弹性波装置制造方法及图纸

技术编号:23280073 阅读:20 留言:0更新日期:2020-02-08 13:45
提供能在不损害对印字时的激光照射、安装时的装配机引起的冲击的耐性的情况下低高度化的弹性波装置。具备:元件基板,具备第1、第2主面且具有压电性;IDT电极,形成于元件基板的第1主面;和模制树脂,覆盖元件基板的至少第2主面而形成,元件基板的第2主面不平坦,在观察相对于模制树脂的顶面垂直的剖面时,元件基板具备形成IDT电极的IDT形成区域和位于IDT形成区域的两侧的未形成IDT电极的一对IDT非形成区域,元件基板的IDT形成区域的宽度方向中央部处的模制树脂的厚度尺寸大于元件基板的一个IDT非形成区域的宽度方向中央部及元件基板的另一个IDT非形成区域的宽度方向中央部的至少一者处的模制树脂的厚度尺寸。

Elastic wave device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置
本技术涉及弹性波装置。
技术介绍
在弹性波装置中,为了保护形成了IDT(InterdigitalTransducer,叉指换能器)电极的元件基板或者能够印字,有时用模制树脂来覆盖元件基板。例如,在专利文献1(JP特开2009-21559号公报)公开了这样的弹性波装置。在图5示出专利文献1公开的弹性波装置1100。弹性波装置1100在安装基板(陶瓷基板)101安装有形成了IDT电极104的元件基板(SAW芯片)103。具体来说,元件基板103通过凸块(金凸块)105而与形成于安装基板101的安装用电极102接合。然后,形成模制树脂106使得覆盖元件基板103。模制树脂106实现保护元件基板103不受外部环境影响的作用。此外,在用装配机真空吸附弹性波装置1100来进行安装的情况下,模制树脂106实现作为吸附部分的作用。另外,在用装配机真空吸附弹性波装置1100时,有时会施加冲击,模制树脂106还实现作为保护元件基板103不受冲击影响的冲击吸收材料的作用。进而,模制树脂106实现作为将品种、产品编号、生产日期、生产批次、方向性等信息印字(盖章)于弹性波装置1100的印字部分的作用。关于信息的印字,基于激光照射的方法由于简易且生产率高,因此被普遍使用。但是,在由钽酸锂单晶、铌酸锂单晶等来制作元件基板103的情况下,若在元件基板103的顶面通过激光照射实施印字,则元件基板103会熔融,因此无法通过激光照射来实施印字。因此,在弹性波装置1100中,通过模制树脂106来覆盖元件基板103,在模制树脂106的顶面通过激光照射来实施印字。在先技术文献专利文献专利文献1:JP特开2009-21559号公报
技术实现思路
技术要解决的课题在专利文献1公开的弹性波装置1100中,模制树脂106的顶面和元件基板103的顶面均形成得平坦,模制树脂106的顶面和元件基板103的顶面变得平行。另一方面,如上所述,模制树脂106是为了保护元件基板103不受外部环境影响,或者通过装配机进行真空吸附,或者对信息进行印字而设置的,因此模制树脂106的顶面与元件基板103的顶面之间的距离需要为一定以上的大小。即,若模制树脂106的顶面与元件基板103的顶面之间的距离小于给定的大小,则在用装配机进行真空吸附时,元件基板103有可能由于冲击而破损。此外,若模制树脂106的顶面与元件基板103的顶面之间的距离小于给定的大小,则在模制树脂106的顶面通过激光照射来对信息进行印字时,激光照射会到达元件基板103,元件基板103有可能会熔融。因此,弹性波装置1100难以减小模制树脂106的顶面与元件基板103的顶面之间的距离而减小高度尺寸,即难以谋求低高度化。用于解决课题的手段本技术正是为了解决上述的现有的课题而完成的,作为其手段,本技术的弹性波装置具备:元件基板,具备第1主面以及第2主面且具有压电性;IDT电极,形成于元件基板的第1主面;和模制树脂,覆盖元件基板的至少第2主面而形成,元件基板的第2主面不平坦,在观察相对于模制树脂的顶面垂直的剖面时,元件基板具备形成了IDT电极的IDT形成区域、和位于IDT形成区域的两侧的未形成IDT电极的一对IDT非形成区域,元件基板的IDT形成区域的宽度方向中央部处的模制树脂的厚度尺寸大于元件基板的一个IDT非形成区域的宽度方向中央部以及元件基板的另一个IDT非形成区域的宽度方向中央部的至少一者处的模制树脂的厚度尺寸。另外,由于IDT电极通常形成于元件基板的第1主面的靠中央处(由于未偏向元件基板的第1主面的周缘而形成),因此在观察剖面的情况下,在元件基板的IDT形成区域的两侧出现一对IDT非形成区域。剖面只要是相对于模制树脂的顶面垂直的剖面即可,可以观察任意的剖面。例如,可以是相对于IDT电极的梳齿延伸的方向垂直的剖面,也可以是相对于IDT电极的梳齿延伸的方向平行的剖面,还可以是其他的剖面。优选,元件基板的IDT形成区域的宽度方向中央部的厚度尺寸小于元件基板的一个IDT非形成区域的宽度方向中央部的厚度尺寸,并且,小于元件基板的另一个IDT非形成区域的宽度方向中央部的厚度尺寸。这是因为,在此情况下,由于能够使元件基板的剖面为左右对称形状,因此元件基板的机械强度提高,并且弹性波装置的电特性稳定。模制树脂优选顶面平坦。这是因为,在此情况下,向顶面的印字、利用装配机进行的顶面的真空吸附变得容易。本技术的弹性波装置由于元件基板在IDT形成区域的厚度尺寸小于在IDT非形成区域的厚度尺寸,因此即使减小模制树脂的厚度尺寸而减小了整体的高度方向的尺寸(即使将整体低高度化),也能够将从模制树脂的顶面到元件基板的IDT形成区域的第2主面的距离确保得充分大。因此,即使在与元件基板的IDT形成区域对应的模制树脂的顶面通过激光照射来实施印字,激光照射在IDT形成区域中也不会到达元件基板,元件基板不会熔融。此外,能够通过钽酸锂单晶或铌酸锂单晶来制作元件基板。如上所述,本技术的弹性波装置由于元件基板在IDT形成区域的厚度尺寸小,因此即使减小模制树脂的厚度尺寸而减小了整体的高度方向的尺寸,也能够将从模制树脂的顶面到元件基板的IDT形成区域的第2主面的距离确保得充分大。因此,即使通过钽酸锂单晶、铌酸锂单晶制作了元件基板,激光照射在IDT形成区域中也不会到达元件基板,元件基板不会熔融。能够进一步具备覆盖层,覆盖层与元件基板的第1主面对置地配置,并且,在覆盖层与IDT电极之间形成了空隙。在此情况下,由于通过空隙来保护IDT电极,因此IDT电极的功能不会被模制树脂损坏。能够进一步具备安装基板,在元件基板安装到安装基板之后,覆盖元件基板而形成了模制树脂。在此情况下,能够容易地用模制树脂覆盖元件基板。技术效果本技术的弹性波装置在IDT形成区域中局部地减小了元件基板的厚度尺寸。若遍及元件基板整体地减小元件基板的厚度尺寸,则元件基板的机械强度会下降,但本技术的弹性波装置局部地减小了元件基板的厚度尺寸,因此确保了必要的机械强度。而且,本技术的弹性波装置由于元件基板在IDT形成区域的厚度尺寸小于在IDT非形成区域的厚度尺寸,因此即使减小模制树脂的厚度尺寸而减小了整体的高度方向的尺寸,也能够将从模制树脂的顶面到元件基板的IDT形成区域的第2主面的距离确保得充分大。即,根据本技术的弹性波装置,能够在不减小从模制树脂的顶面到元件基板的IDT形成区域的第2主面的距离的情况下减小弹性波装置的高度方向的尺寸。本技术的弹性波装置即使减小模制树脂的厚度尺寸而减小了整体的高度方向的尺寸,从模制树脂的顶面到元件基板的IDT形成区域的第2主面的距离也确保得充分大,因此即使在用装配机进行真空吸附时对与IDT形成区域对应的模制树脂的项面施加冲击,冲击也被模制树脂吸收,元件基板不会发生破损。此外,本技术的弹性波装置即使减小模制树脂的厚度尺寸而减小了整体的高度方向的尺寸,从模制树本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种弹性波装置,具备:/n元件基板,具备第1主面以及第2主面且具有压电性;/nIDT电极,形成于所述元件基板的所述第1主面;和/n模制树脂,覆盖所述元件基板的至少所述第2主面而形成,/n所述弹性波装置的特征在于,/n所述元件基板的所述第2主面不平坦,/n在观察相对于所述模制树脂的顶面垂直的剖面时,/n所述元件基板具备形成了所述IDT电极的IDT形成区域、和位于所述IDT形成区域的两侧的未形成所述IDT电极的一对IDT非形成区域,/n所述元件基板的所述IDT形成区域的宽度方向中央部处的模制树脂的厚度尺寸大于所述元件基板的一个所述IDT非形成区域的宽度方向中央部以及所述元件基板的另一个所述IDT非形成区域的宽度方向中央部的至少一者处的模制树脂的厚度尺寸。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20161215 JP 2016-2435311.一种弹性波装置,具备:
元件基板,具备第1主面以及第2主面且具有压电性;
IDT电极,形成于所述元件基板的所述第1主面;和
模制树脂,覆盖所述元件基板的至少所述第2主面而形成,
所述弹性波装置的特征在于,
所述元件基板的所述第2主面不平坦,
在观察相对于所述模制树脂的顶面垂直的剖面时,
所述元件基板具备形成了所述IDT电极的IDT形成区域、和位于所述IDT形成区域的两侧的未形成所述IDT电极的一对IDT非形成区域,
所述元件基板的所述IDT形成区域的宽度方向中央部处的模制树脂的厚度尺寸大于所述元件基板的一个所述IDT非形成区域的宽度方向中央部以及所述元件基板的另一个所述IDT非形成区域的宽度方向中央部的至少一者处的模制树脂的厚度尺寸。


2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其特征在于,
所述元件基板的所述IDT形成区域的宽度方向中央部的厚度尺寸小于所述元件基板的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:竹下彻
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:新型
国别省市:日本;JP

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