测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质技术

一种测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质，所述测温芯片的温度测量方法包括：测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。应用上述方案，可以提高测温芯片的温度测量精度。

Temperature measurement method, temperature measurement chip and readable storage medium of temperature measurement chip

【技术实现步骤摘要】
测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质
本专利技术实施例涉及射频应用
，尤其涉及一种测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质。
技术介绍
随着射频识别(RadioFrequencyIdentification，RFID)技术的广泛应用，基本的信息读取已经无法满足日益丰富的应用需求，大数据的实现获得越来越多的重视。物联网的实现不仅要获取目标对象的基本信息，还需要更多实时的特征信息，例如位置信息，时间信息，个体信息等。其中，温度信息就是一项重要的信息，尤其是在冷链物流中至关重要。在RFID测温芯片中，通过温度传感器实现测温功能。将RFID测温芯片放置在目标对象上或者目标环境中，由于热对流、热传导和热辐射的热传递作用，RFID测温芯片会达到和目标对象上或者目标环境相似的温度。当收到读卡器(Reader)发送测量温度的命令后，RFID测温芯片(RFIDTAG)从读卡器发射的电磁场获取能量从而启动工作，解析收到的命令，测量芯片本身的温度，然后将测量结果反馈至读卡器。在现有的芯片测温方法中，直接测量芯片本身的温度作为目标本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测温芯片的温度测量方法，其特征在于，包括：/n测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；/n检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；/n基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种测温芯片的温度测量方法，其特征在于，包括：
测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；
检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；
基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。


2.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述测量并获取测温芯片对应的第一温度包括：
采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；
基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。


3.根据权利要求2所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，在基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度之前，还包括：
对所述采样值进行数字化操作。


4.根据权利要求2所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度包括：
根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：



其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。


5.根据权利要求4所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度还包括：
基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。


6.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度包括：
测量所述测温芯片接收的电磁场信号；
基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；
根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。


7.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述测量所述测温芯片接收的电磁场信号包括：
利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。


8.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率包括：
根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：



其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。


9.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度包括：
根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc；
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。


10.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度包括：
基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT；
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋安飞，王磊，李晓非，宋晓明，芮榕榕，
申请(专利权)人：上海复旦微电子集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31