一种超宽带固态功放合成电路制造技术

本发明专利技术公开了一种超宽带固态功放合成电路。该电路包括镜像设置的两个四端口电桥网络，其中第一四端口电桥网络的输入端口B接入一个匹配单元，输入端口A接收输入微波信号，经过第一四端口电桥网络分别将信号分为从端口C和端口D输出，将两个输出信号分别经过功率合成单元进一步放大，将放大后的微波信号输入至第二四端口电桥网络的输入端口C’和输入端口D’，利用镜像可逆耦合电桥电路，将输出信号经第二四端口电桥网络耦合输出，第二四端口电桥网络的端口B’输出射频信号输出至匹配单元，端口A’直接输出微波射频信号。本发明专利技术具有电路简单、制造工艺简便、工作频率带宽宽、谐波抑制能力强的优点。

A synthesis circuit of UWB solid state power amplifier

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带固态功放合成电路
本专利技术属于雷达/电子对抗系统的功率发射技术，特别是一种超宽带固态功放合成电路。
技术介绍
近年来，随着电子对抗、相控阵雷达、电磁兼容(EMI)测试等领域的飞速发展，高性能、大功率干扰发射系统的需求越来越高。作为发射系统的关键部件，功率放大器的输出功率大小直接决定了发射机的作用距离、抗干扰能力等性能。随着GaAs、GaN等第三代半导体材料器件的日益成熟，半导体制作工艺技术的不断提高。目前，基于大禁带宽度、高饱和电子偏移速度和高击穿电场强度等显著优点的固态功率放大器已经逐步应用到发射系统中。为了实现超宽带、高发射功率，除了使用功率较高的GaN芯片单元以外，还要考虑多路合成，而目前市场上基于GaN材料的6～18GHz功放芯片最大功率约10W，附加效率约20％，即便接近90％的多路合成效率，也会致使功率放大器功耗较大。此外，大功率器件输出信号的反射功率也会导致末级GaN芯片的热沉积(结温过高)，这都将会降低放大器的可靠性能甚至损坏组件。因此，高功耗固态功率放大器的散热及可靠性指标性能，一直是较为关注的问题。如何提高功率放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带固态功放合成电路，其特征在于，包括镜像设置的两个四端口电桥网络，其中第一四端口电桥网络的输入端口B接入一个匹配单元，输入端口A接收输入微波信号，经过第一四端口电桥网络分别将信号分为从端口C和端口D输出，将两个输出信号分别经过功率合成单元进一步放大，将放大后的微波信号输入至第二四端口电桥网络的输入端口C’和输入端口D’，利用镜像可逆耦合电桥电路，将输出信号经第二四端口电桥网络耦合输出，第二四端口电桥网络的端口B’输出射频信号输出至匹配单元，端口A’直接输出微波射频信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种超宽带固态功放合成电路，其特征在于，包括镜像设置的两个四端口电桥网络，其中第一四端口电桥网络的输入端口B接入一个匹配单元，输入端口A接收输入微波信号，经过第一四端口电桥网络分别将信号分为从端口C和端口D输出，将两个输出信号分别经过功率合成单元进一步放大，将放大后的微波信号输入至第二四端口电桥网络的输入端口C’和输入端口D’，利用镜像可逆耦合电桥电路，将输出信号经第二四端口电桥网络耦合输出，第二四端口电桥网络的端口B’输出射频信号输出至匹配单元，端口A’直接输出微波射频信号。


2.根据权利要求1所述的超宽带固态功放合成电路，其特征在于，所述第一四端口电桥网络，实现两输出信号相差90或180°耦合输出，若采用90°耦合电桥网络，抑制3dB的二次谐波信号；若采用180°耦合电桥网络，完全抑制二次谐波信号。


3.根据权利要求1或2所述的超宽带固态功放合成电路，其特征在于，包括第一匹配单元(1)、第一四端口电桥网络(2)、第一功率合成单元(3)、第二功率合成单元(4)、第二四端口电桥网络(5)和第二匹配单元(6)。


4.根据权利要求3所述的超宽带固态功放合成电路，其特征在于，所述第一匹配单元(1)，通过隔离端口B接收输入信号经过第一四端口电桥网络(2)耦合的微波射频信号，同时，接收端口C和端口D的反射信号，并进行50Ω匹配。


5.根据权利要求3所述的超宽带固态功放合成电路，其特征在于，所述第一四端口电桥网络(2)，通过端口A接收输入的微波射频信号，经过90或者180°电桥网络将输入微波射频信号通过端口C、端口D分别输出至第一功率合成单元(3)、第二功率合成单元(4)，并将输入端口A的隔离/...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙彪，桂盛，鲁帆，王勇，于忠吉，
申请(专利权)人：扬州船用电子仪器研究所中国船舶重工集团公司第七二三研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32