【技术实现步骤摘要】
电力转换器
本专利技术涉及电力转换器,每个电力转换器包括成对直流(DC)母线以及具有内置半导体元件的半导体模块。
技术介绍
在日本专利申请公开第2011-114193号中公开了一种已知的电力转换器的示例,该电力转换器包括多个半导体模块,在每个半导体模块中结合有诸如IGBT之类的一个或多个半导体元件、多个冷却管以及成对DC母线。具体地,半导体模块和冷却管例如交替堆叠,以构成堆叠半导体组件。每个半导体模块包括转换器部件以及从转换器部件突出的成对DC端子,在转换器部件中结合一个或多个半导体元件。DC母线配置成彼此面对,并且连接于每个半导体模块的相应DC端子。DC电源连接于DC母线,使得DC电源经由DC母线向每个半导体模块供给DC电力。上面描述的电力转换器构造成对半导体元件的接通/断开操作进行控制,从而将从DC电源供给来的DC电力转换为交流(AC)电力。每根DC母线在其突出方向、即其长度方向上包括重叠部,并且该DC母线的重叠部在垂直于它们的长度方向的方向上彼此重叠,同时绝缘构件介于这些重叠部之间(参见图12和图13)。DC母线包括近母线和远母线,近母线定位成在其突出方向上比转换器部件的远母线更接近、即更靠近转换器部件,并且远母线定位成在其突出方向上比近母线更加远离转换器部件。DC端子包括近端子和远端子,近端子定位成在其突出方向上比远端子更接近相应DC母线的重叠部,并且远端子定位成在其突出方向上比近端子更远离相应DC母线的重叠部。近母线连接于远端子,并且远母线连接于近端子。近母线具有穿过 ...
【技术保护点】
1.一种电力转换器,所述电力转换器包括:/n堆叠组件,所述堆叠组件包括多个半导体模块和多个冷却管,其中,/n多个所述冷却管用于对所述半导体模块进行冷却,所述半导体模块和所述冷却管在作为堆叠方向的预定的第一方向上堆叠,以构成所述堆叠组件;以及/n直流母线组件,/n每个所述半导体模块包括:/n转换器部件,所述转换器部件包括用于电力转换的至少一个半导体元件;以及/n成对的直流端子,成对的所述直流端子连接于所述至少一个半导体元件并且构造成在起到突出方向的作用的预定的第二方向上从转换器部件突出,/n所述直流母线组件包括:/n成对的近直流母线和远直流母线,所述近直流母线和所述远直流母线起到直流电源与所述半导体模块之间的电流路径的作用;以及/n绝缘构件,所述绝缘构件在所述突出方向上介于所述近直流母线的第一部分与所述远直流母线的第二部分之间,相应所述近直流母线的所述第一部分和所述远直流母线的所述第二部分分别起到第一重叠部和第二重叠部的作用,所述第一重叠部和所述第二重叠部在突出方向上经由所述绝缘构件彼此重叠,/n所述近直流母线的所述第一重叠部定位成在所述突出方向上比所述远直流母线的所述第二重叠部更靠近所 ...
【技术特征摘要】
20180719 JP 2018-1359971.一种电力转换器,所述电力转换器包括:
堆叠组件,所述堆叠组件包括多个半导体模块和多个冷却管,其中,
多个所述冷却管用于对所述半导体模块进行冷却,所述半导体模块和所述冷却管在作为堆叠方向的预定的第一方向上堆叠,以构成所述堆叠组件;以及
直流母线组件,
每个所述半导体模块包括:
转换器部件,所述转换器部件包括用于电力转换的至少一个半导体元件;以及
成对的直流端子,成对的所述直流端子连接于所述至少一个半导体元件并且构造成在起到突出方向的作用的预定的第二方向上从转换器部件突出,
所述直流母线组件包括:
成对的近直流母线和远直流母线,所述近直流母线和所述远直流母线起到直流电源与所述半导体模块之间的电流路径的作用;以及
绝缘构件,所述绝缘构件在所述突出方向上介于所述近直流母线的第一部分与所述远直流母线的第二部分之间,相应所述近直流母线的所述第一部分和所述远直流母线的所述第二部分分别起到第一重叠部和第二重叠部的作用,所述第一重叠部和所述第二重叠部在突出方向上经由所述绝缘构件彼此重叠,
所述近直流母线的所述第一重叠部定位成在所述突出方向上比所述远直流母线的所述第二重叠部更靠近所述转换器部件,
所述直流端子包括:
近直流端子;以及
远直流端子,
所述近直流端子配置成在同时垂直于所述堆叠方向和所述突出方向的作为布置方向的预定的第三方向上,比所述远直流端子更靠近所述第一重叠部和所述第二重叠部,
所述近直流母线和所述远直流母线接合于相应所述近直流端子和所述远直流端子,
所述远直流母线构造成接合于相应所述半导体模块的所述远直流端子,同时绕过相应所述半导体模块的所述近直流端子。
2.如权利要求1所述的电力转换器,其特征在于,
所述远直流母线构造成延伸超出相应所述半导体模块的所述近直流端子,以便接合于相应所述半导体模块的所述远直流端子。
3.如权利要求1或2所述的电力转换器,其特征在于,
所述远直流母线包括:
所述第二重叠部;
覆盖部,所述覆盖部构造成从所述第二重叠部连续地延伸,以从所述突出方向的一侧覆盖相应所述半导体模块的所述近直流端子,并且在所述突出方向上具有预定的厚度;
倾斜部,所述倾斜部构造成从平板部连续地延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员:三浦智也,大濱健一,木暮晋太郎,
申请(专利权)人:株式会社电装,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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