基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路制造技术

本实用新型专利技术实施例涉及一种基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路，包括：所述基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、三极管Q2、二极管D1、稳压管D2、NMOS管Q1及自举升压电路；三极管Q2的基极与电阻R3的一端相连，发射极与二极管D1的正极相连，所述R3的另一端与车载直流电源的负极相连，二极管D1的负极与车载直流电源的正极相连；三极管Q2的集电极与稳压管D2的负极、NMOS管Q1的栅极、自举升压电路的输出端以及电阻R1的一端相连；二极管D1的负极与稳压管D2的正极、NMOS管Q1的源极相连接；NMOS管Q1的漏极与负载相连；电阻R2和电容C1并联连接，并串接于电阻R1的另一端与GND之间。

Anti reverse protection circuit of vehicle DC power supply based on NMOS

【技术实现步骤摘要】
基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路。
技术介绍
车载蓄电池为直流电源的一种，它是有极性的电源，它所输出的电源一端为正极，另一端为负极，在使用过程中可能由于选错适配器或电源正负极接反而导致电子设备烧毁，所以在接入直流电源时一定要正确接入。为了防止错接，业内采用了防反接保护电路，通常高压低电流电路时做直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电特性来实现防反接保护，而在低压大电流电路中，一般采用在MOS管来实现。利用MOS管可以有两种实现方式，一种是电源正极上PMOS防反接，如CN201620145070.0，一种直流电源防反接保护电路所涉及的电路，PMOS在电源正极实现防反接，PMOS的源极与第一电阻的第一端连接，二者的公共端作为防反接电路的第一输出端与负载的第一端连接，MOS的栅极与第一电阻的第二端连接，二者的公共端作为防反接电路的第二输出端与负载的第二端连接；一种是电源负极上利用NMOS防反接，如CN201621157481.8一种电子设备的保护电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路，其特征在于，所述基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、三极管Q2、二极管D1、稳压管D2、NMOS管Q1及自举升压电路；/n三极管Q2的基极与电阻R3的一端相连，发射极与二极管D1的正极相连，所述R3的另一端与车载直流电源的负极相连，二极管D1的负极与车载直流电源的正极相连；/n三极管Q2的集电极与稳压管D2的负极、NMOS管Q1的栅极、自举升压电路的输出端以及电阻R1的一端相连；/n二极管D1的负极与稳压管D2的正极、NMOS管Q1的源极相连接；NMOS管Q1的漏极与负载相连；/n电阻R2和...

【技术特征摘要】
1.一种基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路，其特征在于，所述基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、三极管Q2、二极管D1、稳压管D2、NMOS管Q1及自举升压电路；
三极管Q2的基极与电阻R3的一端相连，发射极与二极管D1的正极相连，所述R3的另一端与车载直流电源的负极相连，二极管D1的负极与车载直流电源的正极相连；
三极管Q2的集电极与稳压管D2的负极、NMOS管Q1的栅极、自举升压电路的输出端以及电阻R1的一端相连；
二极管D1的负极与稳压管D2的正极、NMOS管Q1的源极相连接；NMOS管Q1的漏极与负载相连；
电阻R2和电容C1并联连接，并串接于电阻R1的另一端与GND之间。


2.根据权利要求1所述的基于NMOS管的车载直流电源防反接保护电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘汝涛，赵学峰，霍舒豪，张德兆，王肖，李晓飞，张放，
申请(专利权)人：北京智行者科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11