一种半导体致冷件晶粒摆放模具制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体致冷件生产工具技术领域，名称是一种半导体致冷件晶粒摆放模具，包括模具本体，所述的模具本体上面具有放置晶粒的凹槽，所述的凹槽下面是配合晶粒周围的结构；所述的凹槽上面具有倒台型的扩展口，所述的模具本体包括上面的引导板和下面的底板，所述的扩展口在引导板上，所述的凹槽下面的高度是所盛放晶粒的高度，所述的模具本体和引导板之间具有配合的限位凸起和限位凹槽，所述的扩展口在放置晶粒的凹槽上面时，限位凸起和限位凹槽配合。这样的半导体致冷件晶粒摆放模具具有晶粒容易进入凹槽中、生产效率高优点。

A die for crystal placement of semiconductor cooling parts

【技术实现步骤摘要】
一种半导体致冷件晶粒摆放模具
本技术涉及半导体致冷件生产工具
，具体地说是涉及半导体致冷件晶粒摆放模具。
技术介绍
半导体制冷件包括瓷板和瓷板上的多个晶粒，生产时，首先将晶粒整齐地排列在瓷板上，然后将晶粒焊接在瓷板上而成，将晶粒整齐地排列在瓷板上所用的工具就是半导体致冷件晶粒摆放模具。半导体致冷件晶粒摆放模具包括模具本体，所述的模具本体上面具有放置晶粒的凹槽，所述的凹槽是配合晶粒的结构；使用时，将晶粒放在模具本体上面，晃动模具本体连同其上面的晶粒，晶粒就落在凹槽中排列好后，再将瓷板放置在模具上面，翻转模具，晶粒就在瓷板上面，拿下模具，晶粒就整齐地排列在瓷板上，为了保证晶粒在瓷板上位置的准确性，就要求晶粒放置在凹槽中没有框量，或者框量越少越好，因为产生的框量就是误差，影响产品的质量。现有技术中，凹槽的侧面都是竖直的面，也就是说凹槽里面的空间是长方体的结构，这样晶粒就不易进入凹槽中，具有生产效率低下的缺点。
技术实现思路
本技术的目就是针对上述缺点，提供一种晶粒容易进入凹槽中、生产效率高的半导体致冷件晶粒摆放模具。本技术的技术方案是这样实现的，一种半导体致冷件晶粒摆放模具，包括模具本体，所述的模具本体上面具有放置晶粒的凹槽，所述的凹槽下面是配合晶粒周围的结构；其特征是：所述的凹槽上面具有倒台型的扩展口。进一步地讲，所述的模具本体包括上面的引导板和下面的底板，所述的扩展口在引导板上。进一步地讲，所述的凹槽下面的高度是所盛放晶粒的高度。进一步地讲，所述的底板和引导板之间具有配合的限位凸起和限位凹槽，所述的扩展口在放置晶粒的凹槽上面时，限位凸起和限位凹槽配合。进一步地讲，所述的扩展口侧面具有一层石墨层。进一步地讲，所述引导板上面相邻的扩展口左右侧面具有连通的左右浅槽。本技术的有益效果是：这样的半导体致冷件晶粒摆放模具具有晶粒容易进入凹槽中、生产效率高优点。附图说明图1是本技术结构示意图。图2是图1中A—A部位的剖面示意图。图3是图1中B—B部位的剖面示意图。其中：1、模具本体11、引导板12、底板2、凹槽21、扩展口4、限位凸起和限位凹槽5、石墨层6、左右方向的浅槽。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步的描述。如图1、2、3所示，一种半导体致冷件晶粒摆放模具，包括模具本体1，所述的模具本体上面具有放置晶粒的凹槽2，所述的凹槽下面是配合晶粒周围的结构；其特征是：所述的凹槽上面具有倒台型的扩展口21。本技术由于设置扩展口，具有晶粒容易进入凹槽里面的优点。进一步地讲，所述的模具本体包括上面的引导板11和下面的底板12，所述的扩展口21在引导板上。本技术这样设置，可以在排列晶粒完成后将引导板拿掉，翻转本底板，形成的晶粒在瓷板上的位置更准确，有利于提高产品质量。进一步地讲，所述的凹槽下面的高度是所盛放晶粒的高度。这样翻转本底板，形成的晶粒在瓷板上的位置更准确，更有利于提高产品质量。进一步地讲，所述的底板和引导板之间具有配合的限位凸起和限位凹槽4，所述的扩展口在放置晶粒的凹槽上面时，限位凸起和限位凹槽配合。这样更便于引导板在底板上的定位。进一步地讲，所述的扩展口侧面具有一层石墨层5。这样更便于晶粒滑入凹槽中。进一步地讲，所述引导板上面相邻的扩展口左右侧面具有连通的左右方向的浅槽6。这样左右晃动本模具，晶粒更容易归位到凹槽中，更有利于提高产品质量。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体致冷件晶粒摆放模具，包括模具本体，所述的模具本体上面具有放置晶粒的凹槽，所述的凹槽下面是配合晶粒周围的结构；其特征是：所述的凹槽上面具有倒台型的扩展口。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体致冷件晶粒摆放模具，包括模具本体，所述的模具本体上面具有放置晶粒的凹槽，所述的凹槽下面是配合晶粒周围的结构；其特征是：所述的凹槽上面具有倒台型的扩展口。


2.根据权利要求1所述的半导体致冷件晶粒摆放模具，其特征是：所述的模具本体包括上面的引导板和下面的底板，所述的扩展口在引导板上。


3.根据权利要求2所述的半导体致冷件晶粒摆放模具，其特征是：所述的凹槽下面的高度是所盛放晶粒的高度。

【专利技术属性】
技术研发人员：付国军，陈磊，陈建民，王丹，赵丽萍，张文涛，钱俊有，
申请(专利权)人：许昌市森洋电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41