【技术实现步骤摘要】
功率模块电极焊接工装治具及焊接方法
本专利技术涉及电极焊接,特别是涉及一种功率模块电极焊接工装治具及焊接方法。
技术介绍
电极是功率模块的重要部件,在模块内部,电极通过焊接技术,与电路板(如DBC(陶瓷覆铜板))焊接在一起,从而与电路板上的芯片形成电路连接。在模块外部,电极作为模块的输出端子与外界电路连接,形成所需要的电路连接。模块在封装时,需要将电极焊接在底板上,以引出模块的集电极主端子和发射极主端子。模块在封装生产的时候需要保证电极能够牢固的焊接在底板上,之后对电极进行折弯。模块焊接工艺包括一次焊接和二次焊接。一次焊接是将芯片焊接到电路板上;二次焊接是指电路板与电路板底板间的焊接以及电极与电路板之间的焊接。对于二次焊接来说,在将电路板焊接到电路板底板上后,还需要通过焊料将电极焊接在电路板上,将连接电路板底板上的多个电路板的连接桥焊接在对应的电路板上。然而,现有的电极焊接治具结构复杂,不易装配;电极和连接桥焊接完后,电极治具不能直接取出,拆卸麻烦;在焊接过程中,焊接治具没有有效的固定结构,焊接时往往容易产生脱落或者焊接点位出错的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足,提供一种功率模块电极焊接工装治具及焊接方法。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种功率模块电极焊接工装治具,包括底托板、连接桥定位板和主电极定位板,待焊接的电路板固定在电路板底板上,所述电路板底板上开设有至少两个安装孔,所述底托板上设置有对应于所述安装孔的至少两个安装柱,所述底托板 ...
【技术保护点】
1.一种功率模块电极焊接工装治具,其特征在于,包括底托板、连接桥定位板和主电极定位板,待焊接的电路板固定在电路板底板上,所述电路板底板上开设有至少两个安装孔,所述底托板上设置有对应于所述安装孔的至少两个安装柱,所述底托板的所述安装柱穿过所述电路板底板的所述安装孔,以将所述电路板底板叠置于所述底托板上,所述连接桥定位板上设置有对应于所述安装柱的至少两个定位套筒,所述底托板的所述安装柱穿过所述连接桥定位板上的所述定位套筒,以将所述连接桥定位板叠置于所述电路板底板上,所述主电极定位板上设置有对应于所述安装柱和所述定位套筒的定位孔,所述安装柱的至少一部分穿过所述主电极定位板上的所述定位孔,以将所述主电极定位板叠置于所述连接桥定位板上,其中,所述连接桥定位板上开设有上下贯通的中空区,所述连接桥定位板上设置有连接桥定位结构,通过所述中空区,待焊接的连接桥由所述连接桥定位结构定位于对应的电路板上的待焊接处,所述主电极定位板上开设有主电极定位插槽,待焊接的主电极插入所述主电极定位插槽,通过所述中空区,由所述主电极定位插槽定位于对应的电路板上的待焊接处。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率模块电极焊接工装治具,其特征在于,包括底托板、连接桥定位板和主电极定位板,待焊接的电路板固定在电路板底板上,所述电路板底板上开设有至少两个安装孔,所述底托板上设置有对应于所述安装孔的至少两个安装柱,所述底托板的所述安装柱穿过所述电路板底板的所述安装孔,以将所述电路板底板叠置于所述底托板上,所述连接桥定位板上设置有对应于所述安装柱的至少两个定位套筒,所述底托板的所述安装柱穿过所述连接桥定位板上的所述定位套筒,以将所述连接桥定位板叠置于所述电路板底板上,所述主电极定位板上设置有对应于所述安装柱和所述定位套筒的定位孔,所述安装柱的至少一部分穿过所述主电极定位板上的所述定位孔,以将所述主电极定位板叠置于所述连接桥定位板上,其中,所述连接桥定位板上开设有上下贯通的中空区,所述连接桥定位板上设置有连接桥定位结构,通过所述中空区,待焊接的连接桥由所述连接桥定位结构定位于对应的电路板上的待焊接处,所述主电极定位板上开设有主电极定位插槽,待焊接的主电极插入所述主电极定位插槽,通过所述中空区,由所述主电极定位插槽定位于对应的电路板上的待焊接处。
2.如权利要求1所述的功率模块电极焊接工装治具,其特征在于,所述主电极的上端具有弯折部,所述主电极定位板上开设有从所述主电极定位插槽上沿插槽宽度方向延扩的延扩孔,形成一个位置对应于所述弯折部并且尺寸大于所述弯折部的最大水平尺寸的主电极可穿过通道,以使所述主电极定位板能够通过从下往上移动,借助所述主电极可穿过通道与焊接在电路板上之后的主电极相分离。
3.如权利要求1或2所述的功率模块电极焊接工装治具,其特征在于,所述连接桥定位板具有界定出所述中空区的多个内侧壁,所述连接桥定位结构包括从所述内侧壁上延伸出的一对延伸臂,所述一对延伸臂之间形成连接桥容置槽,所述连接桥容置定位在连接桥容置槽内。
4.如权利要求1或2所述的功率模块电极焊接工装治具,其特征在于,所述安装柱的上端为圆锥形。
5.如权利要求1或2所述的功率模块电极焊接工装治具,其特征在于,还包括活动定位销,所述定位套筒上开设...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨柳,张振中,孙军,
申请(专利权)人:深圳基本半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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