要求4所述的陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在坯体上喷墨打印图案；
在打印有图案的坯体上定位布施晶核剂；
在布施有晶核剂的坯体上布施所述晶花干粒釉；
将布施有晶花干粒釉的坯体烧成、采用全抛工艺抛光。


6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在坯体上施釉后再喷墨打印图...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘利敏，王贤超，汪陇军，杨元东，郑贵友，
申请(专利权)人：蒙娜丽莎集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44